Conductive atomic force microscope nanopatterning of epitaxial graphene on SiC(0001) in ambient conditions

Advanced Materials

Volumn 23, Issue 19, 2011, Pages 2181-2184

  Alaboson, Justice M P ^a   Wang, Qing Hua ^a   Kellar, Joshua A ^a   Park, Joohee ^a   Elam, Jeffrey W ^b   Pellin, Michael J ^b   Hersam, Mark C ^a  

^a Northwestern University   (United States)

^b ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

Author keywords

epitaxial graphene; lithography; nanopatterning; scanning probe microscopy; silicon carbide

Indexed keywords

AMBIENT CONDITIONS; CONDUCTIVE ATOMIC FORCE MICROSCOPES; DEPTH PROFILE; EPITAXIAL GRAPHENE; NANOPATTERNING; OXIDIZATION;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; EPITAXIAL GROWTH; GRAPHENE; SILICON CARBIDE;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

GRAPHITE; INORGANIC COMPOUND; NANOMATERIAL; SILICON CARBIDE; SILICON DERIVATIVE;

ARTICLE; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; CHEMISTRY; KINETICS; METHODOLOGY; NANOTECHNOLOGY;

CARBON COMPOUNDS, INORGANIC; GRAPHITE; KINETICS; MICROSCOPY, ATOMIC FORCE; NANOSTRUCTURES; NANOTECHNOLOGY; SILICON COMPOUNDS;

EID: 79955865759     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201100367     Document Type: Article

References (45)

1. A. K. Geim, Science 2009, 324, 1530.
2. C. Berger, Z. M. Song, X. B. Li, X. S. Wu, N. Brown, C. Naud, D. Mayou, T. B. Li, J. Hass, A. N. Marchenkov, E. H. Conrad, P. N. First, W. A. de Heer, Science 2006, 312, 1191.
3. W. A. de Heer, C. Berger, X. S. Wu, P. N. First, E. H. Conrad, X. B. Li, T. B. Li, M. Sprinkle, J. Hass, M. L. Sadowski, M. Potemski, G. Martinez, Solid State Commun. 2007, 143, 92.
4. J. Kedzierski, P. L. Hsu, P. Healey, P. W. Wyatt, C. L. Keast, M. Sprinkle, C. Berger, W. A. de Heer, IEEE Trans. Electron Devices 2008, 55, 2078.
5. E. Bekyarova, M. E. Itkis, P. Ramesh, C. Berger, M. Sprinkle, W. A. de Heer, R. C. Haddon, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 1336.
6. Q. H. Wang, M. C. Hersam, Nat. Chem. 2009, 1, 206.
7. X. R. Wang, S. M. Tabakman, H. J. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 8152.
8. D. B. Farmer, H. Y. Chiu, Y. M. Lin, K. A. Jenkins, F. N. Xia, P. Avouris, Nano Lett. 2009, 9, 4474.
9. R. Garcia, R. V. Martinez, J. Martinez, Chem. Soc. Rev 2006, 35, 29.
10. C. R. Kinser, M. J. Schmitz, M. C. Hersam, Nano Lett. 2005, 5, 91.
11. P. Avouris, R. Martel, T. Hertel, R. Sandstrom, Appl. Phys. A. 1998, 66, S659.
12. P. Avouris, T. Hertel, R. Martel, Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 285.
13. M. J. Schmitz, C. R. Kinser, N. E. Cortes, M. C. Hersam, Small 2007, 3, 2053.
14. A. E. Gordon, R. T. Fayfield, D. D. Litfin, T. K. Higman, J. Vac. Sci. Technol., B 1995, 13, 2805.
15. E. Dubois, J. L. Bubendorff, J. Appl. Phys. 2000, 87, 8148.
16. T. Teuschler, K. Mahr, S. Miyazaki, M. Hundhausen, L. Ley, Appl. Phys. Lett. 1995, 67, 3144.
17. D. Stievenard, P. A. Fontaine, E. Dubois, Appl. Phys. Lett. 1997, 70, 3272.
18. E. S. Snow, G. G. Jernigan, P. M. Campbell, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 1782.
19. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 271.
20. J. A. Dagata, F. Perez-Murano, C. Martin, H. Kuramochi, H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 2004, 96, 2386.
21. R. Garcia, M. Calleja, F. Perez-Murano, Appl. Phys. Lett. 1998, 72, 2295.
22. S. Gomez-Monivas, J. J. Saenz, M. Calleja, R. Garcia, Phys. Rev. Lett. 2003, 91, 056101.
23. J. A. Dagata, T. Inoue, J. Itoh, K. Matsumoto, H. Yokoyama, J. Appl. Phys. 1998, 84, 6891.
24. J. A. Dagata, F. Perez-Murano, G. Abadal, K. Morimoto, T. Inoue, J. Itoh, H. Yokoyama, Appl. Phys. Lett. 2000, 76, 2710.
25. D. H. Kim, J. Y. Koo, J. J. Kim, Phys. Rev. B 2003, 68, 113406.
26. A. J. M. Giesbers, U. Zeitler, S. Neubeck, F. Freitag, K. S. Novoselov, J. C. Maan, Solid State Commun. 2008, 147, 366.
27. S. Masubuchi, M. Ono, K. Yoshida, K. Hirakawa, T. Machida, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 082107.
28. L. S. Weng, L. Y. Zhang, Y. P. Chen, L. P. Rokhinson, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 093107.
29. G. Rius, N. Camara, P. Godignon, F. Perez-Murano, N. Mestres, J. Vac. Sci. Technol., B 2009, 27, 3149.
30. Y. Jiang, W. L. Guo, Nanotechnology 2008, 19, 345302.
31. J. G. Park, C. Zhang, R. Liang, B. Wang, Nanotechnology 2007, 18, 405306.
32. Z. Q. Wei, D. B. Wang, S. Kim, S. Y. Kim, Y. K. Hu, M. K. Yakes, A. R. Laracuente, Z. T. Dai, S. R. Marder, C. Berger, W. P. King, W. A. de Heer, P. E. Sheehan, E. Riedo, Science 2010, 328, 1373.
33. E. T. Foley, N. L. Yoder, N. P. Guisinger, M. C. Hersam, Rev. Sci. Instrum. 2004, 75, 5280.
34. C. R. Kinser, M. J. Schmitz, M. C. Hersam, Adv. Mater. 2006, 18, 1377.
35. J. A. Kellar, J. M. P. Alaboson, Q. H. Wang, M. C. Hersam, Appl. Phys. Lett. 2010, 96, 143103.
36. S. Ryu, M. Y. Han, J. Maultzsch, T. F. Heinz, P. Kim, M. L. Steigerwald, L. E. Brus, Nano Lett. 2008, 8, 4597.
37. L. Liu, S. M. Ryu, M. R. Tomasik, E. Stolyarova, N. Jung, M. S. Hybertsen, M. L. Steigerwald, L. E. Brus, G. W. Flynn, Nano Lett. 2008, 8, 1965.
38. J. Hass, J. E. Millan-Otoya, P. N. First, E. H. Conrad, Phys. Rev. B 2008, 78, 205424.
39. W. W. Cai, R. D. Piner, F. J. Stadermann, S. Park, M. A. Shaibat, Y. Ishii, D. X. Yang, A. Velamakanni, S. J. An, M. Stoller, J. H. An, D. M. Chen, R. S. Ruoff, Science 2008, 321, 1815.
40. W. S. Hummers, R. E. Offeman, J. Am. Chem. Soc. 1958, 80, 1339.
41. T. Nakajima, A. Mabuchi, R. Hagiwara, Carbon 1988, 26, 357.
42. T. Nakajima, Y. Matsuo, Carbon 1994, 32, 469.
43. C. Raynaud, Non-Cryst. Solids 2001, 280, 1.
44. I. Vickridge, J. Ganem, Y. Hoshino, I. Trimaille, J. Phys D: Appl. Phys. 2007, 40, 6254.
45. M. W. Such, D. E. Kramer, M. C. Hersam, Ultramicroscopy 2004, 99, 189.