Chemical vapor deposition of copper from CuI hexafluoroacetylacetonate trimethylvinylsilane for ultralarge scale integration applications

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 14, Issue 3, 1996, Pages 1828-1836

  Braeckelmann, Gregory ^a   Manger, Dirk ^a   Burke, Aaron ^a   Peterson, Gregory G ^a   Kaloyeros, Alain E ^a   Reidsema, Cindy ^b,e   Omstead, Thomas R ^c   Loan, James F ^d   Sullivan, John J ^d  

^a STATE UNIVERSITY OF NEW YORK   (United States)

^b SEMATECH   (United States)

^c CVC Products   (United States)

^d MKS Instruments   (United States)

^e MOTOROLA INC   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 5544255487     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.588563     Document Type: Article

References (25)

1. See, for instance, (a) M. H. Kiang, J. Tao, W. Namgoong, C. Hu, M. Liebermann, N. W. Cheung, H. -K. Kang, and S. S. Wong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 265, 187 (1992); (b) S. P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyeros, and W. A. Landford, Thin Solid Films 236, 257 (1993); (c) J. Nucci, H. Neves, Y. Shacham, E. Eisenbraun, B. Zheng, and A. Kaloyeros, Mater Res. Soc. Symp. Proc. 309, 377 (1993); (d) D. P. Tracy and D. B. Knorr, J. Electron. Mater. 22, 611 (1993).
2. See, for instance, (a) M. H. Kiang, J. Tao, W. Namgoong, C. Hu, M. Liebermann, N. W. Cheung, H. -K. Kang, and S. S. Wong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 265, 187 (1992); (b) S. P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyeros, and W. A. Landford, Thin Solid Films 236, 257 (1993); (c) J. Nucci, H. Neves, Y. Shacham, E. Eisenbraun, B. Zheng, and A. Kaloyeros, Mater Res. Soc. Symp. Proc. 309, 377 (1993); (d) D. P. Tracy and D. B. Knorr, J. Electron. Mater. 22, 611 (1993).
3. See, for instance, (a) M. H. Kiang, J. Tao, W. Namgoong, C. Hu, M. Liebermann, N. W. Cheung, H. -K. Kang, and S. S. Wong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 265, 187 (1992); (b) S. P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyeros, and W. A. Landford, Thin Solid Films 236, 257 (1993); (c) J. Nucci, H. Neves, Y. Shacham, E. Eisenbraun, B. Zheng, and A. Kaloyeros, Mater Res. Soc. Symp. Proc. 309, 377 (1993); (d) D. P. Tracy and D. B. Knorr, J. Electron. Mater. 22, 611 (1993).
4. See, for instance, (a) M. H. Kiang, J. Tao, W. Namgoong, C. Hu, M. Liebermann, N. W. Cheung, H. -K. Kang, and S. S. Wong, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 265, 187 (1992); (b) S. P. Murarka, R. J. Gutmann, A. E. Kaloyeros, and W. A. Landford, Thin Solid Films 236, 257 (1993); (c) J. Nucci, H. Neves, Y. Shacham, E. Eisenbraun, B. Zheng, and A. Kaloyeros, Mater Res. Soc. Symp. Proc. 309, 377 (1993); (d) D. P. Tracy and D. B. Knorr, J. Electron. Mater. 22, 611 (1993).
5. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
6. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
7. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
8. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
9. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
10. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
11. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
12. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
13. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
14. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
15. See, for instance, (a) A. V. Gelatos, R. Marsh, M. Kortke, and C. J. Mogab, Appl. Phys. Lett. 68, 2842 (1993); (b) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, SPIE Multilevel Interconnection, edited by H. H. Hoang, R. Schutz, J. B. Bernstein, and B. Vasquez, SPIE Proc. 2090, 1993, p. 63; (c) A. Jain, J. Karkas, K. -M. Chi, M. J. Hampden-Smith, and T. T. Kodas, Advanced Metallization for VLSI Applications 1992, edited by T. S. Cale and F. S. Pintchovski (Materials Research Society, Pittsburgh, PA, 1993), p. 83; (d) A. Jain, T. T. Kodas, R. Jairath, and M. J. Hampden-Smith, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 2107 (1993); (e) A. Jain, K. M. Chi, T. T. Kodas, and M. J. Hampden-Smith, J. Electrochem. Soc. 140, 1434 (1993); (f) J. A. T. Norman, B. A. Muratore, P. N. Dyer, D. A. Roberts, A. K. Houchberg, and L. H. Dubois, Mater. Sci. Eng. B 17, 87 (1993); (g) S. M. Fine, P. N. Dyer, and J. A. T. Norman, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 282, 329 (1993); (h) J. K. Choer, C. B. Ross, R. M. Crooks, and T. S. Corbitt, Langmuir 10, 615 (1994); (i) J. E. Parmeter, G. A. Petersen, P. M. Smith, C. A. Apblett, J. S. Reid, J. A. T. Norman, A. K. Hochberg, D. A. Roberts, and Thomas R. Omstead, J. Vac. Sci. Technol. B 13, 130 (1995); (j) J. -C. Chiou, K. -C. Juang, and M. -C. Chen, J. Electrochem. Soc. 142, 177 (1995); (k) T. Aoki, S. Wickramanayaka, A. W. Wrobel, Y. Nakanishi, and Y. Hatanaka, J. Electrochem. Soc. 142, 166 (1995).
16. S. Bhattacharya and C. Reidesma, SEMATECH Copper Benchmarking Progress Review, Austin, Texas, May 1995.
17. D. I. Fotiadis, S. Kieda, and K. F. Jensen, J Cryst. Growth 102, 441 (1990).
18. G. Doyle, K. A. Eriksen, and D. Van Engen, Organomet. 4, 830 (1985).
19. G. A. Petersen, J. A. Apblett, M. F. Gonzales, P. M. Smith, T. R. Omstead, and J. A. T. Norman, J. Electrochem. Soc. 142, 939 (1995).
20. A. Weber, U. Bringmann, K. Schiffmann, and C. -P. Klages, Mater. Res. Symp. Proc. 282, 311 (1993).
21. A. Weber, U. Bringmann, K. Schiffmann, and C.-P. Klages, Mater. Res. Symp. Proc. 282, 311 (1993).
22. B. Zheng, G. Braeckelmann, K. Kujawski, I. Lou, S. Lane, and A. E. Kaloyeros, J. Electrochem. Soc. 142, 3896 (1995).
23. See, for example, S. L. Cohen, M. Liehr, and S. Kasi, Appl. Phys Lett. 60, 50 (1992); N. Awaya and Y. Arita, Thin Solid Films 262, 12 (1995).
24. See, for example, S. L. Cohen, M. Liehr, and S. Kasi, Appl. Phys Lett. 60, 50 (1992); N. Awaya and Y. Arita, Thin Solid Films 262, 12 (1995).
25. M. M. IslamRaja, C. Chang, J. P. McVittie, M. A. Cappelli, and K. C. Saraswat, J. Vac. Sci. Technol. B 11, 720 (1993).