-
1
-
-
3242707892
-
-
See, for example, (a) Menard, E.; Lee, K. J.; Khang, D.-Y.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5398. (b) Ridley, B. A.; Nivi, B.; Jacobson, J. M. Science 1999, 286, 746. (c) Duan, X.; Niu, C.; Sahl, V.; Chen, J.; Parce, J. W.; Empedocles, S.; Goldman, J. L. Nature 2003, 425, 274.
-
(2004)
Appl. Phys. Lett.
, vol.84
, pp. 5398
-
-
Menard, E.1
Lee, K.J.2
Khang, D.-Y.3
Nuzzo, R.G.4
Rogers, J.A.5
-
2
-
-
0033595698
-
-
See, for example, (a) Menard, E.; Lee, K. J.; Khang, D.-Y.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5398. (b) Ridley, B. A.; Nivi, B.; Jacobson, J. M. Science 1999, 286, 746. (c) Duan, X.; Niu, C.; Sahl, V.; Chen, J.; Parce, J. W.; Empedocles, S.; Goldman, J. L. Nature 2003, 425, 274.
-
(1999)
Science
, vol.286
, pp. 746
-
-
Ridley, B.A.1
Nivi, B.2
Jacobson, J.M.3
-
3
-
-
0141605054
-
-
See, for example, (a) Menard, E.; Lee, K. J.; Khang, D.-Y.; Nuzzo, R. G.; Rogers, J. A. Appl. Phys. Lett. 2004, 84, 5398. (b) Ridley, B. A.; Nivi, B.; Jacobson, J. M. Science 1999, 286, 746. (c) Duan, X.; Niu, C.; Sahl, V.; Chen, J.; Parce, J. W.; Empedocles, S.; Goldman, J. L. Nature 2003, 425, 274.
-
(2003)
Nature
, vol.425
, pp. 274
-
-
Duan, X.1
Niu, C.2
Sahl, V.3
Chen, J.4
Parce, J.W.5
Empedocles, S.6
Goldman, J.L.7
-
4
-
-
0030084093
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(1996)
Science
, vol.271
, pp. 933
-
-
Alivisatos, A.P.1
-
5
-
-
0032206869
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(1998)
Adv. Mater.
, vol.10
, pp. 1297
-
-
Alivisatos, A.P.1
Barbara, P.F.2
Castleman, A.W.3
Chang, J.4
Dixon, D.A.5
Kline, M.L.6
Melendon, G.L.7
Miller, J.S.8
Ratner, M.A.9
Rossky, P.J.10
Stupp, S.I.11
Thompson, M.I.12
-
6
-
-
0037418379
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(2003)
Adv. Mater.
, vol.15
, pp. 353
-
-
Xia, Y.1
Yang, P.2
Sun, Y.3
Wu, Y.4
Mayers, B.5
Gates, B.6
Yin, Y.7
Kim, F.8
Yan, H.9
-
7
-
-
0033052782
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(1999)
Acc. Chem. Res.
, vol.32
, pp. 407
-
-
Nirmal, M.1
Brus, L.2
-
8
-
-
0033051718
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(1999)
Acc. Chem. Res.
, vol.32
, pp. 415
-
-
Markovich, G.1
Collier, C.P.2
Henrichs, S.E.3
Remacle, F.4
Levine, R.D.5
Heath, J.R.6
-
9
-
-
0033051026
-
-
Reviews: (a) Alivisatos, A. P. Science 1996, 271, 933. (b) Alivisatos, A. P.; Barbara, P. F.; Castleman, A. W.; Chang, J.; Dixon, D. A.; Kline, M. L.; Melendon, G. L.; Miller, J. S.; Ratner, M. A.; Rossky, P. J.; Stupp, S. I.; Thompson, M. I. Adv. Mater. 1998, 10, 1297. (c) Xia, Y.; Yang, P.; Sun, Y.; Wu, Y.; Mayers, B.; Gates, B.; Yin, Y.; Kim, F.; Yan, H. Adv. Mater. 2003, 15, 353. (d) Nirmal M.; Brus, L. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 407. (e) Markovich, G.; Collier, C. P.; Henrichs, S. E.; Remacle, F.; Levine, R. D.; Heath, J. R. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 415. (f) Hu, J.; Odom, T. W.; Lieber, C. M. Acc. Chem. Res. 1999, 32, 435.
-
(1999)
Acc. Chem. Res.
, vol.32
, pp. 435
-
-
Hu, J.1
Odom, T.W.2
Lieber, C.M.3
-
10
-
-
0035827304
-
-
(a) Huang, M. H.; Mao, S.; Feick, H.; Yan, H.; Wu, Y.; Kind, H.; Weber, E.; Russo, R.; Yang, P. Science 2001, 292, 1897.
-
(2001)
Science
, vol.292
, pp. 1897
-
-
Huang, M.H.1
Mao, S.2
Feick, H.3
Yan, H.4
Wu, Y.5
Kind, H.6
Weber, E.7
Russo, R.8
Yang, P.9
-
11
-
-
0035831290
-
-
(b) Pan, Z. W.; Dai, Z. R.; Wang, Z. L. Science 2001, 291, 1947.
-
(2001)
Science
, vol.291
, pp. 1947
-
-
Pan, Z.W.1
Dai, Z.R.2
Wang, Z.L.3
-
12
-
-
1442330252
-
-
(c) Kong, X. Y.; Ding, Y.; Yang, R.; Wang, Z. L. Science 2004, 303, 1348.
-
(2004)
Science
, vol.303
, pp. 1348
-
-
Kong, X.Y.1
Ding, Y.2
Yang, R.3
Wang, Z.L.4
-
13
-
-
0346434142
-
-
(d) Wang, Y.; Jiang, X.; Xia, Y. J. Am. Chem. Soc. 2003, 125, 16176.
-
(2003)
J. Am. Chem. Soc.
, vol.125
, pp. 16176
-
-
Wang, Y.1
Jiang, X.2
Xia, Y.3
-
14
-
-
0242386397
-
-
(e) Battaglia, D.; Li, J. J.; Wang, Y.; Peng, X. Angew. Chem., Int. Ed. 2003, 42, 5035.
-
(2003)
Angew. Chem., Int. Ed.
, vol.42
, pp. 5035
-
-
Battaglia, D.1
Li, J.J.2
Wang, Y.3
Peng, X.4
-
15
-
-
3142545233
-
-
(f) Milliron, D. J.; Hughes, S. M.; Cui, Y.; Manna, L.; Li, J.; Wang, L.-W.; Alivisatos, A. P. Nature 2004, 430, 190.
-
(2004)
Nature
, vol.430
, pp. 190
-
-
Milliron, D.J.1
Hughes, S.M.2
Cui, Y.3
Manna, L.4
Li, J.5
Wang, L.-W.6
Alivisatos, A.P.7
-
16
-
-
0037418895
-
-
Melosh, N. A.; Boukai, A.; Diana, F.; Gerardot, B.; Badolato, A.; Petroff, P. M.; Heath, J. R. Science 2003, 300, 112.
-
(2003)
Science
, vol.300
, pp. 112
-
-
Melosh, N.A.1
Boukai, A.2
Diana, F.3
Gerardot, B.4
Badolato, A.5
Petroff, P.M.6
Heath, J.R.7
-
17
-
-
0028328260
-
-
(a) Jenkins, P. P.; Macinnes, A. N.; Tabibazar, M.; Barron, A. R. Science 1994, 263, 1751.
-
(1994)
Science
, vol.263
, pp. 1751
-
-
Jenkins, P.P.1
Macinnes, A.N.2
Tabibazar, M.3
Barron, A.R.4
-
20
-
-
0028452753
-
-
(d) Razeghi, M. Nature 1994, 369, 631.
-
(1994)
Nature
, vol.369
, pp. 631
-
-
Razeghi, M.1
-
21
-
-
0043175239
-
-
(e) Matsunaga, N.; Yamamoto, M.; Hatta, Y.; Masuda, H. IEEE Trans. Electron Dev. 2003, 50, 1194.
-
(2003)
IEEE Trans. Electron Dev.
, vol.50
, pp. 1194
-
-
Matsunaga, N.1
Yamamoto, M.2
Hatta, Y.3
Masuda, H.4
-
22
-
-
0032162686
-
-
(f) Leclercq, J. L.; Ribas, R. P.; Karam, J. M.; Viktorovitch, P. Microelectron. J. 1998, 29, 613.
-
(1998)
Microelectron. J.
, vol.29
, pp. 613
-
-
Leclercq, J.L.1
Ribas, R.P.2
Karam, J.M.3
Viktorovitch, P.4
-
26
-
-
0242457283
-
-
(a) Wu, Z. H.; Mei, X.; Kim, D.; Blumin, M.; Ruda, H. E. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3368.
-
(2003)
Appl. Phys. Lett.
, vol.83
, pp. 3368
-
-
Wu, Z.H.1
Mei, X.2
Kim, D.3
Blumin, M.4
Ruda, H.E.5
-
27
-
-
0142026350
-
-
(b) Panev, N.; Persson, A. I.; Sköld, N.; Samuelson, L. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 2238.
-
(2003)
Appl. Phys. Lett.
, vol.83
, pp. 2238
-
-
Panev, N.1
Persson, A.I.2
Sköld, N.3
Samuelson, L.4
-
28
-
-
0029484212
-
-
(a) Trentler, T. J.; Hickman, K. M.; Subhash, H.; Goel, C.; Viano, A. M.; Gibbons, P. C.; Buhro, W. E. Science 1995, 270, 1791.
-
(1995)
Science
, vol.270
, pp. 1791
-
-
Trentler, T.J.1
Hickman, K.M.2
Subhash, H.3
Goel, C.4
Viano, A.M.5
Gibbons, P.C.6
Buhro, W.E.7
-
30
-
-
0041784066
-
-
(c) Yu, H.; Li, J.; Loomis, R. A.; Wang, L.-W.; Buhro, W. R. Nat. Mater. 2003, 2, 517.
-
(2003)
Nat. Mater.
, vol.2
, pp. 517
-
-
Yu, H.1
Li, J.2
Loomis, R.A.3
Wang, L.-W.4
Buhro, W.R.5
-
31
-
-
2442526721
-
-
Davidson, F. M., III.; Schricker, A. D.; Wiacek, R. J.; Korgel, B. A. Adv. Mater. 2004, 16, 646.
-
(2004)
Adv. Mater.
, vol.16
, pp. 646
-
-
Davidson III, F.M.1
Schricker, A.D.2
Wiacek, R.J.3
Korgel, B.A.4
-
32
-
-
33847049797
-
-
Lieber, C. M. Sci. Am. 2001, 285(3), 58.
-
(2001)
Sci. Am.
, vol.285
, Issue.3
, pp. 58
-
-
Lieber, C.M.1
-
33
-
-
0034824859
-
-
(a) Huang, Y.; Duan, X.; Wei, Q.; Lieber, C. M. Science 2001, 291, 630.
-
(2001)
Science
, vol.291
, pp. 630
-
-
Huang, Y.1
Duan, X.2
Wei, Q.3
Lieber, C.M.4
-
34
-
-
0141510585
-
-
(b) Whang, D.; Jin, S.; Wu, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2003, 3, 1255.
-
(2003)
Nano Lett.
, vol.3
, pp. 1255
-
-
Whang, D.1
Jin, S.2
Wu, Y.3
Lieber, C.M.4
-
35
-
-
2642552870
-
-
(c) Jin, S.; Whang, D.; McAlpine, M. C.; Friedman, R. S.; Wu, Y.; Lieber, C. M. Nano Lett. 2004, 4, 915.
-
(2004)
Nano Lett.
, vol.4
, pp. 915
-
-
Jin, S.1
Whang, D.2
McAlpine, M.C.3
Friedman, R.S.4
Wu, Y.5
Lieber, C.M.6
-
36
-
-
0141845141
-
-
(d) Tao, A.; Kim, F.; Hess, C.; Goldberger, J.; He, R.; Sun, Y.; Xia, Y.; Yang, P. Nano Lett. 2003, 3, 1229.
-
(2003)
Nano Lett.
, vol.3
, pp. 1229
-
-
Tao, A.1
Kim, F.2
Hess, C.3
Goldberger, J.4
He, R.5
Sun, Y.6
Xia, Y.7
Yang, P.8
-
37
-
-
2342530489
-
-
(a) Martensson, T.; Carlberg, P.; Borgström, M.; Montelius, L.; Seifert, W.; Samuelson, L. Nano Lett. 2004, 4, 699.
-
(2004)
Nano Lett.
, vol.4
, pp. 699
-
-
Martensson, T.1
Carlberg, P.2
Borgström, M.3
Montelius, L.4
Seifert, W.5
Samuelson, L.6
-
38
-
-
0346319003
-
-
(b) Wu, Z. H.; Mei, X. Y.; Kim, D.; Blumin, M.; Ruda, H. E. Appl. Phys. Lett. 2002, 81, 5177.
-
(2002)
Appl. Phys. Lett.
, vol.81
, pp. 5177
-
-
Wu, Z.H.1
Mei, X.Y.2
Kim, D.3
Blumin, M.4
Ruda, H.E.5
-
39
-
-
1642265305
-
-
(c) Bhunia, S.; Kawamura, T.; Fujikawa, S.; Tokushima, K.; Watanabe, Y. Physica E 2004, 21, 583.
-
(2004)
Physica E
, vol.21
, pp. 583
-
-
Bhunia, S.1
Kawamura, T.2
Fujikawa, S.3
Tokushima, K.4
Watanabe, Y.5
-
40
-
-
7544222009
-
-
note
-
2 etch mask in the etchant generated GaAs wires through the anisotropic etching. The resultant sample was rinsed with deionized water and ethanol, dried, and readied for transfer printing.
-
-
-
-
41
-
-
0024716265
-
-
(a) Raman, A.; Kapoor, S.; Prabhakar, S.; Gulati, R.; Chandra, I. J. Electrochem. Soc. 1989, 136, 2405.
-
(1989)
J. Electrochem. Soc.
, vol.136
, pp. 2405
-
-
Raman, A.1
Kapoor, S.2
Prabhakar, S.3
Gulati, R.4
Chandra, I.5
-
42
-
-
0032003164
-
-
(b) Ribas, R. P.; Leclercq, J. L.; Karam, J. M.; Courtois, B.; Viktorovitch, P. Mater. Sci. Eng. B 1998, 51, 267.
-
(1998)
Mater. Sci. Eng. B
, vol.51
, pp. 267
-
-
Ribas, R.P.1
Leclercq, J.L.2
Karam, J.M.3
Courtois, B.4
Viktorovitch, P.5
-
43
-
-
0032403465
-
-
Duffy, D. C.; McDonald, C.; Schueller, O. J. A.; Whitesides, G. M. Anal. Chem. 1998, 70, 4974.
-
(1998)
Anal. Chem.
, vol.70
, pp. 4974
-
-
Duffy, D.C.1
McDonald, C.2
Schueller, O.J.A.3
Whitesides, G.M.4
-
47
-
-
7544233453
-
-
note
-
2 mask stripes, the GaAs wires could be released from the mother wafer by etching 0.71 μm of GaAs in thickness. If the polishing process thinned the GaAs wafer by an additional 1 μm, then a total 2 μm thick top layer of GaAs generates one layer of GaAs wires. Therefore, the GaAs wire arrays fabricated from one piece of GaAs wafer (10 cm in diameter and 450 μm in thickness) could print a plastic sheet over an area of 255 times larger than that of the mother GaAs wafer.
-
-
-
-
48
-
-
0025447127
-
-
Morra, M.; Occhiella, E.; Marola, R.; Garbassi, F.; Humphrey, P.; Johnson, D. J. Colloid Interface Sci. 1990, 137, 11.
-
(1990)
J. Colloid Interface Sci.
, vol.137
, pp. 11
-
-
Morra, M.1
Occhiella, E.2
Marola, R.3
Garbassi, F.4
Humphrey, P.5
Johnson, D.6
-
49
-
-
0542373792
-
-
(a) Schrieber, H. P.; Qin, R. Y.; Sengupta, A. J. Adhesion 1998, 68, 31.
-
(1998)
J. Adhesion
, vol.68
, pp. 31
-
-
Schrieber, H.P.1
Qin, R.Y.2
Sengupta, A.3
-
50
-
-
0031556442
-
-
(b) Hu, J.; Beck, R. G.; Deng, T.; Westervelt, R. M.; Maranowski, K. D.; Gossard, A. C.; Whitesides, G. M. Appl. Phys. Lett. 1997, 71, 2020.
-
(1997)
Appl. Phys. Lett.
, vol.71
, pp. 2020
-
-
Hu, J.1
Beck, R.G.2
Deng, T.3
Westervelt, R.M.4
Maranowski, K.D.5
Gossard, A.C.6
Whitesides, G.M.7
-
51
-
-
0242317277
-
-
Li, X.; Ono, T.; Wang, Y.; Esashi, M. Appl. Phys. Lett. 2003, 83, 3081.
-
(2003)
Appl. Phys. Lett.
, vol.83
, pp. 3081
-
-
Li, X.1
Ono, T.2
Wang, Y.3
Esashi, M.4
-
54
-
-
0020125460
-
-
Adachi, S.; Noguchi, Y.; Kawaguchi, H. J. Electrochem. Soc. 1982, 129, 1053.
-
(1982)
J. Electrochem. Soc.
, vol.129
, pp. 1053
-
-
Adachi, S.1
Noguchi, Y.2
Kawaguchi, H.3
-
55
-
-
0034624790
-
-
Vilan, A.; Shanzer, A.; Cahen, D. Nature 2000, 404, 166.
-
(2000)
Nature
, vol.404
, pp. 166
-
-
Vilan, A.1
Shanzer, A.2
Cahen, D.3
|