Droplet epitaxy of InN quantum dots on Si(111) by RF plasma-assisted molecular beam epitaxy

Advanced Science Letters

Volumn 3, Issue 4, 2010, Pages 379-384

  Kumar, Mahesh ^a,b   Roul, Basanta ^a,b   Bhat, Thirumaleshwara N ^a   Rajpalke, Mohana K ^a   Sinha, Neeraj ^c   Kalghatgi, A T ^b   Krupanidhi, S B ^a  

^a INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE   (India)

^b BHARAT ELECTRONICS LIMITED   (India)

^c Office of Principal Scientific Advisor   (India)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 77957596943     PISSN: 19366612     EISSN: 19367317     Source Type: Journal    
DOI: 10.1166/asl.2010.1163     Document Type: Article

References (27)

1. J. Wu, W. Walukiewicz, K. M. Yu, J. W. Ager, III, E. E. Haller, H. Lu, W. J. Schaff, Y. Saito, and Y. Nanishi, Appl. Phys. Lett. 80, 3967 (2002).
2. T. Matsuoka, H. Okamoto, M. Nakao, H. Harima, and E. Kurimoto, Appl. Phys. Lett. 81, 1246 (2002).
3. S. N. Mohammad and H. Morkoc, Prog. Quantum Electron. 20, 361 (1996).
4. E. Bellotti, B. F. Brennan, J. D. Albrecht, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 85, 916 (1999).
5. S. K. O'Leary, B. E. Foutz, M. S. Shur, U. V. Bhapkar, and L. F. Eastman, J. Appl. Phys. 83, 826 (1997).
6. B. Daudin, F. Widmann, G. Feuillet, Y. Samson, M. Arlery, and J. L. Rouviere, Phys. Rev. B 56, R7069 (1997).
7. C. Adelmann, N. Gogneau, E. Sarigiannidou, J. L. Rouviere, and B. Daudin, Appl. Phys. Lett. 81, 3064 (2002).
8. N. Koguchi and K. Ishige, Jpn. J. Appl. Phys. 32, 2052 (1993).
9. C. W. Hu, A. Bell, F. A. Ponce, D. J. Smith, and I. S. T. Tsong, Appl. Phys. Lett. 81, 3236 (2002).
10. B. Chitara1, D. S. Ivan Jebakumar, C. N. R. Rao, and S. B. Krupanidhi, Nanotechnology 20, 405205 (2009).
11. K. Kawasaki, D. Yamazaki, A. Kinoshita, H. Hirayama, K. Tsutsui, and Y. Aoyagi, Appl. Phys. Lett. 79, 2243 (2001).
12. T. Maruyama, H. Otsubo, T. Kondo, Y. Yamamotob, and S. Naritsuka, J. Cryst. Growth 301/302, 486 (2007).
13. J. H. Lee, Z. M. Wang, N. Y. Kim, and G. J. Salamo, Nanotechnology 20, 285602 (2009).
14. C. L. Wu, L. J. Chou, and S. Gwo, Appl. Phys. Lett. 85, 2071 (2004).
15. Y. Lee, E. Ahn, J. Kim, P. Moon, C. Yang, and E. Yoon, Appl. Phys. Lett. 90, 033105 (2007).
16. E. A. Stinaff, M. Scheibner, A. S. Bracker, I. V. Ponomarev, V. L. Korenev, M. E. Ware, M. F. Doty, T. L. Reinecke, and D Gammon, Science 311, 636 (2006).
17. Z. M. Wang, J. H. Lee, B. L. Liang, W. T. Black, P. K. Vas, Y. I. Mazur, and G. J. Salamo, Appl. Phys. Lett. 88, 233102 (2006).
18. J. H. Lee, Z. M. Wang, Z. Y. Abuwaar, N. W. Strom, and G. J. Salamo, Nanotechnology 17, 3973 (2006).
19. Y. Lu, L. Ma, and M. C. Lin, J. Vac. Sci. Technol. A 11, 2931 (1993).
20. H. Parala, A. Devi, F. Hipler, E. Maile, A. Birkner, H. W. Becker, and R. A. Fischer, J. Cryst. Growth 231, 68 (2001).
21. F. M. Amanullah, K. J. Pratap, and V. Hari Babu, Mater. Sci. Eng. B 52, 93 (1998).
22. T. J. Ghuang, C. R. Brundle, and D. W. Rice. Surf. Sci. 59, 413 (1979).
23. V. Craciun, J. M. Howard, D. Craciun, and R. K. Singh, Appl. Surface Sci. 2008-2009, 507 (2003).
24. Y. C. Pan, W. H. Lee, C. K. Shu, H. C. Lin, C. I. Chiang, H. Chang, D. S. Lin, M. C. Lee, and W. K. Chen, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 645 (1999).
25. S. J. Patil, D. S. Bodas, A. B. Mandale, and S. A. Gangal, Thin Solid Films 52, 444 (2003).
26. L. Brusaferri, S. Sanguinetti, E. Grilli, M. Guzzi, A. Bignazzi, F. Bogani, L. Carraresi, M. Colocci, A. Bosacchi, P. Frigeri, and S. Franchi, Appl. Phys. Lett. 69, 3354 (1996).
27. M. C. Johnson, C. J. Lee, and E. D. Bourret-Courchesne, Appl. Phys. Lett. 85, 5670 (2004).