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Volumn 14, Issue 4, 1996, Pages 2895-2900

Structure of the SiNx/GaAs (110) interface modified with ultrathin Si and sulfur passivation

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EID: 6244302657     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588931     Document Type: Article
Times cited : (2)

References (21)
  • 21
    • 24644505481 scopus 로고    scopus 로고
    • unpublished
    • L. J. Huang et al. (unpublished).
    • Huang, L.J.1


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.