Growth of bulky single crystalline films of (Zn,Mg)O alloy semiconductors by liquid phase epitaxy

Crystal Growth and Design

Volumn 9, Issue 2, 2009, Pages 1219-1224

  Kobayashi, Jun ^a,b   Sekiwa, Hideyuki ^a,b   Miyamoto, Miyuki ^a   Sakaguchi, Isao ^b   Wada, Yoshiki ^b   Sekiguchi, Takashi ^b   Adachi, Yutaka ^b   Haneda, Hajime ^b   Ohashi, Naoki ^b  

^a MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY INC   (Japan)

^b NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 61749085870     PISSN: 15287483     EISSN: 15287505     Source Type: Journal    
DOI: 10.1021/cg801211m     Document Type: Article

References (40)

1. Look, D. C. Mater. Sci. Eng., B 2001, 80 (Special Issue), 383.
2. Kolb, D. M.; Schulz, H.-J. Current Topics in Materials Science; Kaldis, E., Ed.; North-Holland: Amsterdam, 1981; Vol. 7, pp 226-268.
3. Minami, T. MRS Bull. 2000, 25 (8), 38.
4. F. Carcia, R. S.; McLean, M. H. Reilly; Nunes, G. Appl. Phys. Lett. 2003, 82, 1117.
5. Ohtomo, A.; Takagi, S.; Tamura, K.; Makino, T.; Segawa, Y.; Koinuma, H.; Kawasaki, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L694.
6. Wang, Y.-G.; Ohashi, N.; Wada, Y.; Sakaguchi, L; Ohgaki, T.; Haneda, H. J. Appl. Phys. 2006, 100, 023524.
7. Ohashi, N.; Wang, Y.-G.; Ishigaki, T.; Wada, Y.; Taguchi, H.; Sakaguchi, I.; Ohgaki, T.; Adachi, Y.; Haneda, H. J. Cryst. Growth 2007, 306, 316.
8. Ohashi, N.; Ebisawa, N.; Sekiguchi, T.; Sakaguchi, I.; Wada, Y.; Takenaka, T.; Haneda, H. Appl. Phys. Lett. 2005, 86, 091902.
9. Leiter, F. H.; Alves, H. R.; Hofstaetter, A.; Hofmann, D. M.; Meyer, B. K. Phys. Status Solidi B 2001, 226, R4.
10. Sun, H. D.; Makino, T.; Segawa, Y.; Kawasaki, M.; Ohtomo, A.; Tamura, K.; Koinuma, H. Appl. Phys. Lett. 2001, 78, 3385.
11. Tsukazaki, A.; Kubota, M.; Ohtomo, A.; Onuma, T.; Ohtani, K.; Ohno, H.; Chichibu, S.-F.; Kawasaki, M. Jpn. J. Appl. Phys. 2005, 44, L643.
12. Jiao, S.-J.; Zhang, Z.-Z.; Lu, Y.-M; Shen, D.-Z.; Yao, B.; Zhang, J.-Y.; Li, B.-H.; Zhao, D.-X.; Fan, X.-W.; Tang, Z.-K. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 031911.
13. Sun, J.-C.; Liang, H.-W.; Zhao, J.-Z.; Bian, J.-M.; Feng, Q.-J.; Hu, L.-Z.; Zhang, H.-Q.; Liang, X.-P.; Luo, Y.-M.; Du, G.-T. Chem. Phys. Lett. 2008, 460, 548.
14. Sze S. M. Physics of Semiconductor Devices; John Wiley & Sons: New York, 1981; p 689.
15. Koike, K.; Kama, K.; Nakashima, I.; Takada, G.; Ogata, K.; Sasa, S.; Inoue, M.; Yano, M. J. Cryst. Growth 2005, 278, 288.
16. Kamada, Y.; Kawaharamura, T.; Nishinaka, H.; Fujita, S. Jpn. J. Appl. Phys. 2006, 45, L857.
17. Shibata, H.; Tampo, H.; Matsubara, K.; Yamada, A.; Sakurai, K.; Ishizuka, S.; Niki, S.; Sakai, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 124104.
18. Tampo, H.; Shibata, H.; Maejima, K.; Yamada, A.; Matsubara, K.; Fons, P.; Niki, S.; Tainaka, T.; Chiba, Y.; Kanie, H. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 261907.
19. Nagahama, S.; Iwasa, N.; Senoh, M.; Matsushita, T.; Sugimoto, Y.; Kiyoku, H.; Kozaki, T.; Sano, M.; Matsumura, H.; Umemoto, H.; Chocho, K.; Mukai, T. Jpn. J. Appl. Phys. 2000, 39, L647.
20. Tsukazaki, A.; Yuji, H.; Akasaka, S.; Tamura, K.; Nakahara, K.; Tanabe, T.; Takasu, H.; Ohtomo, A.; Kawasaki, M. Appl. Phys. Express 2008, 1, 055004.
21. Tsukazaki, A.; Ohtomo, A.; Kawasaki, M. Appl. Phys. Lett. 2006, 88, 152106.
22. Kobayashi, J.; Sekiwa, H.; Miyamoto, M.; Ohashi, N.; Sakaguchi, I.; Wada, Y.; Adachi, Y.; Haneda, H. Appl. Phys. Express 2008, 1, 071201.
23. Krebs, K.; Littbarski, R. In Current Topics in Materials Science; Kaldis, E., Ed.; North-Holland: Amsterdam, 1981; Vol. 7, pp 169-198.
24. Aichele, T.; Lorenz, A.; Hergt, R.; Gornert, P. Cryst. Res. Tech. 2003, 38, 575.
25. Sugai, M.; Kochiya, T.; Oyama, Y.; Nizhizawa, J. J. Phys. Chem. Solids 2008, 69, 411.
26. Ohashi, N.; Tanaka, J.; Ohgaki, T.; Haneda, H.; Ozawa, M.; Tsurumi, T. J. Mater. Res. 2002, 17, 1529.
27. Sanchez-Juareza, A.; Tiburcio-Silverb, A.; Ortizc, A.; Zironid, E. P.; Rickardsd, J. Thin Solid Films 1998, 333, 196.
28. Hwang, J. H.; Mason, T. O.; Dravid, V. P. J. Am. Ceram. Soc. 1994, 77, 1499.
29. Kuo, S. T.; Tuan, W. H.; Lao, Y. W.; Wen, C. K.; Chen, H. R. J. Am. Ceram. Soc. 2008, 91, 1572.
30. Maeda, K.; Sato, M.; Niikura, I.; Fukuda, T. Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, S49.
31. Ohashi, N.; Ohgaki, T.; Sugimura, S.; Maeda, K.; Sakaguchi, I.; Ryoken, H.; Niikura, I.; Sato, M.; Haneda, H. Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 2004, 744, 255.
32. Sakaguchi, I.; Hishita, S. Surf. Interface Anal. 2004, 36, 645.
33. Dierre, B.; Yuan, X. L.; Ohashi, N.; Sekiguchi, T. J. Appl. Phys. 2008, 103, 083551.
34. Ryoken, H.; Ohashi, N.; Sakaguchi, I.; Adachi, Y.; Hishita, S.; Haneda, H. J. Cryst. Growth 2006, 287, 134.
35. Shannon, R. D. Acta Crystallogr. 1976, A32, 751.
36. Tsukazaki, A.; Ohtomo, A.; Kita, T.; Ohno, Y.; Ohno, H.; Kawasaki, M. Science 2007, 315, 1388.
37. Ryoken, H.; Sakaguchi, I.; Ohgaki, T.; Adachi, Y.; Takenaka, T.; Ohashi, N.; Haneda, H. J. Jpn. Soc. Powder Powder Metall. 2004, 51, 852.
38. Ohsawa, T.; Ohashi, N.; Adachi, Y.; Sakaguchi, I.; Ryoken, H.; Matsumoto, K.; Haneda, H.; Ueda, S.; Yoshikawa, H.; Kobayashi, K. Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 232108.
39. Meyer, B. K.; Satin, J.; Lautenschläger, S.; Wagner, M. R.; Hoffmann, A. Phys. Rev. B 2007, 76, 184120.
40. Meyer, B. K.; Sann, J.; Hofmann, D. M.; Neumann, C.; Zenner, A. Semicond. Sci. Technol. 2005, 20, S62.