High-performance graphene devices on SiO2/Si substrate modified by highly ordered self-assembled monolayers

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 21, 2011, Pages 2464-2468

  Wang, Xiaomu ^a   Xu, Jian Bin ^a,b   Wang, Chengliang ^a   Du, Jun ^a   Xie, Weiguang ^a,c  

^a CHINESE UNIVERSITY OF HONG KONG   (Hong Kong)

^b NANJING UNIVERSITY   (China)

^c JINAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

field effect transistors; graphene; high mobility; self assembled monolayers

Indexed keywords

GRAPHENE DEVICES; HIGH MOBILITY; HIGH QUALITY; INTRINSIC DOPING; INTRINSIC PROPERTY; OCTADECYLTRIMETHOXYSILANE;

CARRIER MOBILITY; ELECTRON ENERGY LEVELS; FIELD EFFECT TRANSISTORS; GRAPHENE; ORGANIC POLYMERS; SILICON COMPOUNDS;

SELF ASSEMBLED MONOLAYERS;

GRAPHITE; SILANE DERIVATIVE; SILICON; SILICON DIOXIDE;

ARTICLE; CHEMISTRY; ELECTRIC CONDUCTIVITY; SEMICONDUCTOR; TEMPERATURE;

ELECTRIC CONDUCTIVITY; GRAPHITE; SILANES; SILICON; SILICON DIOXIDE; TEMPERATURE; TRANSISTORS, ELECTRONIC;

EID: 79957819182     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201100476     Document Type: Article

References (29)

1. A. K. Geim, K. S. Novoselov, Nat. Mater. 2006, 6, 183.
2. F. Schwierz, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 487.
3. K. I. Bolotin, K. J. Sikes, J. Hone, H. L. Stormer, P. Kim, Phys. Rev. Lett. 2008, 101, 096 802.
4. S. Adam, E. W. Hwang, V. M. Galitski, S. Das Sarma, Proc. Natl Acad. Sci. USA 2007, 104, 18 392.
5. J. Katoch, J. H. Chen, R. Tsuchikawa, C. W. Smith, E. R. Mucciolo, M. Ishigami, Phys. Rev. B 2010, 82, 081 417(R).
6. S. Fratini, F. Guinea, Phys. Rev. B 2008, 77, 195 415.
7. A. Konar, T. Fang, D. Jena, Phys. Rev. B 2010, 82, 115 452.
8. T. Lohmann, K. Von Klitzing, J. H. Smet, Nanoletters 2009, 9, 1973.
9. X. Hong, A. Posadas, K. Zou, C. H. Ahn, J. Zhu, Phys. Rev. Lett. 2009, 102, 136 808.
10. C. R. Dean, A. F. Young, I. Meric, C. Lee, L. Wang, S. Sorgenfrei, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Kim, K. L. Shepard, J. Hone, Nat. Nanotechnol. 2010, 5, 722.
11. M. Lafkioti, B. Krauss, T. Lohmann, U. Zschieschang, H. Klauk, K. von Klitzing, J. H. Smet, Nano Lett. 2010, 10, 1149.
12. Z. Liu, A. A. Bol, W. Haensch, Nano Lett. 2011, 11, 523.
13. Y. Ito, A. A. Virkar, S. Mannsfeld, H. H. Oh, M. Toney, J. Locklin, Z. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 9396.
14. S. A. McGill, S. G. Rao, P. Manandhar, P. Xiong, S. Hong, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 163 123.
15. O. Acton, I. Osaka, G. Ting, D. Hutchins, H. Ma, R. D. McCullough, A. K.-Y. Jen, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 113 305.
16. S. S. Datta, D. R. Stranchan, E. J. Mele, A. T. C. Johnson, Nano Lett. 2009, 9, 7.
17. R. Wang, S. Wang, D. Zhang, Z. Li, Y. Fang, X. Qiu, ACS Nano 2011, 5, 408.
18. Q. Tang, Y. Tong, H. LI, Z. Ji, W. Hu, Y. Liu, D. Zhu, Adv. Mater. 2008, 20, 1511.
19. S. Kim, J. Nah, I. Jo, D. Shahrjerdi, L. Colombo, Z. Yao, E. Tutuc, S. K. Banerjee, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 062 107.
20. L. Liao, J. Bai, Y. Qu, Y.-C. Lin, Y. Huang, X. Duan, Proc. Natl Acad. Sci. USA 2010, 107, 6711.
21. J. Martin, N. Akerman, G. Ulbricht, T. Lohmann, J. H. Smet, K. Von Klitzing, A. Yacoby, Nat. Phys. 2008, 4, 144.
22. S. V. Morozov, K. S. Novoselov, M. I. Katsnelson, F. Schedin, D. C. Elias, J. A. Jaszczak, A. K. Geim, Phys. Rev. Lett. 2008, 100, 016 602.
23. J.-H. Chen, C. Jang, S. Xiao, M. Ishigami, M. S. Fuhrer, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 206.
24. R. Tian, O. Seitz, M. Li, W. Hu, Y. J. Chabal, J. Gao, Langmuir 2010, 27, 4563.
25. X. Du, I. Skachko, A. Baker, E. Y. Andrie, Nat. Nanotechnol. 2008, 3, 491.
26. T. O. Wehling, M. I. Katsnelson, A. I. Lichtenstein, Chem. Phys. Lett. 2009, 476, 125.
27. T. O. Wehling, S. Yuan, A. I. Lichtenstein, A. K. Geim, M. I. Katsnelson, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 056 802.
28. K. M. Borysenko, J. T. Mullen, E. A. Barry, S. Paul, Y. G. Semenov, J. M. Zavada, M. B. Nardelli, K. W. Kim, Phys. Rev. B 2010, 81, 121 412.
29. E. V. Castro, H. Ochoa, M. I. Katsnelson, R. V. Gorbachev, D. C. Elias, K. S. Novoselov, A. K. Geim, F. Guinea, Phys. Rev. Lett. 2010, 105, 266 601.