Supersensitive, fast-response nanowire sensors by using schottky contacts

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 30, 2010, Pages 3327-3332

  Hu, Youfan ^a   Zhou, Jun ^a   Yeh, Ping Hung ^a   Li, Zhou ^a   Wei, Te Yu ^a   Wang, Zhong Lin ^a  

^a Georgia Institute of Technology   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER HEIGHTS; BARRIER WIDTHS; FAST RESPONSE; GAS SENSORS; METAL ELECTRODES; METAL-SEMICONDUCTOR CONTACTS; NANO-DEVICES; NANOWIRE SENSORS; ORDERS OF MAGNITUDE; SCHOTTKY BARRIERS; SCHOTTKY CONTACTS; UV SENSOR;

BIOSENSORS; NANOWIRES; SCHOTTKY BARRIER DIODES;

NANOSENSORS;

NANOWIRE; ZINC OXIDE;

ARTICLE; BIOTECHNOLOGY; CHEMISTRY; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODE; INSTRUMENTATION; METHODOLOGY; OPTICS; SEMICONDUCTOR; SENSITIVITY AND SPECIFICITY; TIME;

BIOTECHNOLOGY; ELECTROCHEMISTRY; ELECTRODES; NANOWIRES; OPTICS AND PHOTONICS; SEMICONDUCTORS; SENSITIVITY AND SPECIFICITY; TIME FACTORS; ZINC OXIDE;

EID: 77955406893     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.201000278     Document Type: Article

References (30)

1. G. F. Zheng, F. Patolsky, Y. Cui, W. U. Wang, C. M. Lieber, Nat. Blotechnol. 2005, 23, 1294.
2. M. Curreli, C. Li, Y. Sun, B. Lei, M. A. Gundersen, M. E. Thompson, C. Zhou, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 6922.
3. Z. Fan, J. G. Lu, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 123510.
4. F. Patolsky, C. M. Lieber, Mater. Today 2005, 8, 20.
5. J. H. He, Y. Y. Zhang, J. Liu, D. Moore, G. Bao, Z. L. Wang, J. Phys. Chem. C 2007, 111, 12152.
6. R. J. Chen, H. C. Choi, S. Bangsaruntip, E. Yenilmez, X. Tang, Q. Wang, Y. L. Chang, H. Dai, J. Am. Chem. Soc. 2004, 126, 1563.
7. A. B. Artyukhin, M. Stadermann, R. W. Friddle, P. Stroeve, O. Bakajin, A. Noy, Nano Lett. 2006, 6, 2080.
8. X. Tang, S. Bansaruntip, N. Nakayama, E. Yenilmez, Y. L. Chang, Q. Wang, Nano Lett. 2006, 6, 1632.
9. E. L. Gui, L. J. Li, K. Zhang, Y. Xu, X. Dong, X. Ho, P. S. Lee, J. Kasim, Z. X. Shen, J. A. Rogers, S. G. Mhaisalkar, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 14427.
10. I. Heller, A. M. Janssens, J. Männik, E. D. Minot, S. G. Lemay, C. Dekker, Nono Lett. 2008, 8, 591.
11. J. Zhou, Y. D. Gu, Y. F. Hu, W. J. Mai, P.-H. Yeh, G. Bao, A. K. Sood, D. L. Polla, Z. L. Wang, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 191103.
12. P.-H. Yeh, Z. Li, Z. L. Wang, Adv. Mater. 2009, 21, 4975.
13. T.-Y. Wei, P.-H. Yeh, S.-Y. Lu, Z. L. Wang, J. Am. Chem. Soc. 2009, 131, 17 690.
14. S. M. Sze, Physics of Semicondudor DevicesWiley, New York, NY 1981.
15. Z. W. Pan, Z. R. Dai, Z. L. Wang, Science 2001, 291, 1947.
16. H. Kind, H. Q. Yan, B. Messer, M. Law, P. D. Yang, Adv. Mater. 2002, 14, 158.
17. C. Soci, A. Zhang, B. Xiang, S. A. Dayeh, D. P. R. Aplin, J. Park, X. Y. Bao, Y. H. Lo, D. Wang, Nano Lett. 2007, 7, 1003.
18. Y. Z. Jin, J. P. Wang, B. Q. Sun, J. C. Blakesley, N. C. Greenham, Nano Lett. 2008, 8, 1649.
19. M. H. Huang, S. Mao, H. Feick, H. Q. Yan, Y. Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. D. Yang, Science 2001, 292, 1897.
20. R. X. Yan, D. Gargas, P. D. Yang, Nat. Photonics 2009, 3, 569.
21. Y. Ryu, T. S. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. J. Kim, Y. S. Park, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 241108.
22. L. Luo, Y. F. Zhang, S. S. Mao, L. W. Lin, Sens. Actuators A 2006, 127, 201.
23. C. S. Lao, M. C. Park, Q. Kuang, Y. Deng, A. K. Sood, D. L. Polla, Z. L Wang, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12096.
24. R. S. Aga, D. Jowhar, A. Ueda, Z. Pan, W. E. Collins, R. Wu, K. D. Singer, J. Shen, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 232108.
25. S. E. Ahn, H. J. Ji, K. Kim, G. T. Kim, C. H. Bae, S. M. Park, Y. K. Kim, J. S. Ha, Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 153106.
26. Y. B. Li, F. D. Valle, M. Simonnet, I. Yamada, J. J. Delaunay, Appl. Phys. Lett. 2009, 94, 023110.
27. K. Maehashi, T. Katsura, K. Kerman, Y. Takamura, K. Matsumoto, E. Tamiya, Anal. Chem. 2007, 79, 782.
28. J. H. He, C. H. Ho, C. Y. Chen, Nanotechnology 2009, 20, 065503.
29. Y. Wang, G. Du, H. Liu, D. Liu, S. Qin, N. Wang, C. Hu, X. Tao, J. Jiao, J. Wang, Z. L. Wang, Adv. Funct. Mater. 2008, 18, 1131.
30. M. W. Ahn, K. S. Park, J. H. Heo, J. G. Park, D. W. Kim, K. J. Choi, J. H. Lee, S. H. Hong, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 263103.