High-performance phototransistors based on organic microribbons prepared by a solution self-assembly process

Advanced Functional Materials

Volumn 20, Issue 6, 2010, Pages 1019-1024

  Guo, Yunlong ^a,b   Du, Chunyan ^a,b   Yu, Cui ^a   Di, Chong An ^a   Jiang, Shidong ^a   Xi, Hongxia ^a,b   Zheng, Jian ^a,b   Yan, Shouke ^a   Yu, Cailan ^a   Hu, Wenping ^a   Liu, Yunqi ^a  

^a INSTITUTE OF CHEMISTRY   (China)

^b UNIVERSITY OF CHINESE ACADEMY OF SCIENCES   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRICAL DEVICES; FLUORESCENCE QUANTUM YIELD; HIGH MOBILITY; HIGH QUALITY; LOW LIGHT; ORGANIC OPTOELECTRONICS; ORGANIC SEMICONDUCTOR; PHOTORESPONSIVITY; POTENTIAL APPLICATIONS; SELF ASSEMBLY PROCESS; SINGLE CRYSTAL SILICON; SOLUTION PROCESS; SOLUTION SELF-ASSEMBLY;

ASSEMBLY; COMMUNICATION CHANNELS (INFORMATION THEORY); FILM PREPARATION; PHOTOTRANSISTORS; SELF ASSEMBLY; SEMICONDUCTOR GROWTH; SYNTHESIS (CHEMICAL); THIN FILM TRANSISTORS;

SEMICONDUCTING SILICON COMPOUNDS;

EID: 77950225534     PISSN: 1616301X     EISSN: 16163028     Source Type: Journal    
DOI: 10.1002/adfm.200901662     Document Type: Article

References (35)

1. a) E. Menard, A. Marchenko, V. Podzorov, M. E. Gershenson, D. Fichou, J. A. Rogers, Adv. Mater. 2006, 78, 1552.
2. b) A. L. Briseno, S.C. B. Mannsfeld, M. M. Ling, S. Liu, R. J. Tseng, C Reese, M. E. Roberts, Y. Yang, F. Wudl, Z. N. Bao, Nature 2006, 444, 913.
3. c) A. L. Briseno, S. C. B. Mannsfeld, S. A. Jenekhe, Z. N. Bao, Y. N. Xia, Moter. Today 2008, 11, 38.
4. a) Q. X. Tang, L Q. Li, Y. B. Song, Y. L. Liu, H. X. Li, W. Xu, Y. Q. Liu, W. P. Hu, D. B. Zhu, Adv. Mater. 2007, 79,2624.
5. b) Y. Hu, G. F. Dong, C. Liu, L. D. Wang, Y. Qiu, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 072108.
6. c) R. M. Meixner, H. Göbel, F. A. Yildirim, W. Bauhofer, W. Krautschneider, Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 092110.
7. d) M. Debucquoy, S. Verlaak, S. Steudel, K. Myny, J. Genoe, P. Heremans, Appl. Phys. Lett. 2007, 97, 103508.
8. e) Y.-Y. Noh, D.-Y. Kim, Y. Yoshida, K. Yase, B.-J. Jung, E. Lim, H.-K. Shim, Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 043501.
9. f) M. Y. Cho, S. J. Kim, Y. D. Han, D. H. Park, K. H. Kim, D. H. Choi, J. S. Joo, Adv. Fund. Mater. 2008, 18, 2905.
10. g) T. P. I. Saragi, R. Pudzich, T. Fuhrmann-Lieker, J. Salbeck, Appl. Phys. Lett. 2007, 90,143514.
11. h) Y. L Guo, C. Y. Du, C.-A. Di, J. Zheng,X. N. Sun, Y. G. Wen, L. Zhang, W. P. Wu, G. Yu, Y. Q. Liu, Appl. Phys. Lett. 2009, 94,143303.
12. i) B. Mukherjee, M. Mukherjee, Y. Choi, S. PyoJ. Phys. Chem. C 2009, 113, 18870.
13. a) A. L. Briseno, R. J. Tseng, M. M. Ling, E. H. L. Falcao, Y. Yang, F. Wudl, Z. N. Bao, Adv. Mater. 2006, 18, 2320.
14. b) S. C. B. Mannsfeld, A. Sharei, S. H. Liu, M. E. Roberts, I. McCulloch, M. Heeney, Z. N. Bao, Adv. Mater. 2008, 20, 4044.
15. a) K. Xiao, J. Tao, Z. W. Pan, A. A. Puretzky, I. N. Ivanov, S. J. Pennycook, D. B. Geohegan, Angew. Chem. Int. Ed. 2007, 46, 2650.
16. b) L. Schmidt-Mende, A. Fechtenkotter, K. Müllen, E. Moons, R. H. Friend, J. D. MacKenzie, Science2001, 293, 1119.
17. c) S. Xiao, J.Tang,T. Beetz,X.Guo, N.Tremblay, T. Siegrist, Y. Zhu, M. Steigerwald, C. NuckollsJ. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 10700.
18. d) Y. S. Zhao, H. B. Fu, F. Q. Hu, A. D. Peng, J. N. Yao, Adv. Mater. 2007, 19, 3554.
19. a) A. Afzali, C. D. Dimltrakopoulos, T. L Breen J. Am. Chem. Soc. 2002, 124, 8812.
20. b) Q. Miao, T.-Q. Nguyen, T. Someya, G. B. Blanchet, C. NuckollsJ. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 10284.
21. c) D. H. Kim, D. Y. Lee, H. S. Lee, W. H. Lee, Y. H. Kim, J. I. Han, K. Cho, Adv. Mater. 2007, 19, 678.
22. a) M. Mas-Torrent, M. Durkut, P. Hadley, X. Ribas, C. Rovira J. Am. Chem. Soc. 2004, 126,984.
23. b) M. Mas-Torrent, P. Hadley, S. T. Bromley, X. Ribas, J. Tarrés, M. Mas, E. Molins, J. Veciana, C. RoviraJ. Am. Chem. Soc. 2004, 1726, 8546.
24. a) S. Subramanian, S. K. Park, S. R. Parkin, V. Podzorov, T. N. Jackson, J. E. AnthonyJ. Am. Chem. Soc. 2008, 130, 2706.
25. b) Y. Zhou, W. J. LIu, Y. G. Ma, H. L. Wang, L. M. Qi, Y. Cao, J. Wang, J. Pei J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 12386.
26. c) A. L Briseno, S. C B. Mannsfeld, X. Lu, Y. Xiong, S. A. Jenekhe, Z. N. Bao, Y. N. Xia, Nono. Lett. 2007, 7, 668.
27. d) M. M. Payne, S. R. Parkin, J. E. Anthony, C.-C. Kuo, T. N. Jackson, J. Am. Chem. Soc. 2005, 127, 4986.
28. Y. L. Guo, H. P. Zhao, G. Yu, C.-A. Di, W. Liu, S. D. Jiang, S. K. Yan, C. R. Wang, H. L. Zhang, X. N. Sun, X. T. Tao, Y. Q. Liu, Adv. Mater. 2008, 20, 4835.
29. a) M. L. Tang, T. Okamoto, Z. N. Bao, J. Am. Chem. Soc. 2006, 128, 16002.
30. b) F. Valiyev, W.-S. Hu, H.-Y. Chen, M.-Y. Kuo, I. Chao, Y.-T. Tao, Chem. Mater. 2007, 19, 3018.
31. c) Y. K. Che, A. Datar, K. Balakrishnan, L Zang, J. Am. Chem. Soc. 2007, 129, 7234.
32. d) C Y. Du, Y. L. Guo, Y. Q. LIu, W. F. Qiu, H. J. Zhang, X. K. Gao, Y. Liu, T. Qi, K. Lu, G. Yu, Chem. Mater. 2008, 20, 4188.
33. J.-M. Choi, J. Lee, D. K. Hwang, J. H. Kim, S. Im, E. Kim, Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 043508.
34. M.C. Hamilton, S. Martin, J. Kanlcki, IEEE Trans. Electron. Devices 2004, 51, 877.
35. N. M. Johnson, A. Chiang, Appl. Phys. Lett. 1984, 45, 1102.