Stable switching characteristics of organic nonvolatile memory on a bent flexible substrate

Advanced Materials

Volumn 22, Issue 28, 2010, Pages 3071-3075

  Ji, Yongsung ^a   Cho, Byungjin ^a   Song, Sunghoon ^a   Kim, Tae Wook ^a,b   Choe, Minhyeok ^a   Kahng, Yung Ho ^a   Lee, Takhee ^a  

^a Gwangju Institute of Science and Technology (GIST)   (South Korea)

^b University of Washington   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BENDING STRESS; FLEXIBLE SUBSTRATE; MEMORY DEVICE; MEMORY PERFORMANCE; ORGANIC NON-VOLATILE MEMORY DEVICES; ORGANIC NONVOLATILE MEMORIES; REWRITABLE; SWITCHING CHARACTERISTICS;

NONVOLATILE STORAGE; SUBSTRATES;

FLEXIBLE ELECTRONICS;

(6,6) PHENYL C61 BUTYRIC ACID METHYL ESTER; (6,6)-PHENYL C61-BUTYRIC ACID METHYL ESTER; FULLERENE DERIVATIVE; IMIDE; ORGANIC COMPOUND;

ARTICLE; CHEMISTRY; DATA STORAGE DEVICE; ELECTRICAL EQUIPMENT; VOLATILIZATION;

COMPUTER STORAGE DEVICES; ELECTRICAL EQUIPMENT AND SUPPLIES; FULLERENES; IMIDES; ORGANIC CHEMICALS; VOLATILIZATION;

EID: 77955382166     PISSN: 09359648     EISSN: 15214095     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adma.200904441     Document Type: Article

References (40)

1. J. Y. Kim, K. Lee, N. E. Coates, D. Moses, T.-Q. Nguyen, M. Dante, A. J. Heeger, Science 2007, 317, 222.
2. S.-I. Na, S.-S. Kim, J. Jo, D.-Y. Kim, Adv. Mater. 2008, 20, 4061.
3. S. H. Park, Y. Jin, J. Y. Kim, S. H. Kim, J. Kim, H. Suh, K. Lee, Adv. Funct. Mater. 2007, 17, 3063.
4. T. -W. Lee, Y. Byun, B.-W. Koo, I.-N. Kang, Y.-Y. Lyu, C. H. Lee, L. Pu, S. Y. Lee, Adv. Mater. 2005, 17, 2180.
5. P. Peumans, S. Uchida, S. R. Forrest, Nature 2003, 425, 158.
6. S. Reineke, F. Lindner, G. Schwartz, N. Seidler, K. Walzer, B. Lüssem, K. Leo, Nature 2009, 459, 234.
7. H. Yan, Z. Chen, Y. Zheng, C. Newman, J. R. Quinn, F. Dötz, M. Kastler, A. Facchetti, Nature 2009, 457, 679.
8. R. J. Tseng, J. Huang, J. Ouyang, R. B. Kaner, Y. Yang, Nono Lett. 2005, 5, 1077.
9. S. J. Kang, I. Bae, Y. J. Park, T. H. Park, J. Sung, S. C. Yoon, K. H. Kim, D. H. Choi, C. Park, Adv. Funct. Mater. 2009, 19, 1609.
10. J.-R. Chen, H.-T. Lin, G.-W. Hwang, Y.-J. Chan, P.-W. Li, Nanotechnology 2009, 20, 255706.
11. M.-F. Chang, P.-T. Lee, S. P. McAlister, A. Chin, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 233302.
12. C.-M. Huang, Y.-S. Liu, C.-C. Chen, K.-H. Wei, J.-T. Sheu, Appl. Phys. Lett. 2008, 93, 203303.
13. R. C. G. Naber, K. Asadi, P. W. M. Blom, D. M. de Leeuw, B. de Boer, Adv. Mater. 2010, 22, 933.
14. T. Sekitani, K. Zaitsu, Y., Noguchi, K. Ishibe, M. Takamiya, T. Sakurai, T. Someya, IEEE Trans. Electron. Dev. 2009, 56, 1027.
15. T. Sekitani, T. Yokota, U. Zschieschang, H. Klauk, S. Bauer, K.Takeuchi, M. Takamiya, T. Sakurai, T. Someya, Science 2009, 326, 1516.
16. T.-W. Kim, H. Choi, S.-H. Oh, G. Wang, D.-Y. Kim, H. Hwang, T. Lee, Adv. Mater. 2009, 21, 2497.
17. B. Cho, T.-W. Kim, S. Song, Y. Ji, M. Jo, H. Hwang, G.-Y. Jung, T. Lee, Adv. Mater. 2010, 22, 1228.
18. Q.-D. Ling, D.-J. Liaw, C. Zhu, D. S.-H. Chan, E.-T. Kang, K.-G. Neoh, Prog. Polym. Sci 2008, 33, 917.
19. V. C. Tung, L.-M. Chen, M. J. Allen, J. K. Wassei, K. Nelson, R. B. Kaner, Y. Yang, Nano Lett. 2009, 9, 1949.
20. M. Zirkl, A. Haase, A. Fian, H. Schön, C. Sommer, G. Jakopic, G. Leising, B. Stadiober, I. Graz, N. Gaar, R. Schwödiauer, S. B.-Gogonea, S. Bauer, Adv. Mater. 2007, 19, 2241.
21. R. Koeppe, P. Bartu, S. Bauer, N. S. Sariciftci, Adv. Mater. 2009, 21, 3510.
22. J. Li, L Hu, L. Wang, Y. Zhou, G. Grüner, T. J. Marks, Nano Lett. 2006, 6, 2472.
23. J.-S. Park, T.-W. Kim, D. Stryakhilev, J.-S. Lee, S.-G. An, Y.-S. Pyo, D.-B. Lee, Y. G. Mo, D.-U. Jin, H. K. Chung, Appl. Phys. Lett. 2009, 95, 013503.
24. H.-T. Lin, Z. Pei, J.-R. Chen, C.-P. Kung, Y.-C. Lin, C.-M. Tseng, Y.-J. Chan, IEEE Int. Eletron. Devices Meet. Tech. Dig. 2007, DOI: 10.1109/IEDM.2007.4418910.
25. L. Li, Q,-D. Ling, S.-L. Lim, Y.-P. Tan, C. Zhu, D. S. H. Chan, E.-T. Kang, K.-G. Neoh, Org. Electron. 2007, 8, 401.
26. D.-I. Son, J.-H. Kim, D.-H. Park, W. K. Choi, F. Li, J. H. Ham, T. W. Kim, Nanotechnology 2008, 19, 055204.
27. A. Mercanzini, P. Colin, J.-C. Bensadoun, A. Bertsch, P. Renaud, IEEE Trans. Biomedical Eng. 2009, DOI: 10.1109/TBME.2009.2018457
28. G. S. Chang, K. H. Chae, C. N. Whang, E. Z. Kurmaev, D. A. Zatsepin, R. P. Winarski, D. L. Ederer, A. Moewes, Y. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 1999, 74, 522.
29. R. B. Ross, C. M. Cardona, D. M. Guldi, S. G. Sankaranarayanan, M. O. Reese, N. Kopidakis, J. Peet, B. Walker, G. C. Bazan, E. Van Keuren, B. C. Holloway, M. Drees, Nat. Mater. 2009, 8, 208.
30. M. Campoy-Quiles, T. Ferenczi, T. Agostinelli, P. G. Etchegoin, Y. Kim, T. D. Anthopoulos, P. N. Stavrinou, D. D. C. Bradley, J. Nelson, Not. Mater. 2008, 7, 158.
31. B.-O. Cho, T. Yasue, H. Yoon, M.-S. Lee, I.-S. Yeo, U.-I. Chung, J.-T. Moon, B.-I. Ryu, IEEE; Int. Eletron. Devices Meet. Tech. Dig. 2006, DOI: 10.1109/IEDM.2006.346729
32. Z. Fan, H. Razavi, J.-w. Do, A. Moriwaki, O. Ergen, Y.-L. Chueh, P. W. Leu, J. C. Ho, T. Takahashi, L A. Reichertz, S. Neale, K. Yu, M. Wu, J. W. Ager, A. Javey, Nat. Mater. 2009, 8, 648.
33. Q. Cao, H.-s. Kim, N. Pimparkar, J. P. Kulkami, C Wang, M. Shim, K. Roy, M. A. Alam, J. A. Rogers, Nature 2008, 454, 495.
34. S.-S. Kwon, W.-K. Hong, G. Jo, J. Maeng, T.-W. Kim, S. Song, T. Lee, Adv. Mater. 2008, 20, 4557.
35. W. S. Wong, A. Salleo, Flexible Electronics: Materials and Applications, Springer, New York 2009.
36. B. Cho, T.-W. Kim, M. Choe, G. Wang, S. Song, T. Lee, Org, Electron. 2009, 10, 473.
37. J. G. Simmons, R. R. Verderber, Proc. Roy. Soc. London, Ser. A 1967, 301, 77.
38. L. D. Bozano, B. W. Kean, V. R. Deline, J. R. Salem, J. C. Scott, Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 607.
39. L. D. Bozano, B. W. Kean, M. Beinhoff, K. R. Carter, P. M. Rice, J. C. Scott, Adv. Funct. Mater. 2005, 15, 1933.
40. F. Verbakel, S. C. J. Meskers, R. A. J. Janssen, H. L Gomes, M. Colle, M. Büchel, D. M. de Leeuw, Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 192103.