Critical role of dopant location for P-doped Si nanocrystals

Journal of Physical Chemistry C

Volumn 115, Issue 3, 2011, Pages 661-666

  Chen, Xiaobo ^a   Pi, Xiaodong ^a   Yang, Deren ^a  

^a ZHEJIANG UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

FIRST-PRINCIPLES CALCULATION; INDUCED DEFECTS; P-DOPING; SI NANOCRYSTAL; SILICON NANOCRYSTALS;

ABSORPTION; DOPING (ADDITIVES); INFRARED ABSORPTION; LIGHT EMISSION; NANOCRYSTALS; OPTICAL PROPERTIES; PHOSPHORUS;

SILICON;

EID: 78751650874     PISSN: 19327447     EISSN: 19327455     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/jp1102934     Document Type: Article

References (36)

1. Norris, D. J.; Efros, A. L.; Erwin, S. C. Science 2008, 319, 1776
2. Hao, X. J.; Cho, E.-C.; Flynn, C.; Shen, Y. S.; Conibeer, G.; Green, M. A. Nanotechnology 2008, 19, 424019
3. Perez-Wurfl, I.; Hao, X. J.; Gentle, A.; Kim, D. H.; Conibeer, G.; Green, M. A. Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 153506
4. Fujii, M.; Mimura, A.; Hayashi, S.; Yamamoto, K. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 184
5. Fujio, K.; Fujii, M.; Sumida, K.; Hayashi, S.; Fujisawa, M.; Ohta, H. Appl. Phys. Lett. 2008, 93 021920
6. Fujii, M.; Yamaguchi, Y.; Takase, Y.; Ninomiya, K.; Hayashi, S. Appl. Phys. Lett. 2004, 85, 1158
7. Imakita, K.; Ito, M.; Fujii, M.; Hayashi, S. Opt. Express 2009, 17, 7368
8. Lechner, R.; Wiggers, H.; Ebbers, A.; Steiger, J.; Brandt, M. S.; Stutzmann, M. Phys. Status Solidi-Rapid Res. Lett. 2007, 1, 262
9. Stegner, A. R.; Pereira, R. N.; Klein, K.; Lechner, R.; Dietmueller, R.; Brandt, M. S.; Stutzmann, M.; Wiggers, H. Phys. Rev. Lett. 2008, 100 026803
10. Mimura, A.; Fujii, M.; Hayashi, S.; Kovalev, D.; Koch, F. Phys. Rev. B 2000, 62, 12625
11. Pi, X. D.; Gresback, R.; Liptak, R. W.; Campbell, S. A.; Kortshagen, U. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 123102
12. Perego, M.; Bonafos, C.; Fanciulli, M. Nanotechnology 2010, 21 025602
13. Simons, A. J.; Cox, T. I.; Uren, M. J.; Calcott, P. D. J. Thin Solid Films 1995, 255, 12
14. Lechner, R.; Stegner, A. R.; Pereira, R. N.; Dietmueller, R.; Brandt, M. S.; Ebbers, A.; Trocha, M.; Wiggers, H.; Stutzmann, M. J. Appl. Phys. 2008, 104 053701
15. Melnikov, D. V.; Chelikowsky, J. R. Phys. Rev. Lett. 2004, 92 046802
16. Chan, T. L.; Tiago, M. L.; Kaxiras, E.; Chelikowsky, J. R. Nano Lett. 2007, 8, 596
17. Cantele, G.; Degoli, E.; Luppi, E.; Magri, R.; Ninno, D.; Iadonisi, G.; Ossicini, S. Phys. Rev. B 2005, 72, 113303
18. Allan, G.; Delerue, C.; Lannoo, M.; Martin, E. Phys. Rev. B 1995, 52, 11982
19. Zhou, Z.; Steigerwald, M. L.; Friesner, R. A.; Brus, L. Phys. Rev. B 2005, 71, 245308
20. Schmid, P. E. Phys. Rev. B 1981, 23, 5531
21. Fujii, M.; Mimura, A.; Hayashi, S.; Yamamoto, Y.; Murakami, K. Phys. Rev. Lett. 2002, 89, 206805
22. Fernandez-Serra, M. V.; Adessi, C.; Blase, X. Phys. Rev. Lett. 2006, 96, 166805
23. Peelaers, H.; Partoens, B.; Peeters, F. M. Nano Lett. 2006, 6, 2781
24. Stegner, A. R.; Pereira, R. N.; Lechner, R.; Klein, K.; Wiggers, H.; Stutzmann, M.; Brandt, M. S. Phys. Rev. B 2009, 80, 165326
25. Pi, X. D.; Mangolini, L.; Campbell, S. A.; Kortshagen, U. Phys. Rev. B 2007, 75 085423
26. Mangolini, L.; Kortshagen, U. Adv. Mater. 2007, 19, 2513
27. Belyakov, V. A.; Burdov, V. A. Phys. Rev. B 2009, 79 035302
28. Oliveira, E. L. d.; Albuquerque, E. L.; Sousa, J. S. d.; Farias, G. A. Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 103114
29. Chen, X.; Pi, X. D.; Yang, D. J. Phys. Chem. C 2010, 114, 8774
30. Delerue, C.; Allan, G.; Lannoo, M. Phys. Rev. B 1993, 48, 11024
31. Delerue, C.; Allan, G.; Lannoo, M. Phys. Rev. B 2001, 64, 193402
32. Hybertsen, M. S. Phys. Rev. Lett. 1994, 72, 1514
33. Kovalev, D.; Heckler, H.; Ben-Chorin, M.; Polisski, G.; Schwartzkopff, M.; Koch, F. Phys. Rev. Lett. 1998, 81, 2803
34. Mortimer, R. G. Physical chemistry, 3rd ed.; Elsevier Academic Press: New York, 2008.
35. Hilborn, R. C. Am. J. Phys. 1982, 50, 982
36. Qin, G. G.; Ran, G. Z.; Sun, K.; Xu, H. J. J. Nanosci. Nanotechnol. 2010, 10, 1584