The graphene-gold interface and its implications for nanoelectronics

Nano Letters

Volumn 11, Issue 9, 2011, Pages 3833-3837

  Sundaram, Ravi S ^a   Steiner, Mathias ^b   Chiu, Hsin Ying ^b   Engel, Michael ^c   Bol, Ageeth A ^b   Krupke, Ralph ^c   Burghard, Marko ^a   Kern, Klaus ^a,d   Avouris, Phaedon ^b  

^a MAX PLANCK INSTITUT FÜR FESTKÖRPERFORSCHUNG   (Germany)

^b IBM T J WATSON RESEARCH CENTER   (United States)

^c KARLSRUHE INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Germany)

^d EPFL   (Switzerland)

Author keywords

gold; Graphene; nano electronics; nano optics; semiconductor metal contact

Indexed keywords

DOPING LEVELS; ELECTRON PHONON COUPLINGS; ELECTRONIC DEVICE; ELECTRONIC MEASUREMENTS; ELECTRONS AND HOLES; GOLD DEPOSITION; INTERFACIAL COUPLINGS; LOCAL TEMPERATURE; NANOOPTICS; OPTICAL MICROSPECTROSCOPY; SEMICONDUCTOR METALS; TRANSFER LENGTHS;

ELECTRONIC STRUCTURE; GOLD; GOLD DEPOSITS; GRAPHENE; NANOPHOTONICS; PHONONS; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DOPING;

GOLD COATINGS;

GOLD; GRAPHITE; METAL; NANOPARTICLE;

ARTICLE; CHEMISTRY; COLLOID; ELECTRON; ELECTRONICS; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY; OPTICS; PHONON; SEMICONDUCTOR;

COLLOIDS; ELECTRONICS; ELECTRONS; GOLD; GRAPHITE; METALS; NANOPARTICLES; NANOTECHNOLOGY; OPTICS AND PHOTONICS; PHONONS; SEMICONDUCTORS;

EID: 80052797410     PISSN: 15306984     EISSN: 15306992     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/nl201907u     Document Type: Article

References (35)

1. Geim, A. K. Science 2009, 324 (5934) 1530-1534
2. Castro Neto, A. H.; Guinea, F.; Peres, N. M. R.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K. Rev. Mod. Phys. 2009, 81 (1) 109
3. Avouris, P. Nano Lett. 2010, 10 (11) 4285-4294
4. Moon, J. S.; Curtis, D.; Hu, M.; Wong, D.; McGuire, C.; Campbell, P. M.; Jernigan, G.; Tedesco, J. L.; VanMil, B.; Myers-Ward, R.; Eddy, C.; Gaskill, D. K. IEEE Electron Device Lett. 2009, 30, 650-652
5. Lin, Y. M.; Dimitrakopoulos, C.; Jenkins, K. A.; Farmer, D. B.; Chiu, H. Y.; Grill, A.; Avouris, P. Science 2010, 327 (5966) 662
6. Schwierz, F. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (7) 487-496
7. Bolotin, K. I.; Sikes, K. J.; Jiang, Z.; Klima, M.; Fudenberg, G.; Hone, J.; Kim, P.; Stormer, H. L. Solid State Commun. 2008, 146 (9-10) 351-355
8. Moser, J.; Barreiro, A.; Bachtold, A. Appl. Phys. Lett. 2007, 91 (16) 163513-3
9. Freitag, M.; Steiner, M.; Martin, Y.; Perebeinos, V.; Chen, Z.; Tsang, J. C.; Avouris, P. Nano Lett. 2009, 9 (5) 1883-1888
10. Berciaud, S.; Han, M. Y.; Mak, K. F.; Brus, L. E.; Kim, P.; Heinz, T. F. Phys. Rev. Lett. 2010, 104 (22) 227401
11. Chae, D.-H.; Krauss, B.; von Klitzing, K.; Smet, J. H. Nano Lett. 2010, 10 (2) 466-471
12. Freitag, M.; Chiu, H.-Y.; Steiner, M.; Perebeinos, V.; Avouris, P. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (7) 497-501
13. Bae, M.-H.; Ong, Z.-Y.; Estrada, D.; Pop, E. Nano Lett. 2010, 10 (12) 4787-4793
14. Jo, I.; Hsu, I. K.; Lee, Y. J.; Sadeghi, M. M.; Kim, S.; Cronin, S.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Yao, Z.; Shi, L. Nano Lett. 2011, 11 (1) 85-90
15. Li, X.; Cai, W.; An, J.; Kim, S.; Nah, J.; Yang, D.; Piner, R.; Velamakanni, A.; Jung, I.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K.; Colombo, L.; Ruoff, R. S. Science 2009, 324 (5932) 1312-1314
16. Bae, S.; Kim, H.; Lee, Y.; Xu, X.; Park, J.-S.; Zheng, Y.; Balakrishnan, J.; Lei, T.; Ri Kim, H.; Song, Y. I.; Kim, Y.-J.; Kim, K. S.; Ozyilmaz, B.; Ahn, J.-H.; Hong, B. H.; Iijima, S. Nat. Nanotechnol. 2010, 5 (8) 574-578
17. Dimitrakopoulos, C.; Lin, Y.-M.; Grill, A.; Farmer, D. B.; Freitag, M.; Sun, Y.; Han, S.-J.; Chen, Z.; Jenkins, K. A.; Zhu, Y.; Liu, Z.; McArdle, T. J.; Ott, J. A.; Wisnieff, R.; Avouris, P. J. Vac. Sci. Technol., B 2010, 28 (5) 985-992
18. Giovannetti, G.; Khomyakov, P. A.; Brocks, G.; Karpan, V. M.; van den Brink, J.; Kelly, P. J. Phys. Rev. Lett. 2008, 101 (2) 026803
19. Gierz, I.; Riedl, C.; Starke, U.; Ast, C. R.; Kern, K. Nano Lett. 2008, 8 (12) 4603-4607
20. Varykhalov, A.; Scholz, M. R.; Kim, T. K.; Rader, O. Phys. Rev. B 2010, 82 (12) 121101
21. Nagashio, K.; Nishimura, T.; Kita, K.; Toriumi, A. IEEE Int. Electron Devices Meet. (Baltimore) 2009, 1-4
22. Nouchi, R.; Tanigaki, K. Appl. Phys. Lett. 2010, 96 (25) 253503-3
23. Nagashio, K.; Nishimura, T.; Kita, K.; Toriumi, A. App. Phys. Lett. 2010, 97 (14) 143514-3
24. Xia, F.; Perebeinos, V.; Lin, Y.-M.; Wu, Y.; Avouris, P. Nat. Nanotechnol. 2011, 6 (3) 179-184
25. Grosse, K. L.; Bae, M.-H.; Lian, F.; Pop, E.; King, W. P. Nat. Nanotechnol. 2011, 6 (5) 287-290
26. Das, A.; Pisana, S.; Chakraborty, B.; Piscanec, S.; Saha, S. K.; Waghmare, U. V.; Novoselov, K. S.; Krishnamurthy, H. R.; Geim, A. K.; Ferrari, A. C.; Sood, A. K. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (4) 210-215
27. Kim, S.; Nah, J.; Jo, I.; Shahrjerdi, D.; Colombo, L.; Yao, Z.; Tutuc, E.; Banerjee, S. K. Appl. Phys. Lett. 2009, 94 (6) 062107-3
28. Ferrari, A. C.; Meyer, J. C.; Scardaci, V.; Casiraghi, C.; Lazzeri, M.; Mauri, F.; Piscanec, S.; Jiang, D.; Novoselov, K. S.; Roth, S.; Geim, A. K. Phys. Rev. Lett. 2006, 97 (18) 187401
29. Yan, J.; Zhang, Y.; Kim, P.; Pinczuk, A. Phys. Rev. Lett. 2007, 98 (16) 166802
30. Pisana, S.; Lazzeri, M.; Casiraghi, C.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K.; Ferrari, A. C.; Mauri, F. Nat. Mater. 2007, 6 (3) 198-201
31. Bonini, N.; Lazzeri, M.; Marzari, N.; Mauri, F. Phys. Rev. Lett. 2007, 99 (17) 176802
32. Schroder, D. K. Semiconductor Material and Device Characterization, 3 rd ed.; Wiley: Hoboken, NJ, 2006.
33. Lee, E. J. H.; Balasubramanian, K.; Weitz, R. T.; Burghard, M.; Kern, K. Nat. Nanotechnol. 2008, 3 (8) 486-490
34. Mueller, T.; Xia, F.; Freitag, M.; Tsang, J.; Avouris, P. Phys. Rev. B 2009, 79 (24) 245430
35. Blake, P.; Yang, R.; Morozov, S. V.; Schedin, F.; Ponomarenko, L. A.; Zhukov, A. A.; Nair, R. R.; Grigorieva, I. V.; Novoselov, K. S.; Geim, A. K. Solid State Commun. 2009, 149 (27-28) 1068-1071