Band gap tunability in semiconductor nanocrystals by strain: Size and temperature effect

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 14, 2011, Pages 6462-6466

  Zhu, Ziming ^a   Zhang, Ai ^a   Ouyang, Gang ^a,b   Yang, Guowei ^c  

^a HUNAN NORMAL UNIVERSITY   (China)

^b NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY   (Singapore)

^c SUN YAT SEN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND GAPS; BAND OFFSETS; BOND ENERGIES; ELECTRONIC BAND GAPS; EXPERIMENTAL OBSERVATION; LATTICE STRAIN; SELF-EQUILIBRIUM; SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS; TEMPERATURE EFFECTS; THEORETICAL MODELS; THEORETICAL PREDICTION; TUNABILITIES;

BOND LENGTH; ENERGY GAP; NANOCRYSTALS; OPTICAL PROPERTIES;

STRAIN;

EID: 79953731168     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp2009644     Document Type: Article

References (48)

1. Smith, A. M.; Nie, S. M. Acc. Chem. Res. 2010, 43, 190-200
2. Smith, A. M.; Mohs, A. M.; Nie, S. M. Nat. Nanotechnol. 2009, 4, 56-63
3. He, Y.; Liu, J. F.; Chen, W.; Wang, Y.; Wang, H.; Zeng, Y. W.; Zhang, G. Q.; Wang, L. N.; Liu, J.; Hu, T. D.; Hahn, H.; Gleiter, H.; Jiang, J. Z. Phys. Rev. B 2005, 72, 212102
4. Ouyang, G.; Zhu, W. G.; Sun, C. Q.; Zhu, Z. M.; Liao, S. Z. Phys. Chem. Chem. Phys. 2010, 12, 1543-1549
5. Ouyang, G.; Wang, C. X.; Yang, G. W. Chem. Rev. 2009, 109, 4221-4247
6. Ouyang, G.; Liang, L. H.; Wang, C. X.; Yang, G. W. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 091914
7. Sun, C. Q. Prog. Solid State Chem. 2007, 35, 1-159
8. Sun, C. Q. Prog. Mater. Sci. 2009, 54, 179-307
9. Ouyang, G.; Sun, C. Q.; Zhu, W. G. J. Phys. Chem. C 2009, 113, 9516-9519
10. Ma, D. D. D.; Lee, C. S.; Au, F. C. K.; Tong, S. Y.; Lee, S. T. Science 2003, 1874, 1874-1877
11. Karaiskaj, D.; Engtrakul, C.; McDonald, T.; Heben, M. J.; Mascarenhas, A. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 106805
12. Ouyang, G.; Li, X. L.; Tan, X.; Yang, G. W. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 031904
13. Shirahata, N.; Hasegawa, T.; Sakka, Y.; Tsuruoka, T. Small 2010, 8, 915-921
14. Gan, C. L.; Xiao, M.; Battaglia, D.; Pradhan, N.; Peng, X. G. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 201103
15. Lizandara-Pueyo, C.; Siroky, S.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A.; Reparaz, J. S.; Lehmann, M.; Polarz, S. Adv. Funct. Mater. 2011, 21, 295
16. Bazhanov, D. I.; Mutigullin, I. V.; Knizhnik, A. A.; Potapkin, B. V.; Bagaturyants, A. A.; Fonseca, L. R. C.; Stoker, M. W. J. Appl. Phys. 2010, 107, 083521
17. Yang, S. Y.; David, P.; Jeffrey, B. N. Nano Lett. 2010, 10, 3156-3162
18. Zhu, Z. M.; Ouyang, G.; Yang, G. W. J. Appl. Phys. 2010, 108, 083511
19. O'Donnell, K. P.; Chen, X. Appl. Phys. Lett. 1991, 58, 2924-2926
20. Xiang, B.; Zhang, H. Z.; Li, G. H.; Yang, F. H.; Su, F. H.; Wang, R. M.; Xu, J.; Lu, G. W.; Sun, X. C.; Zhao, Q.; Yu, D. P. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 3330-3332
21. Pejova, B.; Abay, B.; Bineva, I. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 15280-15291
22. Li, J. B.; Li, G. H.; Xia, J. B.; Zhang, J. B.; Li, Y.; Xiao, X. R. J. Phys.: Condens. Matter 2001, 13, 2033-2043
23. Zhang, L.; Cheng, K.; Degroote, S.; Leys, M.; Germain, M.; Borghs, G. J. Appl. Phys. 2010, 108, 073522
24. Panish, M. B.; Casey, H. C. J. Appl. Phys. 1969, 40, 163-167
25. Bludau, W.; Onton, A.; Heinke, W. J. Appl. Phys. 1974, 45, 1846-1848
26. Clark, C. D.; Dean, P. J.; Harris, P. V. Proc. R. Soc. London, Ser. A 1964, 277, 312-329
27. Varshni, Y. P. Physica 1967, 34, 149-154
28. Logothetidis, S.; Cardona, M.; Lautenschlager, P.; Garriga, M. Phys. Rev. B 1986, 34, 2458-2469
29. Lee, S. W.; Ha, J.; Lee, H. J.; Lee, H. J.; Goto, H.; Hanada, T.; Goto, T.; Fujii, K.; Cho, M. W.; Yao, T. J. Phys. D: Appl. Phys. 2010, 43, 175101
30. Lautenschlager, P.; Allen, P. B.; Cardona, M. Phys. Rev. B 1985, 31, 2163-2171
31. Lautenschlager, P.; Allen, P. B.; Cardona, M. Phys. Rev. B 1986, 33, 5501-5511
32. Gu, M. X.; Zhou, Y. C.; Sun, C. Q. J. Phys. Chem. C 2008, 112, 7992-7995
33. Ouyang, G.; Zhu, Z. M.; Zhu, W. G.; Sun, C. Q. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 1805-1808
34. Yang, C. C.; Xiao, M. X.; Li, W.; Jiang, Q. Solid State Commun. 2006, 139, 148-152
35. Lindemann, F. A. Z. Phys. 1910, 11, 609
36. Mott, N. F. Proc.R. Soc. London, Ser. A 1934, 146, 465
37. Zhao, Y. H.; Lu, K. Phys. Rev. B 1997, 56, 14330-14337
38. Lee, J. G.; Mori, H. Eur. Phys. J. D 2005, 34, 227-230
39. Sinnott, M. J. The Solid State For Engineers; Wiley & Sons: New York, 1963.
40. Devika, M.; Koteeswara Reddy, N.; Patolsky, F.; Ramesh, K.; Gunasekhar, K. R. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 261907
41. Franceschetti, A. Phys. Rev. B 2007, 76, 161301
42. Kwak, K. W.; King-Smith, R. D.; Vanderbilt, D. Phys. Rev. B 1993, 48, 17827-17834
43. Smith, C. A.; Lee, H. W. H.; Leppert, V. J.; Risbud, S. H. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1688
44. Physical and chemical properties of semiconductors; Novoselova, A. B., Ed.; Moscow, 1978.
45. Touloukian, Y. S.; Kirby, R. K.; Taylor, R. E.; Lee, T. Y. R. Thermal Expansion; New York, 1977; Vol. 1.
46. Smith, T. F.; White, G. K. J. Phys. C 1975, 8, 2031-2042
47. Key, L.; Pollak, P. A.; Mcfeely, F. R.; Kowalczyk, S. P.; Shirley, D. A. Phys. Rev. B 1974, 9, 600-621
48. Available from http://www.webelements.com.