Spin injection from epitaxial Fe3O4 films to ZnO films

Journal of Applied Physics

Volumn 109, Issue 1, 2011, Pages

  Li, P ^a   Guo, B L ^a   Baia, H L ^a  

^a TIANJIN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DC SPUTTERING; EPITAXIAL RELATIONSHIPS; HETEROSTRUCTURES; I - V CURVE; ON CURRENTS; RECTIFYING PROPERTIES; RF-SPUTTERING; SCHOTTKY BARRIERS; SPIN INJECTION; THERMAL EMISSIONS; TRANSPORT MECHANISM; ZNO; ZNO FILMS;

CRYSTALS; DISTILLATION; ELECTRIC RESISTANCE; EPITAXIAL GROWTH; MAGNETIC FIELD EFFECTS; MAGNETORESISTANCE; SCHOTTKY BARRIER DIODES; SPIN DYNAMICS;

ZINC OXIDE;

EID: 78751504595     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3528202     Document Type: Article

References (22)

1. P. R. Hammar, B. R. Bennett, M. J. Yang, and M. Johnson, Phys. Rev. Lett. 83, 203 (1999).
2. G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and B. J. van Wees, Phys. Rev. B 62, R4790 (2000).
3. A. Fert and H. Jaffrès, Phys. Rev. B 64, 184420 (2001).
4. E. I. Rashba, Phys. Rev. B 62, R16267 (2000).
5. J. D. Albrecht and D. L. Smith, Phys. Rev. B 66, 113303 (2002).
6. L. B. Zhao, W. B. Mi, E. Y. Jiang, and H. L. Bai, Appl. Phys. Lett. 91, 052113 (2007).
7. C. Boothman, A. M. Sanchez, and S. V. Dijken, J. Appl. Phys. 101, 123903 (2007).
8. M. Ziese, U. Kohler, A. Bollero, R. Hohne, and P. Esquinazi, Phys. Rev. B 71, 180406(R) (2005).
9. U. Kohler, M. Ziese, A. Bollero, R. Hohne, and P. Esquinazi, J. Magn. Magn. Mater. 272-276, E1437 (2004).
10. Y. Z. Chen, J. R. Sun, Y. W. Xie, D. J. Wang, W. M. Lu, S. Liang, and B. G. Shen, Appl. Phys. Lett. 90, 143508 (2007).
11. S. M. Watts, K. Nakajima, S. V. Dijken, and J. M. D. Coey, J. Appl. Phys. 95, 7465 (2004).
12. S. M. Watts, C. Boothman, S. V. Dijken, and J. M. D. Coey, Appl. Phys. Lett. 86, 212108 (2005).
13. H. Ohta, K. Kawamura, M. Orita, M. Hirano, N. Sarukura, and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 77, 475 (2000).
14. D. Hwang, S. H. Kang, J. H. Lim, E. J. Yang, J. Y. Oh, J. H. Yang, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 86, 222101 (2005).
15. O. Bamiduro, H. Mustafa, R. Mundle, R. B. Konda, and A. K. Pradhan, Appl. Phys. Lett. 90, 252108 (2007).
16. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 287, 1019 (2000).
17. A. Nielsen, A. Brandlmaier, M. Althammer, W. Kaiser, M. Opel, J. Simon, W. Mader, S. T. B. Goennenwein, and R. Gross, Appl. Phys. Lett. 93, 162510 (2008).
18. U. Özgür, Y. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dogan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 98, 041301 (2005).
19. P. Li, L. T. Zhang, W. B. Mi, E. Y. Jiang, and H. L. Bai, J. Appl. Phys. 106, 033908 (2009).
20. J. A. Aranovich, D. G. Golmayo, A. L. Fahrenbruch, and R. H. Bube, J. Appl. Phys. 51, 4260 (1980).
21. M. Fonin, R. Pentcheva, Yu. S. Dedkov, M. Sperlich, D. V. Vyalikh, M. Scheffler, U. Rudiger, and G. Guntherodt, Phys. Rev. B 72, 104436 (2005).
22. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), p. 258.