Resistive Switching and Memory Effect Based on CuSCN Complex Layer Created Through Interface Reactions

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 12, Issue 3, 2009, Pages

  Dong, Yuan Wei ^a   Ji, Xin ^a   Xu, Wei ^a   Tang, Jia Qi ^a   Guo, Peng ^a  

^a FUDAN UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

COMPOSITE FILMS; COPPER; COPPER COMPOUNDS; HEAT CONDUCTION; POLYETHYLENE TEREPHTHALATES; POTASSIUM; RESISTIVE EVAPORATION; SWITCHING SYSTEMS;

COMPOSITE LAYERS; COPPER LAYERS; CU ELECTRODES; ELECTRICAL BISTABILITIES; ELECTROCHEMICAL REACTIONS; INTERFACE REACTIONS; MULTIFILAMENT MODELS; NONVOLATILE MEMORIES; OHMIC CONDUCTIONS; ON/OFF RATIOS; RESISTANCE STATES; RESISTIVE SWITCHES;

VACUUM EVAPORATION;

EID: 58149494501     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.3049865     Document Type: Article

References (46)

1. S. Möller, C. Perlov, W. Jackson, C. Taussig, and S. R. Forrest, Nature, 426, 166 (2003).
2. P. Guo, Y. W. Dong, X. Ji, Y. X. Lv, and W. Xu, IEEE Electron Device Lett., 28, 572 (2007).
3. R. S. Potember, T. O. Poehler, and D. O. Cowan, Appl. Phys. Lett., 34, 405 (1979).
4. Q. Ling, Y. Song, S. J. Ding, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, D. L. Kwong, E. T. Kang, and K. G. Neoh, Adv. Mater., 17, 455 (2005).
5. Q. D. Ling, Y. Song, S. L. Lim, E. Y. H. Teo, Y. P. Tan, C. X. Zhu, D. S. H. Chan, D. L. Kwong, E. T. Kang, and K. G. Neoh, Angew. Chem., Int. Ed., 45, 2947 (2006).
6. J. Y. Ouyang, C. W. Chu, C. R. Szmanda, L. P. Ma, and Y. Yang, Nature Mater., 3, 918 (2004).
7. Y. Yang, J. Y. Ouyang, L. P. Ma, R. J. Tseng, and C. W. Chu, Adv. Funct. Mater., 16, 1001 (2006).
8. T. L. Choi, K. H. Lee, W. J. Joo, S. Lee, T. W. Lee, and M. Y. Chae, J. Am. Chem. Soc., 129, 9842 (2007).
9. S. S. P. Parkin, M. Hayashi, and L. Thomas, Science, 320, 190 (2008).
10. M. Hayashi, L. Thomas, R. Moriya, C. Rettner, and S. S. P. Parkin, Science, 320, 209 (2008).
11. D. S. Jeong, H. Schroeder, and R. Waser, Appl. Phys. Lett., 89, 082909 (2006).
12. J. Y. Son and Y. H. Shin, Appl. Phys. Lett., 92, 222106 (2008).
13. D. Lee, D. J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett., 90, 122104 (2007).
14. S. Karg, G. I. Meijer, D. Widmer, and J. G. Bednorz, Appl. Phys. Lett., 89, 072106 (2006).
15. K. Scot, W. Speier, G. Bihlmayer, and R. Waser, Nature Mater., 5, 312 (2006).
16. M. P. Singh, L. Ḿchin, W. Prellier, and M. Maglione, Appl. Phys. Lett., 89, 202906 (2006).
17. K. Terabe, T. Hasegawa, T. Nakayama, and M. Aono, Nature, 433, 47 (2005).
18. S. Kaeriyama, T. Sakamoto, H. Sunamura, M. Mizuno, H. Kawaura, T. Hasegawa, K. Terabe, T. Nakayama, and M. Aono, IEEE J. Solid-State Circuits, 40, 168 (2005).
19. L. Goux, J. G. Lisoni, T. Gille, K. Attenborough, and D. J. Wouters, Electrochem. Solid-State Lett., 11, H245 (2008).
20. X. F. Liang, Y. Chen, L. Chen, J. Yin, and Z. G. Liu, Appl. Phys. Lett., 90, 022508 (2007).
21. B. O. Regan and D. T. Schwartz, Chem. Mater., 7, 1349 (1995).
22. B. O. Regan, F. Lenzmann, R. Muis, and J. Wienke, Chem. Mater., 14, 5023 (2002).
23. G. R. R. A. Kumara, A. Konno, G. K. R. Senadeera, P. V. V. Jayaweera, D. B. R. A. De Silva, and K. Tennakone, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 69, 195 (2001).
24. B. R. Sankapal, E. Goncalves, A. Ennaouui, and M. C. H. Lux-Steiner, Thin Solid Films, 451, 128 (2004).
25. J. F. Bringley, R. S. Eachus, and A. P. Marchetti, J. Phys. Chem. B, 106, 5346 (2002).
26. K. Rajeshwar, N. R. Tacconi, and C. R. Chenthamarkshan, Chem. Mater., 13, 2765 (2001).
27. W. W. Bing, Z. G. Jin, Z. Hua, Y. N. Fu, and J. J. Qiu, Electrochim. Acta, 50, 2343 (2005).
28. Y. Ni, Z. G. Jin, and Y. N. Fu, J. Am. Ceram. Soc., 90, 2966 (2007).
29. N. R. Tacconi, Y. Son, and K. Rajeshwar, J. Phys. Chem., 97, 1042 (1993).
30. D. Persson and C. Leygraf, J. Electrochem. Soc., 140, 1256 (1993).
31. K. Ozawa, Y. Oba, and K. Edamoto, Surf. Sci., 601, 3125 (2007).
32. H. P. Feng, J. Y. Lin, Y. Y. Wang, and C. C. Wan, J. Electrochem. Soc., 155, H620 (2008).
33. I. Platzman, R. Brener, H. Haick, and R. Tannenbaum, J. Phys. Chem. C, 112, 1101 (2008).
34. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang, J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, S. N. Seo, M. B. Pyun, Appl. Phys. Lett., 90, 042107 (2007).
35. H. B. Lv, M. Yin, X. F. Fu, Y. L. Song, L. Tang, P. Zhou, C. H. Zhao, T. A. Tang, B. A. Chen, and Y. Y. Lin, IEEE Electron Device Lett., 29, 309 (2008).
36. P. Zhou, H. B. Lv, M. Lin, L. Tang, Y. L. Song, T. A. Tang, Y. Y. Lin, A. Bao, A. Wu, S. Cai, J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 1030 (2008).
37. T. N. Fang, S. Kaza, S. Haddad, A. Chen, Y. C. Wu, Z. Lan, S. Avanzino, D. Liao, C. Gopalan, S. Choi, Tech. Dig.-Int. Electron Devices Meet., 2006, 439.
38. X. Guo, C. Schindler, S. Menzel, and R. Waser, Appl. Phys. Lett., 91, 133513 (2007).
39. P. E. Burrows, Z. Shen, V. Bulovic, D. M. McCary, and S. R. Forrest, J. Appl. Phys., 79, 7991 (1996).
40. P. Mark and W. Helfrich, J. Appl. Phys., 33, 205 (1962).
41. L. Chen, Y. D. Xia, X. F. Liang, K. B. Yin, J. Yin, Z. G. Liu, and Y. Chen, Appl. Phys. Lett., 91, 073511 (2007).
42. P. Canet, C. Laurent, J. Akinnifesi, and B. Despax, J. Appl. Phys., 72, 2423 (1992).
43. C. Rossel, G. I. Meijer, D. Bremaud, and D. Widmer, J. Appl. Phys., 90, 2892 (2001).
44. H. Ikeda, J. Appl. Phys., 91, 4637 (2002).
45. F. M. Hossain, J. Nishii, S. Takagi, A. Ohtomo, T. Fukumura, H. Fujioka, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, J. Appl. Phys., 94, 7768 (2003).
46. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, Appl. Phys. Lett., 77, 139 (2000).