Origin of electric dipoles formed at high- k/ SiO2 interface

Applied Physics Letters

Volumn 94, Issue 13, 2009, Pages

  Kita, Koji ^a   Toriumi, Akira ^a  

^a UNIVERSITY OF TOKYO   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AREAL DENSITIES; BONDING ENERGIES; DRIVING FORCES; ELECTRIC DIPOLES; INTERFACE DIPOLES; OXYGEN ATOMS; OXYGEN DENSITIES;

GATE DIELECTRICS; GATES (TRANSISTOR); SILICON COMPOUNDS;

OXYGEN;

EID: 64149125385     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.3110968     Document Type: Article

References (11)

1. C. C. Hobbs, L. Fonseca, A. Knizhnik, V. Dhandapani, S. B. Samavedam, W. J. Taylor, J. M. Grant, L. G. Dip D. H. Triyoso, R. I. Hedge, D. C. Gilmer, R. Garcia, D. Roan, M. L. Lovejoy, R. S. Rai, E. A. Hebert, H. H. Tseng, S. G. H. Anderson, B. E. White, and P. J. Tobin, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/TED.2004.829513 51, 971 (2004).
2. Y. Yamamoto, K. Kita, K. Kyuno, and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 0021-4922 10.1143/JJAP.46.7251 46, 7251 (2007).
3. K. Iwamoto, Y. Kamimuta, A. Ogawa, Y. Watanabe, S. Migita, W. Mizubayashi, Y. Morita, M. Takahashi, H. Ota, T. Nabatame, and A. Toriumi, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2904650 92, 132907 (2008).
4. Y. Kamimuta, K. Iwamoto, Y. Nunoshige, A. Hirano, W. Mizubayashi, Y. Watanabe, S. Migita, A. Ogawa, H. Ota, T. Nabatame, and A. Toriumi, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 341. 0003-6951
5. P. D. Kirsch, P. Sivasubramani, J. Huang, C. D. Young, M. A. Quevedo-Lopez, H. C. Wen, H. Alshareef, K. Choi, C. S. Park, K. Freeman, M. M. Hussain, G. Bersuker, H. R. Harris, P. Majhi, R. Choi, P. Lysaght, B. H. Lee, H. H. Tseng, R. Jammy, T. S. Böscke, D. J. Lichtenwalner, J. S. Jur, and A. I. Kingon, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2890056 92, 092901 (2008).
6. S. Kubicek, T. Schram, V. Paraschiv, R. Vos, M. Demand, C. Adelmann, T. Witters, L. Nyns, L. A. Ragnarsson, H. Yu, A. Veloso, R. Singanamalla, T. Kauerauf, E. Rohr, S. Brus, C. Vrancken, V. S. Chang, R. Mitsuhashi, A. Akheyar, H. J. Cho, J. C. Hooker, B. J. O'Sullivan, T. Chiarella, C. Kerner, A. Delabie, S. Van Elshocht, K. DeMeyer, S. De Gent, P. Absil, T. Hoffmann, and S. Biesemans, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2007, 49. 0003-6951
7. P. D. Kirsch, M. A. Quevedo-Lopez, S. A. Krishnan, C. Krug, H. Alshareef, C. S. Park, R. Harris, N. Moumen, A. Neugroschel, G. Bersuker, B. H. Lee, J. G. Wang, G. Pant, B. E. Gnade, M. J. Kim, R. M. Wallace, J. S. Jur, D. J. Lidhtenwalner, A. I. Kingon, and R. Jammy, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet. 2006, 629. 0003-6951
8. J. Widiez, K. Kita, K. Tomida, T. Nishiumura, and A. Toriumi, Jpn. J. Appl. Phys. 47, 2410 (2008). 0021-4922
9. R. T. Sanderson, Science 0036-8075 10.1126/science.114.2973.670 114, 670 (1951).
10. H. Jagannathan, V. Narayanan, and S. Brown, ECS Trans. 16, 19 (2008). 0036-8075
11. O. Sharia, A. A. Demkov, G. Bersuker, and B. H. Lee, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.75.035306 75, 035306 (2007).