Improved surface morphology in GaN homoepitaxy by NH 3-source molecular-beam epitaxy

Journal of Vacuum Science and Technology B: Microelectronics and Nanometer Structures

Volumn 22, Issue 4, 2004, Pages 2158-2164

  Koida, T ^a,b   Uchinuma, Y ^a   Kikuchi, J ^a   Wang, K R ^a,e   Terazaki, M ^a   Onuma, T ^a   Keading, J F ^b,c   Sharma, R ^b,c   Nakamura, S ^b,c   Chichibu, S F ^a,b,d  

^a UNIVERSITY OF TSUKUBA   (Japan)

^b JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY   (Japan)

^c University of California   (United States)

^d RIKEN   (Japan)

^e NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

HETEROINTERFACES; NONRADIATIVE DEFECTS; REFLECTION HIGH-ENERGY ELECTRON DIFFRACTION (RHEED); TEMPLATE INTERFACE CONTROL;

AMMONIA; ATOMIC FORCE MICROSCOPY; ELECTRON DIFFRACTION; EPITAXIAL GROWTH; GRAIN BOUNDARIES; GRAIN SIZE AND SHAPE; HETEROJUNCTIONS; MASS SPECTROMETERS; MOLECULAR BEAM EPITAXY; MONOLAYERS; MORPHOLOGY; PHOTOLUMINESCENCE; PYROLYSIS; SURFACE ROUGHNESS; THERMODYNAMIC STABILITY; VAPOR PHASE EPITAXY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 4944264750     PISSN: 10711023     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.1775202     Document Type: Conference Paper

References (45)

1. For example, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997); Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes edited by S. Nakamura and S. F. Chichibu (Taylor & Francis, London, 2000).
2. For example, see S. Nakamura and G. Fasol, The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 1997); Introduction to Nitride Semiconductor Blue Lasers and Light Emitting Diodes edited by S. Nakamura and S. F. Chichibu (Taylor & Francis, London, 2000).
3. I. Akasaki and H. Amano, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 5393 (1997).
4. T. Mukai, M. Yamada, and S. Nakamura, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 3976 (1999).
5. S. Nagahama et al., Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L647 (2000).
6. M. J. Murphy et al., Appl. Phys. Lett. 75, 3653 (1999).
7. A. Thamm, O. Brandt, Y. Takemura, A. Trampert, and K. H. Ploog, Appl. Phys. Lett. 75, 944 (1999).
8. S. A. Nikishin et al., Appl. Phys. Lett. 75, 2073 (1999).
9. C. R. Elsass et al., Appl. Phys. Lett. 74, 3528 (1999).
10. M. J. Manfra et al., J. Appl. Phys. 92, 338 (2002).
11. E. Frayssinet et al., Appl. Phys. Lett. 77, 2551 (2000).
12. M. Mesrine, N. Grandjean, and J. Massies, Appl. Phys. Lett. 72, 350 (1998).
13. W. Kim, Ö. Aktas, A. E. Botcharev, A. Salvador, S. N. Mohammad, and H. Morkoç, J. Appl. Phys. 79, 7657 (1996).
14. N. Grandjean, M. Leroux, M. Mesrine, and M. Laügt, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 38, 618 (1999).
15. R. Held, G. Nowak, B. E. Ishaug, S. M. Seutter, A. Parkhomovsky, A. M. Dabiran, P. I. Cohen, I. Grzegory, and S. Porowski, J. Appl. Phys. 85, 7697 (1999).
16. A. Parkhomovsky, A. M. Dabiran, B. Benjaminsson, and P. I. Cohen, Appl. Phys. Lett. 78, 2315 (2001).
17. R. J. Molnar and T. D. Moustakas, J. Appl. Phys. 76, 4587 (1994).
18. E. J. Tarsa, B. Keying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997); B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, ibid. 88, 1855 (2000).
19. E. J. Tarsa, B. Keying, X. H. Wu, P. Fini, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, J. Appl. Phys. 82, 5472 (1997); B. Heying, R. Averbeck, L. F. Chen, E. Haus, H. Riechert, and J. S. Speck, ibid. 88, 1855 (2000).
20. O. Ambacher, M. S. Brandt, R. Dimitrov, T. Metzger, M. Stutzmann, R. A. Fischer, A. Miehr, A. Bergmaier, and G. DolliNger, J. Vac. Sci. Technol. B 14, 3532 (1996).
21. R. Groh, G. Gerey, L. Bartha, and I. Pankove, Phys. Status Solidi A 26, 353 (1974).
22. Z. A. Munir and A. W. Scarcy, J. Chem. Phys. 42, 4223 (1965).
23. B. Monemar, Phys. Rev. B 10, 676 (1974).
24. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 79, 2784 (1996); S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204 (1998).
25. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 79, 2784 (1996); S. Chichibu, T. Sota, K. Wada, and S. Nakamura, J. Vac. Sci. Technol. B 16, 2204 (1998).
26. W. Shan, T. J. Shumidt, X. H. Yang, J. J. Song, and B. Goldenberg, Appl. Phys. Lett. 66, 985 (1995).
27. B. Monemar, J. P. Bergman, I. A. Buyanova, H. Amano, I. Akasaki, T. Detchprohm, K. Hiramatsu, and N. Sawaki, Solid-State Electron. 41, 239 (1997).
28. S. Chichibu, A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 68, 3766 (1996); A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
29. S. Chichibu, A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, Appl. Phys. Lett. 68, 3766 (1996); A. Shikanai, T. Azuhata, T. Sota, S. Chichibu, A. Kuramata, K. Horino, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 81, 417 (1997).
30. S. Chichibu, T. Azuhata, T. Sota, H. Amano, and I. Akasaki, Appl. Phys. Lett. 70, 2085 (1997).
31. E. F. Schubert, I. D. Goepfert, W. Grieshaber, and J. M. Redwing, Appl. Phys. Lett. 71, 921 (1997).
32. K. Saarinen et al., Phys. Rev. Lett. 79, 3030 (1997).
33. J. Neugebauer and C. G. Van de Walle, Appl. Phys. Lett. 69, 503 (1996).
34. R. Krause-Rehberg and H. S. Leipner, Positron Annihilation in Semiconductors, Solid-State Sciences Vol. 127 (Springer, Berlin, 1999).
35. A. Uedono, S. F. Chichibu, Z. Q. Chen, M. Sumiya, R. Suzuki, T. Ohdaira, T. Mikado, T. Mukai, and S. Nakamura, J. Appl. Phys. 90, 181 (2001).
36. E. S. Hellman, MRS Internet J. Nitride Semicond. Res. 3, 11 (1998).
37. S. Shimizu, Y. Suzuki, T. Nishihara, S. Hayashi, and M. Shinohara, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 37, L703 (1998).
38. X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, and S. Shimizu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 39, L16 (2000).
39. F. A. Ponce, D. P. Bour, W. T. Young, M. Saunders, and J. W. Steeds, Appl. Phys. Lett. 69, 337 (1996).
40. X. Q. Shen, T. Ide, S. H. Cho, M. Shimizu, S. Hara, H. Okumura, S. Sonoda, and S. Shimizu, J. Cryst. Growth 218, 155 (2000).
41. D. C. Look and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett. 70, 3377 (1997).
42. S. F. Chichibu et al., Appl. Phys. Lett. 74, 1460 (1999).
43. T. Onuma et al., J. Appl. Phys. 95, 2495 (2004).
44. M. Sugiyama, T. Nosaka, T. Suzuki, T. Koida, K. Nakajima, T. Aoyama, M. Sumiya, T. Chikyow, A. Uedono, and S. F. Chichibu, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 43, 958 (2004).
45. T. Koida, S. F. Chichibu, A. Uedono, A. Tsukazaki, M. Kawasaki, T. Sota, Y. Segawa, and H. Koinuma, Appl. Phys. Lett. 82, 532 (2003).