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Volumn 104, Issue 1, 2010, Pages

Comment on "formation of large voids in the amorphous phase-Change memory Ge2Sb2Te5 alloy"

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AMORPHOUS PHASE; GE2SB2TE5;

EID: 73649099907     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.104.019601     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.