In situ characterization of photoresist dissolution

Applied Physics Express

Volumn 3, Issue 6, 2010, Pages

  Itani, Toshiro ^a   Santillan, Julius Joseph ^a  

^a SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEVELOPMENT PROCESS; DISSOLUTION PROCESS; EXTREME ULTRAVIOLETS; HIGH-SPEED; IN-SITU ANALYSIS; IN-SITU CHARACTERIZATION; PHOTORESIST FILM; PHOTORESIST MATERIALS; PHYSICAL CHANGES; POLYMER RESIST; REAL TIME; TETRAMETHYL AMMONIUM HYDROXIDE;

ATOMIC FORCE MICROSCOPY; PHOTORESISTS; SCANNING ELECTRON MICROSCOPY;

DISSOLUTION;

EID: 77953522112     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.3.061601     Document Type: Article

References (28)

1. International Technology Roadmap for Semiconductors 2009 Edition, Lithography.
2. H. Oizumi, K. Matsumaro, J. Santillan, G. Shiraishi, K. Kaneyama, K. Matsunaga, and T. Itani: Proc. SPIE 7639 (2010) 76390R.
3. R. Lawson, J. Cheng, D. Noga, T. Younkin, L. Tolbert, and C. Henderson: Proc. SPIE 7639 (2010) 76390O.
4. C. Koh, J. Georger, L. Ren, G. Huang, F. Goodwin, S. Wurm, D. Ashworth, W. Montgomery, B. Pierson, J. Park, and P. Naulleau: Proc. SPIE 7636 (2010) 763604.
5. R. Allen, P. Brock, Y.-H. Na, M. Sherwood, H. Truong, G. Wallraff, M. Fujiwara, and K. Maeda: J. Photopolym. Sci. Technol. 22 (2009) 25.
6. T. Itani, H. Oizumi, K. Kaneyama, D. Kawamura, S. Kobayashi, and J. J. Santillan: J. Photopolym. Sci. Technol. 22 (2009) 59.
7. C. Higgins, A. Antohe, G. Denbeaux, S. Kruger, J. Georger, and R. Brainard: Proc. SPIE 7271 (2009) 727147.
8. M. Shirai, K. Maki, H. Okamura, K. Kaneyama, and T. Itani: J. Photopolym. Sci. Technol. 22 (2009) 111.
9. T. Nishikubo, H. Kudo, Y. Suyame, H. Oizumi, and T. Itani: J. Photopolym. Sci. Technol. 22 (2009) 73.
10. M. Wang, C. T. Lee, C. Henderson, W. Yueh, J. M. Roberts, and K. Gonsalves: Proc. SPIE 6923 (2008) 692312.
11. H. Oizumi, T. Kumise, and T. Itani: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 2252.
12. T. Watanabe and H. Kinoshita: J. Photopolym. Sci. Technol. 20 (2007) 373.
13. K. Matsunaga, H. Oizumi, K. Kaneyama, G. Shiraishi, K. Matsumaro, J. J. Santillan, and T. Itani: Proc. SPIE 7636 (2010) 76360S.
14. K. Kaneyama, K. Matsunaga, G. Shiraishi, J. J. Santillan, and T. Itani: Proc. SPIE 7636 (2010) 763633.
15. N. Bradon, K. Nafus, H. Shite, J. Kitano, H. Kosugi, M. Goethals, S. Cheng, J. Hermans, E. Hendrickx, B. Baudemprez, and D. Van Den Heuvel: Proc. SPIE 7636 (2010) 763630.
16. S. Putna, T. Younkin, R. Caudillo, and M. Chandhok: Proc. SPIE 7636 (2010) 76360P.
17. T. Itani, H. Iwasaki, M. Fujimoto, and K. Kasama: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 7005.
18. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: J. Vac. Sci. Technol. B 15 (1997) 2541.
19. T. Itani, S. Hashimoto, M. Yamana, N. Samoto, and K. Kasama: Microelectron. Eng. 41-42 (1998) 363.
20. T. Itani, H. Yoshino, S. Hashimoto, M. Yamana, M. Miyasaka, and H. Tanabe: J. Vac. Sci. Technol. B 16 (1998) 3726.
21. T. Kodani, T. Ishikawa, T. Yoshida, T. Hayami, M. Koh, T. Moriya, T. Yamashita, M. Toriumi, T. Araki, H. Aoyama, T. Hagiwara, T. Furukawa, T. Itani, and K. Fujii: J. Vac. Sci. Technol. B 22 (2004) 3509.
22. T. Itani, K. Kaneyama, T. Kozawa, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 26 (2008) 2261.
23. T. Itani and J. J. Santillan: J. Vac. Sci. Technol. B 27 (2009) 2986.
24. W. Hinsberg, F. Houle, S.-W. Lee, H. Ito, and K. Kanazawa: Macromolecules 38 (2005) 1882.
25. M. Toriumi, J. Santillan, T. Itani, T. Kozawa, and S. Tagawa: J. Vac. Sci. Technol. B 25 (2007) 2486.
26. A. Kokkinis, E. S. Valamontes, and I. Raptis: J. Phys.: Conf. Ser. 10 (2005) 401.
27. A. Agrawal and C. L. Henderson: Proc. SPIE 5038 (2003) 1026.
28. T. Ando, T. Uchihashi, N. Kodera, D. Yamamoto, A. Miyagi, M. Taniguchi, and H. Yamashita: Pflugers Arch. 456 (2008) 211.