-
1
-
-
0038271825
-
-
Bayer, M.; Korkusinski, M.; Hawrylak, P.; Gutbrod, T.; Michel, M.; Forchel, A. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 186801.
-
(2003)
Phys. Rev. Lett
, vol.90
, pp. 186801
-
-
Bayer, M.1
Korkusinski, M.2
Hawrylak, P.3
Gutbrod, T.4
Michel, M.5
Forchel, A.6
-
2
-
-
33646258284
-
-
Földi, P.; Kálmán, O.; Benedict, M. G.; Peeters, F. M. Phys. Rev. B 2006, 73, 155325.
-
(2006)
Phys. Rev. B
, vol.73
, pp. 155325
-
-
Földi, P.1
Kálmán, O.2
Benedict, M.G.3
Peeters, F.M.4
-
3
-
-
20144389395
-
-
Mano, T.; Kurada, T.; Sanguinetti, S.; Ochiai, T.; Tateno, T.; Kim, J.; Noda, T.; Kawabe, M.; Sakoda, K.; Kido, G.; Koguchi, N. Nano Lett. 2005, 5, 425.
-
(2005)
Nano Lett
, vol.5
, pp. 425
-
-
Mano, T.1
Kurada, T.2
Sanguinetti, S.3
Ochiai, T.4
Tateno, T.5
Kim, J.6
Noda, T.7
Kawabe, M.8
Sakoda, K.9
Kido, G.10
Koguchi, N.11
-
5
-
-
24744457909
-
-
Gong, Z.; Niu, Z. C.; Huang, S. S.; Fang, Z. D.; Sun, B. Q.; Xia, J. B. Appl. Phys. Lett. 2005, 87, 093116.
-
(2005)
Appl. Phys. Lett
, vol.87
, pp. 093116
-
-
Gong, Z.1
Niu, Z.C.2
Huang, S.S.3
Fang, Z.D.4
Sun, B.Q.5
Xia, J.B.6
-
6
-
-
33746294662
-
-
Huang, S. S.; Niu, Z. C.; Fang, Z. D.; Ni, H. Q.; Gong, Z.; Xia, J. B. Appl. Phys. Lett. 2006, 89, 031921.
-
(2006)
Appl. Phys. Lett
, vol.89
, pp. 031921
-
-
Huang, S.S.1
Niu, Z.C.2
Fang, Z.D.3
Ni, H.Q.4
Gong, Z.5
Xia, J.B.6
-
7
-
-
25444455634
-
-
Wang, Z. M.; Holmes, K.; Skultz, J. L.; Salamo, G. J. Phys. Status Solidi A 2005, 8, R85.
-
(2005)
Phys. Status Solidi A
, vol.8
-
-
Wang, Z.M.1
Holmes, K.2
Skultz, J.L.3
Salamo, G.J.4
-
8
-
-
33748884005
-
-
Lee, J. H.; Wang, Z. M.; Abuwaar, Z. Y.; Strom, N. W.; Salamo, J. G. Nanotechnology 2006, 17, 3973.
-
(2006)
Nanotechnology
, vol.17
, pp. 3973
-
-
Lee, J.H.1
Wang, Z.M.2
Abuwaar, Z.Y.3
Strom, N.W.4
Salamo, J.G.5
-
9
-
-
0037595525
-
-
Keyser, U. F.; Fühner, C.; Borck, S.; Haug, R. J.; Bichler, M.; Abstreiter, G.; Wegscheider, W. Phys. Rev. Lett. 2003, 90, 196601.
-
(2003)
Phys. Rev. Lett
, vol.90
, pp. 196601
-
-
Keyser, U.F.1
Fühner, C.2
Borck, S.3
Haug, R.J.4
Bichler, M.5
Abstreiter, G.6
Wegscheider, W.7
-
11
-
-
34547451209
-
-
Hanke, M.; Mazur, Y. I.; Marega, E.; AbuWaar, Z. Y., Jr.; Salamo, G. J.; Schäfer, P.; Schmidbauer, M. Appl. Phys. Lett. 2007, 91, 043103.
-
(2007)
Appl. Phys. Lett
, vol.91
, pp. 043103
-
-
Hanke, M.1
Mazur, Y.I.2
Marega, E.3
AbuWaar Jr., Z.Y.4
Salamo, G.J.5
Schäfer, P.6
Schmidbauer, M.7
-
12
-
-
34247274085
-
-
Yu, L. W.; Chen, K. J.; Song, J.; Xu, J.; Li, W.; Li, X. F.; Wang, M.; Huang, X. F. Phys. Rev. Lett. 2007, 98, 166102.
-
(2007)
Phys. Rev. Lett
, vol.98
, pp. 166102
-
-
Yu, L.W.1
Chen, K.J.2
Song, J.3
Xu, J.4
Li, W.5
Li, X.F.6
Wang, M.7
Huang, X.F.8
-
13
-
-
34547569717
-
-
Robinson, J. T.; Evans, P. G.; Liddle, J. A.; Dubon, O. D. Nano Lett. 2007, 7, 2009.
-
(2007)
Nano Lett
, vol.7
, pp. 2009
-
-
Robinson, J.T.1
Evans, P.G.2
Liddle, J.A.3
Dubon, O.D.4
-
17
-
-
20344370013
-
-
Wang, C. X.; Wang, B.; Yang, Y. H.; Yang, G. W. J. Phys. Chem. B 2005, 109, 9966.
-
(2005)
J. Phys. Chem. B
, vol.109
, pp. 9966
-
-
Wang, C.X.1
Wang, B.2
Yang, Y.H.3
Yang, G.W.4
-
18
-
-
0034229859
-
-
Guyer, J. E.; Barnett, S. A.; Voorhees, P. W. J. Cryst. Growth 2000, 217, 1.
-
(2000)
J. Cryst. Growth
, vol.217
, pp. 1
-
-
Guyer, J.E.1
Barnett, S.A.2
Voorhees, P.W.3
-
19
-
-
0033076695
-
-
Mirbt, S.; Moll, N.; Kley, A.; Joannopoulos, J. D. Surf. Sci. 1999, 422, L177.
-
(1999)
Surf. Sci
, vol.422
-
-
Mirbt, S.1
Moll, N.2
Kley, A.3
Joannopoulos, J.D.4
-
20
-
-
24644499976
-
-
Nagata, T.; Ahmet, P.; Sekiguchi, T.; Chikyow, T. J. Cryst. Growth 2005, 285, 328.
-
(2005)
J. Cryst. Growth
, vol.285
, pp. 328
-
-
Nagata, T.1
Ahmet, P.2
Sekiguchi, T.3
Chikyow, T.4
-
21
-
-
0142103220
-
-
Zhang, J. M.; Ma, F.; Xu, K. W.; Xin, X. T. Surf. Interface Anal. 2003, 35, 805.
-
(2003)
Surf. Interface Anal
, vol.35
, pp. 805
-
-
Zhang, J.M.1
Ma, F.2
Xu, K.W.3
Xin, X.T.4
-
23
-
-
33947317755
-
-
Wang, Z. M.; Liang, B. L.; Sablon, K. A.; Salamo, G. J. Appl. Phys. Lett. 2007, 90, 113120.
-
(2007)
Appl. Phys. Lett
, vol.90
, pp. 113120
-
-
Wang, Z.M.1
Liang, B.L.2
Sablon, K.A.3
Salamo, G.J.4
-
24
-
-
34347328201
-
-
Zhu, R.; Pan, E.; Chung, P. W. Phys. Rev. B 2007, 75, 205339.
-
(2007)
Phys. Rev. B
, vol.75
, pp. 205339
-
-
Zhu, R.1
Pan, E.2
Chung, P.W.3
-
25
-
-
53349108092
-
-
It was reported that the first monolayer of Ga is consumed for the formation of GaAs layer and that the rest of Ga form droplets on the GaAs layer as in ref 4
-
It was reported that the first monolayer of Ga is consumed for the formation of GaAs layer and that the rest of Ga form droplets on the GaAs layer as in ref 4.
-
-
-
|