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Volumn , Issue , 2008, Pages

Electron mobility in multiple silicon nanowires GAA nMOSFETs on (110) and (100) SOI at room and low temperature

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DOUBLE PEAKS; GATE-ALL-AROUND; LOW TEMPERATURES; MOBILITY CHARACTERISTICS; MOBILITY DEGRADATIONS; N-MOSFETS; PHYSICAL MECHANISMS; SI NANOWIRES; SILICON NANOWIRES; SURFACE ROUGHNESS SCATTERINGS;

EID: 64549133311     PISSN: 01631918     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/IEDM.2008.4796807     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.