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Volumn 311, Issue 10, 2009, Pages 2850-2852

Relaxation and recovery processes of AlxGa1-xN grown on AlN underlying layer

(8) Asai, Toshiaki a Nagata, Kensuke a Mori, Toshiaki a Nagamatsu, Kentaro a Iwaya, Motoaki a Kamiyama, Satoshi a Amano, Hiroshi a Akasaki, Isamu a

a MEIJO UNIVERSITY (Japan)

Author keywords

A2. High temperature growth; A3. Metalorganic vapor phase epitaxy; B1. AlGaN; B1. Nitride high speed growth

Indexed keywords

A2. HIGH-TEMPERATURE GROWTH; A3. METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; ALN; B1. ALGAN; B1. NITRIDE HIGH-SPEED GROWTH; CRYSTALLINE QUALITY; HIGH TEMPERATURE; LATTICE RELAXATION; RECOVERY PROCESS; UNDERLYING LAYERS;

ALUMINUM; CRYSTAL GROWTH; CRYSTALLINE MATERIALS; METALLORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY; NITRIDES; VAPORS;

LATTICE MISMATCH;

EID: 65749109945 PISSN: 00220248 EISSN: None Source Type: Journal
DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2009.01.028 Document Type: Article

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.