30-mW-class high-power and high-efficiency blue semipolar (101̄1̄) InGaN/GaN light-emitting diodes obtained by backside roughening technique

Applied Physics Express

Volumn 3, Issue 10, 2010, Pages

  Zhao, Yuji ^a   Sonoda, Junichi ^a   Pan, Chih Chien ^a   Brinkley, Stuart ^a   Koslow, Ingrid ^a   Fujito, Kenji ^b   Ohta, Hiroaki ^a   DenBaars, Steven P ^a   Nakamura, Shuji ^a  

^a University of California   (United States)

^b MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION   (Japan)

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BLUE LEDS; BLUE LIGHT-EMITTING; CHIP PROCESSING; DRIVING CURRENT; EXTERNAL QUANTUM EFFICIENCY; GAN SUBSTRATE; HIGH EFFICIENCY; HIGH-POWER; INGAN/GAN; LIGHT-EXTRACTION EFFICIENCY; MATERIAL PROPERTY; MICRO-SCALES; OUTPUT POWER; SEMIPOLAR;

EXTRACTION; GALLIUM ALLOYS; GALLIUM NITRIDE; LIGHT EMISSION;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 78549255552     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.3.102101     Document Type: Article

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