Highly enhanced electron-injection efficiency in GaAs-based light-emitting diodes using a Fe/GaOx tunnel injector

Applied Physics Express

Volumn 2, Issue 8, 2009, Pages

  Saito, Hidekazu ^a   Le Breton, Jean C ^a   Zayets, Vadym ^a   Yuasa, Shinji ^a   Ando, Koji ^a  

^a NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY AIST   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BARRIER MATERIAL; ELECTRON EMITTERS; ELECTRON-INJECTION; FERROMAGNETIC METAL; GAAS; LIGHTEMITTING DIODE; SCHOTTKY CONTACTS; SPINTRONIC DEVICE;

CURRENT DENSITY; ELECTROLUMINESCENCE; GALLIUM ALLOYS; LIGHT; LIGHT EMISSION; LIGHT TRANSMISSION; SEMICONDUCTING GALLIUM; SEMICONDUCTOR DEVICES; SEMICONDUCTOR DIODES; WIND TUNNELS;

LIGHT EMITTING DIODES;

EID: 68949161716     PISSN: 18820778     EISSN: 18820786     Source Type: Journal    
DOI: 10.1143/APEX.2.082003     Document Type: Article

References (26)

1. R. Fiederling, K. Kelm, G. Reuscher, W. Ossau, G. Schmidt, A. Waag, and L. W. Molenkamp: Nature (London) 402 (1999) 787.
2. Y. Ohno, D. K. Young, B. Beschoten, F. Matsukura, H. Ohno, and D. D. Awschalom: Nature (London) 402 (1999) 790.
3. H. J. Zhu, M. Ramsteiner, H. Kostial, M. Wassermeier, H. P. Schonherr, and K. H. Ploog: Phys. Rev. Lett. 87 (2001) 016601.
4. A. T. Hanbicki, B. T. Jonker, G. Itskos, G. Kioseoglou, and A. Petrou: Appl. Phys. Lett. 80 (2002) 1240.
5. C. Adelmann, X. Lou, J. Strand, C. J. Palmstr0m, and P. A. Crowell: Phys. Rev. B 71 (2005) 121301(R).
6. V. F. Motsnyi, V. I. Safarov, J. De Boeck, J. Das, W. Van Roy, E. Goovaerts, and G. Borghs: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 265.
7. T. Manago and H. Akinaga: Appl. Phys. Lett. 81 (2002) 694.
8. O. M. J. van't Erve, G. Kioseoglou, A. T. Hanbicki, C. H. Li, B. T. Jonker, R. Mallory, M. Yasar, and A. Petrou: Appl. Phys. Lett. 84 (2004) 4334.
9. X. Jiang, R. Wang, R. M. Shelby, R. M. Macfarlane, S. R. Bank, J. S. Harris, and S. S. P. Parkin: Phys. Rev. Lett. 94 (2005) 056601.
10. R. Wang, X. Jiang, R. M. Shelby, R. M. Macfarlane, S. S. P. Parkin, S. R. Bank, and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 86 (2005) 052901.
11. G. Salis, R. Wang, X. Jiang, R. M. Shelby, S. S. P. Parkin, S. R. Bank, and J. S. Harris: Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 262503.
12. A. Sinsarp, T. Manago, F. Takano, and H. Akinaga: Jpn. J. Appl. Phys. 46 (2007) L4.
13. S. Hövel, N. C. Gerhardt, M. R. Hofmann, F.-Y. Lo, A. Ludwig, D. Reuter, A. D. Wieck, E. Schuster, H. Wende, W. Keune, O. Petracic, and K. Westerholt: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 021117.
14. Y. Lu, V. G. Truong, P. Renucci, M. Tran, H. Jaffrès, C. Deranlot, J.-M. George, A. Lemaître, Y. Zheng, D. Demaille, P.-H. Binh, T. Amand, and X. Marie: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 152102.
15. G. Schmidt, D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and B. J. Van Wees: Phys. Rev. B 62 (2000) R4790.
16. E. I. Rashba: Phys. Rev. B 62 (2000) R16267.
17. T. Manago, Y. Suzuki, and E. Tamura: J. Appl. Phys. 91 (2002) 10130.
18. M. Passlack, M. Hong, J. P. Mannaerts, J. R. Kwo, and L. W. Tu: Appl. Phys. Lett. 68 (1996) 3605.
19. M. Hong, M. Passlack, J. P. Mannaerts, J. Kwo, S. N. G. Chu, N. Moriya, S. Y. Hou, and V. J. Fratello: J. Vac. Sci. Technol. B 14 (1996) 2297.
20. J. C. Le Breton, S. Le Gall, G. Jézéquel, B. Lépine, P. Schieffer, and P. Turban: Appl. Phys. Lett. 91 (2007) 172112.
21. H. Saito, A. Yamamoto, S. Yuasa, and K. Ando: Appl. Phys. Lett. 93 (2008) 172515.
22. J. C. Le Breton, H. Saito, S. Yuasa, and K. Ando: Appl. Phys. Lett. 94 (2009) 152101.
23. J. M. Kikkawa and D. D. Awscholom: Phys. Rev. Lett. 80 (1998) 4313.
24. J. I. Pankove: Optical Processes in Semiconductors (Dover, New York, 1971) p. 36.
25. M. F. Al-Kuhaili, S. M. A. Durrani, and E. E. Khawaja: Appl. Phys. Lett. 83 (2003) 4533.
26. S. M. Sze and Kwok K. Ng: Physics of Semiconductor Devices (Wiley, Hoboken, NJ, 2007) 3rd ed., p. 97.