Effect of RF power on the structural, optical and electrical properties of amorphous InGaZnO thin films prepared by RF magnetron sputtering

Journal of Korean Institute of Metals and Materials

Volumn 47, Issue 1, 2009, Pages 38-43

  Shin, Ji Hoon ^a   Cho, Young Je ^a   Choi, Duck Kyun ^a  

^a Hanyang University   (South Korea)

Author keywords

Amorphous InGaZnO (a IGZO); RF magnetron sputtering; RF power; Thin film transistor; Transparent oxide semiconductor

Indexed keywords

EID: 61349130761     PISSN: 17388228     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article

References (20)

1. S. S. Kim, H. J. Kim and S. D. Lee, Display Engineering I, 2nd ed., p. 175-179, Chungbum Publishing, Seoul (2005).
2. C. R. Kagan and P. Andry, Thin Film Transistors, p. 16-31, Marcel Dekker, New York (2003).
3. R. L. Hoffman, B. J. Norris and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
4. E. Fortunato, P. Barquinha, A. Pimentel, A. Goncalves, A. Marques, L. Pereira and R. Martins, Thin Solid Films 487, 205(2005).
5. R. E. Presley, C. L. Munsee, C-H Park, D. Hong, J. F. Wager and D. A. Keszler, J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 2810 (2004).
6. G. Lavareda, C. N. de Carvalho, E. Fortunato, A. R. Ramos, E. Alves, O. Conde and A. Amaral, J. Non-Cryst. Solids 352, 2311 (2006).
7. R. E. Presley, D. Hong, H. Q. Chiang, C. M. Hung, R. L. Hoffman and J. F. Wager, Solid-State Electron. 50, 500 (2006).
8. H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffinan, J. Jeong and D. A. Keszler, Appl. Phys. Lett. 86, 013503 (2005).
9. N. L. Dehuff, E. S. Kettenring, D. Hong, H. Q. Chiang, J. F. Wager, R. L. Hoffman, C. H. Park and D. A. Keszler, J. Appl. Phys. 97, 064505 (2005).
10. K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Nature 432, 488 (2004).
11. H. Yabuta, M. Sano, K. Abe, T. Den, T. Aiba, H. Kumomi, K. Nomura, T Kamiya and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 89, 112123 (2006).
12. A. Suresh, P. Wellenius, A. Dhawan and J. Muth, Appl. Phys. Lett. 90, 123512 (2007).
13. H. Hosono, J. Non-Crystall. Solids 352, 851 (2006).
14. D. L. Wood and J. Tauc, Phys. Rev. B 5, 3144 (1972).
15. R. A. Street, Hydrogenated amorphous silicon, p.9-17, Cambridge University Press, New York (1991).
16. E. Terzini, P. Thilakan and C. Minarini, Mater Sci. Eng. B 77, 110 (2000).
17. B. G. Streetman, S.. K. Banerjee, Solid state electronic devices, 6th ed., p.283-288, Pearson Education, New Jersey (2006).
18. K. Nomura, T. Kamiya, H. Ohta, K. Ueda, M. Hirano and H. Hosono, Appl. Phys. Lett. 85, 1993 (2004).
19. A. Takagi, K. Nomura, H. Ohta, H. Yanagi, T. Kamiya, M. Hirano and H. Hosono, Thin Solid Films 486, 38 (2005).
20. S. W. Shin, H. S. Park, J. H. Moon, T. W. Kim and J. H. Kim, J. Kor. Inst. Met. & Mater. 46, 249 (2008).