A new method for lift-off of III-nitride semiconductors for heterogeneous integration

Nanoscale Research Letters

Volumn 5, Issue 6, 2010, Pages 1051-1056

  Zang, Ke Yan ^a   Cheong, Davy W C ^a   Liu, Hong Fei ^a   Liu, Hong ^a   Teng, Jing Hua ^a   Chua, Soo Jin ^a  

^a INSTITUTE OF MATERIALS RESEARCH AND ENGINEERING   (Singapore)

Author keywords

III nitride semiconductor; Lift off; Nanorod

Indexed keywords

GAN EPILAYERS; GAN FILM; GAN SUBSTRATE; HETEROGENEOUS INTEGRATION; HIGH QUALITY; III-NITRIDE; III-NITRIDE SEMICONDUCTOR; III-NITRIDE SEMICONDUCTORS; LATERAL OVERGROWTH; LOW-DISLOCATION DENSITY; MASK LAYER; NANO-POROUS; NANOSTRUCTURED SURFACE; OVERLAYERS; POWER DEVICES; WET-CHEMICAL ETCHING;

ELECTRIC EQUIPMENT; EPITAXIAL FILMS; FILM GROWTH; GALLIUM NITRIDE; LOGIC DEVICES; NANORODS; OPTICAL INSTRUMENTS; PHOTONIC DEVICES; SEMICONDUCTOR GROWTH; SILICON COMPOUNDS; SILICON OXIDES; SUBSTRATES; WET ETCHING;

GALLIUM ALLOYS;

EID: 77953082678     PISSN: 19317573     EISSN: 1556276X     Source Type: Journal    
DOI: 10.1007/s11671-010-9601-6     Document Type: Article

References (42)

1. S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000).
2. J.-H. Ahn, H.-S. Kim, K. J. Lee, S. Jeon, S. J. Kang, Y. Sun, R. G. Nuzzo, J. A. Rogers, Science 314, 1754 (2006).
3. J. A. Chediak, Z. Luo, J. Seo, N. Cheung, L. P. Lee, T. D. Sands, Sens. Actuators A Phys. 111, 1 (2004).
4. Y. Dong, B. Tian, T. J. Kempa, C. M. Lieber, Nano Lett. 9, 2183 (2009).
5. K. Aoki, D. Guimard, M. Nishioka, M. Nomura, S. Iwamoto, Y. Arakawa, Nat. Photonics 2, 688 (2008).
6. H. Matsubara, S. Yoshimoto, H. Saito, J. Yue, Y. Tanaka, S. Noda, Science 319, 445 (2008).
7. S. Joblot, F. Semond, Y. Cordier, P. Lorenzimi, J. Massies, Appl. Phys. Lett. 87, 133505 (2005).
8. F. Schulze, O. Kisel, A. Dadgar, A. krtschil, J. Blasing, M. Kunze, I. Daumiller, T. Hempel, A. Diez, R. Clos, A. Krost, J. Cryst. Growth 299, 399 (2007).
9. J. W. Chung, J. K. Lee, E. L. Piner, IEEE Electron Device Lett. 30, 1015 (2009).
10. N. M. Jokerst, M. A. Brooke, S.-Y. Cho, S. Wilkinson, M. Vrazel, S. Fike, J. Tabler, Y. J. Joo, S.-W. Seo, D. S. Wills, A. Brown, IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron. 9, 350 (2007).
11. thInternational Conference on solid-state and integrated circuits technology, 1-3, 2167 (2004).
12. E. Yablonovitch, E. Kapon, T. J. Gmitter, C. P. Yun, R. Bhat, IEEE Photonics Technol. Lett. 1, 41 (1989).
13. H. Park, S. Kim, S. Kwon, Y. Ju, J. Yang, J. Baek, S. Kim, Y. Lee, Science 305, 1444 (2004).
14. I. Pollentier, P. Demeester, A. Ackaert, L. Buydens, P. V. Daele, R. Baets, Electron. Lett. 26, 193 (1990).
15. E. Yablonovitech, in Properties of Gallium Arsenide, 3rd edn. ed. by MIR. Brozel, G. E. Stillman (INSPEC, the Institute of Electrical Engineering, London, 1996), pp. 672-676.
16. S. W. Lee, J. S. Ha, Hyun.-Jae. Lee, Hyo.-Jong. Lee, H. Goto, T. Hanada, T. Goto, K. Fujii, M. W. Cho, T. Yao, Appl. Phys. Lett. 94, 082105 (2009).
17. D. J. Rogers, F. H. Teherani, A. Ougazzaden, S. Gaultier, L. Divay, A. Lusson, O. Durand, F. Wyczisk, G. Garry, T. Monteiro, M. R. Correira, M. Peres, A. Neves, D. McGrouther, J. N. Chapman, M. Razeghi, Appl. Phys. Lett. 91, 071120 (2007).
18. K. J. Lee, M. A. Meitl, J. H. Ahn, J. A. Rogers, R. G. Nuzzo, V. Kumar, I. Adesida, J. Appl. Phys. 100, 124507 (2006).
19. W. S. Wong, T. Sands, Appl. Phys. Lett. 77, 2822 (2000).
20. W. S. Wong, T. Sands, N. W. Cheung, M. Kneissi, D. P. Bour, P. Mei, T. Romano, N. M. Johnson, Appl. Phys. Lett. 75, 1360 (1999).
21. M. K. Kelly, R. P. Vaudo, V. Phanse, L. Gorgens, O. Ambacher, M. Stutzmann, Jpn. J. Appl. Phys. 38, L217 (1999).
22. C. R. Miskys, M. K. Kelly, O. Ambacher, M. Stutzmann, Phys. Stat. Sol. (c)0(6), 1627 (1999).
23. A. Khan, K. Balakrishnan, T. Katona, Nat. Photonics 2, 77 (2008).
24. M. S. Minsky, M. White, E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 68, 1531 (1996).
25. Y. S. Choi, K. Hennessy, R. Sharma, E. Haberer, Y. Gao, S. P. DenBaars, S. Nakamura, E. L. Hu, Appl. Phys. Lett. 87, 243101 (2005).
26. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, M. S. Sander, S. Tripathy, C. G. Fonstad, J. Phys. Chem. B 110, 11081 (2006).
27. Y. D. Wang, K. Y. Zang, S. J. Chua, S. Tripathy, H. L. Zhou, C. G. Fonstad, Appl. Phys. Lett. 88, 211908 (2006).
28. K. Y. Zang, S. J. Chua, J. H. Teng, N. S. Ang, A. M. Yong, S. Y. Chow, Appl. Phys. Lett. 92, 243126 (2008).
29. A. Bell, R. Liu, F. A. Ponce, H. Amano, I. Akasaki, D. Cherns, Appl. Phys. Lett. 82, 349 (2003).
30. K. Tadatomo, H. Okagawa, Y. Ohuchi, T. Tsunekawa, Y. Imada, M. Kato, T. Taguchi, Jpn. J. Appl. Phys. 40, L583 (2001).
31. I. Schnitzer, E. Yablonovitch, C. Caneau, T. J. Gmitter and A. Scherer A 19, Appl. Phys. Lett. 63, 2174 (1993).
32. M. Yamada, T. Mitani, Y. Narukawa, S. Shioji, I. Niki, S. Sonobe, K. Deguchi, M. Sano, T. Mukai, Jpn. J. Appl. Phys. 41, L1431 (2002).
33. R. C. Tu, C. C. Chuo, S. M. Pan, Y. M. Fan, C. E. Tsai, T. C. Wang, C. J. Tun, G. C. Chi, B. C. Lee, C. P. Lee, Appl. Phys. Lett. 83, 3608 (2003).
34. T. N. Oder, K. H. Kim, J. Y. Lin, H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 84, 466 (2004).
35. C. F. Lin, J. H. Zheng, Z. J. Yang, J. J. Dai, D. Y. Lin, C. Y. Chang, Z. X. Lai, C. S. Hong, Appl. Phys. Lett. 88, 083121 (2006).
36. K. Harafuji, T. Tsuchiya, K. Kawamura, J. Appl. Phys. 96, 2501 (2004).
37. Z. R. Zytkiewicz, Proc. SPIE 4413, 112 (2001).
38. P. Fini, A. Munkholm, C. Thompson, G. B. Stephenson, J. A. Eastman, M. V. R. Murty, O. Auciello, L. Zhao, S. P. DenBaars, J. S. Speck, Appl. Phys. Lett. 76, 3893 (2000).
39. J. M. Wagner, F. Bechstedt, Phys. Rev. B 66, 115202 (2002).
40. J. W. Chen, Y. F. Chen, H. Lu, W. J. Schaff, Appl. Phys. Lett. 87, 041907 (2005).
41. S. C. Jain, A. H. Harker, A. Atkinson, K. Pinardi, J. Appl. Phys. 78, 1630 (1995).
42. Q. K. K. Liu, A. Hoffmann, H. Siegle, A. Kaschner, C. Thomsen, J. Christen, F. Bertram, Appl. Phys. Lett. 74, 3122 (1999).