Hydrogen-induced defects and degradation in oxide ferroelectrics

Applied Physics Letters

Volumn 85, Issue 13, 2004, Pages 2577-2579

  Xiong, K ^a   Robertson, J ^a  

^a UNIVERSITY OF CAMBRIDGE   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; BAND STRUCTURE; CHEMICAL BONDS; CRYSTAL DEFECTS; DEGRADATION; DYNAMIC RANDOM ACCESS STORAGE; HYDROGEN; IONIZATION; LEAD COMPOUNDS; MATHEMATICAL MODELS; MOLECULAR STRUCTURE; PASSIVATION; PEROVSKITE; STRONTIUM COMPOUNDS;

LOCAL DENSITY APPROXIMATION (LDA); PARTIAL DENSITY OF STATES (PDOS); RAMAN SIGNATURE; VALENCE BANDS;

FERROELECTRIC MATERIALS;

EID: 7544233726     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.1795975     Document Type: Article

References (27)

1. U. Bottger and S. R. Summerfelt, in Nanoelectronics and Information Technology, edited by R. Waser (Wiley, New York, 2003).
2. B. H. Park, B. S. Kang, S. D. Bu, T. W. Noh, J. Lee, and W. Jo, Nature (London) 401, 682 (1999).
3. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer, New York, 2000); O Auciello, Phys. Today 51, 22 (1998).
4. J. F. Scott, Ferroelectric Memories (Springer, New York, 2000); O Auciello, Phys. Today 51, 22 (1998).
5. Y. Shimamoto, K. Kushida-Abdelghafar, H. Miki, and Y. Fujisaki, Appl. Phys. Lett. 70, 3096 (1997).
6. J. P. Han and T. P. Ma, Appl. Phys. Lett. 71, 1267 (1997).
7. S. Zafar, V. Kaushik, P. Laberge, P. Chi, R. E. Jones, R. L. Hance, P. Zurcher, B. E. White, D. Taylor, B. Melnick, and S. Gillespie, J. Appl. Phys. 82, 4469 (1997).
8. J. Im, O. Auciello, A. R. Krauss, D. M. Gruen, P. R. H. Chang, S. H. Kim, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 74, 1162 (1999).
9. R. Waser, J. Am. Ceram. Soc. 71, 58 (1988).
10. D. Dimos, W. L. Warren, M. B. Sinclair, B. A. Tuttle, and R. W. Schwartz, J. Appl. Phys. 76, 4305 (1994).
11. S. Aggarwal, S. R. Perusse, C. W. Tipton, R. Ramesh, H. D. Drew, T. Venkatesan, D. B. Romero, V. B. Podoedov, and A. Weber, Appl. Phys. Lett. 73, 1973 (1998).
12. S. Seo, J. G. Yoon, T. K. Song, B. S. Kang, and T. W. Noh, Appl. Phys. Lett. 81, 697 (2002).
13. T. W. Noh, S. Seo, B. S. Kang, and J. G. Kuo, J. Korean Phys. Soc. 42, S1412 (2003).
14. U. Chon, K. B. Kim, and H. M. Jang, Appl. Phys. Lett, 79, 2450 (2001).
15. J. H. Ahn, P. C. McIntyre, L. W. Mirkarimi, S. R. Gilbert, J. Amano, M. Schulberg, Appl. Phys. Lett. 77, 1378 (2000).
16. J. D. Baniecki, R. B. Laibowitz, T. M. Shaw, C. Parks, J. Lian, H. Xu, and Q. Y. Ma, J. Appl. Phys. 89, 2873 (2001).
17. P. C. McIntyre, J. H. Ahn, R. J. Becker, R. V. Wang, S. R. Gilbert, L. W. Mirkarimi, and M. T. Schulberg, J. Appl. Phys. 89, 6378 (2001).
18. S. Aggarwal, S. R. Persse, B. Nagaraj, and R. Ramesh, Appl. Phys. Lett. 74, 3023 (1999).
19. B. Yang, C. W. Suh, C. G. Lee, E. Y. Kang, Y. M. Kang, and J. M. Yang, Appl. Phys. Lett. 77, 1372 (2000).
20. M. C. Payne, M. P. Teter, D. C. Allan, T. A. Arias, and J. D. Joannopoulos, Rev. Mod. Phys. 64, 1045 (1992).
21. P. W. Peacock and J. Robertson, Appl. Phys. Lett. 83, 2025 (2003).
22. J. Robertson, W. L. Warren, and B. A. Tuttle, J. Appl. Phys. 77, 3975 (1995).
23. P. W. Peacock and J. Robertson, J. Appl. Phys. 92, 4712 (2002).
24. C. H. Park and D. J. Chadi, Phys. Rev. Lett. 84, 4717 (2000).
25. C. G. van de Walle and J. Neugebauer, Nature (London) 423, 626 (2003).
26. C. Kilic and A. Zunger, Appl. Phys. Lett. 81, 73 (2002).
27. Z. G. Hu, J. H. Ma, Z. M. Huang, Y. N. Wu, G. S. Wang, and J. H. Chu, Appl. Phys. Lett. 83, 3686 (2003).