Reduction of surface-induced current collapse in AlGaN/GaN HFETs on freestanding GaN substrates

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 7, Issue 9, 2004, Pages

  Irokawa, Y ^a   Luo, B ^b   Ren, F ^b   Gila, B P ^b   Abernathy, C R ^b   Pearton, S J ^b   Pan, C C ^c   Chen, G T ^c   Chyi, J I ^c   Park, S S ^d   Park, Y J ^d  

^a Toyota Ctrl Research Devmt Labs   (Japan)

^b University of Florida   (United States)

^c NATIONAL CENTRAL UNIVERSITY   (Taiwan)

^d Samsung Advanced Institute of Technology (SAIT)   (South Korea)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DISLOCATIONS (CRYSTALS); ELECTRIC CURRENTS; ELECTRIC POTENTIAL; FIELD EFFECT TRANSISTORS; MICROWAVES; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

DISLOCATION DENSITY; MICROWAVE POWER TRANSISTORS; SURFACE PASSIVATION; TENSILE STRAIN;

ALUMINUM COMPOUNDS;

EID: 4944233248     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.1778933     Document Type: Article

References (29)

1. L. F. Eastman, V. Tilak, J. Smart, B. M. Green, E. M. Chumbes, R. Dimitrov, H. Kim, O. S. Ambacher, N. Weimann, T. Prunty, M. Murphy, W. S. Schaff, and J. R. Shealy, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 479 (2001).
2. U. K. Mishra, P. Parikh, and Y.-F. Wu, Proc. IEEE, 90, 1022 (2002).
3. A. T. Ping, E. Piner, J. Redwing, M. Asif Khan, and I. Adesida, Electron. Lett., 36, 175 (2000).
4. M. Asif Khan, J. W. Yang, W. Knap, E. Frayssinet, X. Hu, G. Simin, P. Prystawko, M. Leszczynski, I. Grzegory, S. Porowski, R. Gaska, M. S. Shur, B. Beaumont, M. Teisseire, and G. Neu, Appl. Phys. Lett., 76, 3807 (2000).
5. S. C. Binari, K. Ikossi, J. A. Roussons, W. Kruppa, D. Park, H. B. Dietrich, D. D. Koleske, A. E. Wickenden, and R. L. Henry, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 465 (2001).
6. W. Lu, J. Yang, M. Asif Khan, and I. Adesida, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 581 (2001).
7. Y. F. Wu, D. Kapolnek, J. P. Ibbetson, P. Parikh, B. P. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 586 (2001).
8. M. S. Shur, Solid-State Electron., 42, 2131 (1998).
9. R. Vetury, N. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 560 (2001).
10. P. B. Klein, S. C. Binari, K. Ikossi, A. E. Wickenden, D. D. Koleske, and R. L. Henry, Appl. Phys. Lett., 79, 3527 (2001).
11. S. T. Bradley, A. P. Young, L. J. Brillson, M. J. Murphy, W. J. Schaff, and L. E. Eastman, IEEE Trans. Electron Devices, 48, 412 (2001).
12. P. J. Hansen, Y. E. Strausser, A. N. Erickson, E. J. Tarsa, P. Kozodoy, E. G. Brazel, J. P. Ibbetson, U. Mishra, V. Narayanamurti, S. P. DenBaars, and J. S. Speck, Appl. Phys. Lett., 72, 2247 (1998).
13. I. Daumiller, D. Theron, C. Gaquiere, A. Vescan, R. Dietrich, A. Wieszt, H. Leier, R. Vetury, U. K. Mishra, I. P. Smorchkova, S. Keller, C. Nguyen, and E. Kohn, IEEE Trans. Electron Devices, 22, 62 (2001).
14. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett., 21, 268 (2000).
15. B. Luo, J. W. Johnson, J. Kim, R. M. Mehandru, F. Ren, B. P. Gila, A. H. Onstine, C. R. Abernathy, S. J. Pearton, A. G. Baca, R. D. Briggs, R. J. Shul, C. Monier, and J. Han, Appl. Phys. Lett., 80, 1661 (2002).
16. A. Vertiatchikh, L. F. Eastman, W. J. Schaff, and I. Prunty, Electron. Lett., 38, 388 (2002).
17. E. G. Brazel, M. A. Chin, and V. Narayanamurti, Appl. Phys. Lett., 74, 2367 (1999).
18. K. Shiojima, T. Suemitsu, and M. Ogura, Appl. Phys. Lett., 78, 3636 (2002).
19. T. Hashizume and R. Nakasaki, Appl. Phys. Lett., 80, 4564 (2001).
20. A. P. Zhang, L. B. Rowland, E. B. Kaminsky, V. Tilak, J. C. Grande, J. Teetsov, A. Vertiatchikh, and L. F. Eastman, J. Electron. Mater., 32, 388 (2003).
21. O. Mitrofanov, M. Manfra, and N. Weimann, Appl. Phys. Lett., 82, 4361 (2003); O. Mitrofanov and M. Manfra, Appl. Phys. Lett. 84, 422 (2004).
22. O. Mitrofanov, M. Manfra, and N. Weimann, Appl. Phys. Lett., 82, 4361 (2003); O. Mitrofanov and M. Manfra, Appl. Phys. Lett. 84, 422 (2004).
23. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikamn, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 25, 7 (2004); R. Coffie, L. Shen, G. Parish, A. Chini, D. Buttari, S. Heikman, S. Keller, and U. K. Mishra, Electron. Lett., 39, 1419 (2003).
24. L. Shen, R. Coffie, D. Buttari, S. Heikamn, A. Chakraborty, A. Chini, S. Keller, S. P. Den Baars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett., 25, 7 (2004); R. Coffie, L. Shen, G. Parish, A. Chini, D. Buttari, S. Heikman, S. Keller, and U. K. Mishra, Electron. Lett., 39, 1419 (2003).
25. S. S. Park, I. W. Park, and S. H. Choh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 39, L1141 (2000).
26. E. Oh, S. K. Lee, S. S. Park, K. Y. Lee, I. J. Song, and J. Y. Han, Appl. Phys. Lett., 78, 273 (2001).
27. D. Huang, F. Yun, M. A. Reshchikov, D. Wang, H. Morkoç, D. L. Rode, L. A. Farina, Ç. Kurdak, K. T. Tsen, S. S. Park, and K. Y. Lee, Solid-State Electron., 45, 711 (2001).
28. M. S. Shur, GaAs Devices and Circuits, Plenum, New York (1987).
29. J. W. P. Hsu, M. J. Manfra, S. N. G. Chu, C. H. Chen, L. N. Pfeiffer, and R. J. Molnar, Appl. Phys. Lett., 78, 3980 (2001).