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Volumn , Issue , 1994, Pages 137-140

Post-etch cleaning after dry etching the emitter windows to improve the bipolar characteristics in a 0.5μm BiCMOS process

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BI-CMOS PROCESS; BIPOLAR CHARACTERISTICS; POST-ETCH CLEANING;

EID: 5844359603     PISSN: 19308876     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: None     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.