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Volumn 126, Issue 43, 2004, Pages 13920-13921

Reaction pathway of the [4 + 2] diels-alder adduct formation on Si(100)-2x1

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AMPHOLYTE; SILICON;

EID: 7544228947     PISSN: 00027863     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/ja046522m     Document Type: Article
Times cited : (27)

References (24)
  • 10
  • 18
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    • note
    • 13 at 300 K on the neat surface yield an average dimer bond length of 2.3 Å, a buckling angle of 5-10°.


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.