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Volumn 57, Issue 9, 2008, Pages 5923-5927

Study on electrical properties of n-GaN grown at low temperature by metal-organic vapor phase epitaxy

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Electron concentration; Mobility; n GaN

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EID: 53649084842     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.