Modeling of avalanche multiplication and excess noise factor in In 0.52Al0.48As avalanche photodiodes using a simple Monte Carlo model

Journal of Applied Physics

Volumn 104, Issue 1, 2008, Pages

  Mun, S C Liew Tat ^a   Tan, C H ^a   Goh, Y L ^a   Marshall, A R J ^a   David, J P R ^a  

^a UNIVERSITY OF SHEFFIELD   (United Kingdom)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

AVALANCHES (SNOWSLIDES);

AVALANCHE MULTIPLICATION; EXCESS NOISE FACTOR; MONTE CARLO MODELLING;

SNOW;

EID: 47749110242     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2952003     Document Type: Article

References (31)

1. F. Capasso, K. Mohammed, K. Alavi, A. Y. Cho, and P. W. Foy, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.95467 45, 968 (1984).
2. I. Watanabe, T. Torikai, K. Makita, K. Fukushima, and T. Uji, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.62988 11, 437 (1990).
3. Y. L. Goh, D. J. Massey, A. J. R. Marshall, J. S. Ng, C. H. Tan, W. K. Ng, G. J. Rees, M. Hopkinson, J. P. R. David, and S. K. Jones, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/TED.2006.887229 54, 11 (2007).
4. T. Nakata, T. Takeuchi, I. Watanabe, K. Makita, and T. Torikai, Electron. Lett. 0013-5194 10.1049/el:20001421 36, 2033 (2000).
5. M. M. Hayat, O. Kwon, Y. Pan, P. Sotirelis, J. C. Campbell, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 49, 770 (2002).
6. C. Lenox, P. Yuan, H. Nie, O. Baklenov, J. C. Campbell, A. L. Holmes, Jr., and B. G. Streetman, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.122000 73, 783 (1998).
7. Y. L. Goh, A. R. J. Marshall, D. J. Massey, J. S. Ng, C. H. Tan, M. Hopkinson, J. P. R. David, S. K. Jones, C. C. Button, and S. M. Pinches, IEEE J. Quantum Electron. 0018-9197 10.1109/JQE.2007.897900 43, 503 (2007).
8. A. R. J. Marshall, Y. L. Goh, L. J. J. Tan, C. H. Tan, J. S. Ng, and J. P. R. David, Lasers and Electro-Optics Annual Meeting of the IEEE, 789-790, Oct. 2006.
9. R. T. Webster, S. Wu, and A. F. M. Anwa, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.841293 21, 193 (2000).
10. C. Kazmierski, D. Robein, and Y. Gao, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/0022-0248(92)90116-Z 116, 75 (1992).
11. N. Otsuka, M. Kito, M. Ishino, Y. Matsui, and F. Toujou, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.368696 84, 4239 (1998).
12. S. A. Plimmer, C. H. Tan, J. P. R. David, R. Grey, K. F. Li, and G. Rees, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125202 75, 2963 (1999).
13. F. Ma, N. Li, and J. C. Campbell, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/TED.2003.818149 50, 2291 (2003).
14. I. Watanabe, T. Torikai, and K. Taguchi, IEEE J. Quantum Electron. 31, 1826 (1995).
15. K. Brennan and K. Hess, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.29.5581 29, 5581 (1984).
16. R. J. McIntyre, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/T-ED.1966.15651 13, 164 (1966).
17. D. S. Ong, K. F. Li, G. J. Rees, J. P. R. David, and P. N. Robson, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.367111 83, 3426 (1998).
18. M. A. Saleh, M. M. Hayat, P. P. Sotirelis, A. L. Colmes, J. C. Campbell, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/16.974696 48, 2722 (2001).
19. S. A. Plimmer, J. P. R. David, D. S. Ong, and K. F. Li, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/16.753712 46, 769 (1999).
20. C. H. Tan, R. Ghin, J. P. R. David, G. J. Rees, and M. Hopkinson, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/18/8/314 18, 803 (2003).
21. P. J. Hambleton, S. A. Plimmer, J. P. R. David, G. J. Rees, and G. M. Dunn, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1432122 91, 2107 (2002).
22. C. Jacoboni and L. Reggiani, Rev. Mod. Phys. 0034-6861 10.1103/RevModPhys.55.645 55, 645 (1983).
23. A. Sleiman, J. L. Thobel, P. Bourel, F. Dessenne, and R. Fauquemebergue, Semicond. Sci. Technol. 0268-1242 10.1088/0268-1242/12/1/014 12, 69 (1997).
24. K. Brennan, IEEE Trans. Electron Devices 33, 1502 (1986).
25. T. Brudevoll, T. A. Fjeldly, J. Baek, and M. S. Shur, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.344524 67, 7373 (1990).
26. M. A. Littlejohn, J. R. Hauser, T. H. Glisson, D. K. Ferry, and J. W. Harrison, Solid-State Electron. 0038-1101 10.1016/0038-1101(78)90123-5 21, 107 (1978).
27. M. A. Littlejohn, K. W. Kim, and H. Tian, Properties of Lattice-Matched and Strained Indium Gallium Arsenide (The Institution of Electrical Engineers, London, 1993), p. 107.
28. L. V. Keldysh, Sov. Phys. JETP 10, 509 (1960). 0038-5646
29. B. K. Ridley, J. Phys. C 0022-3719 10.1088/0022-3719/16/17/020 16, 3373 (1983).
30. J. Allam, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1 36, 1529 (1997).
31. M. M. Hayat, O. H. Kwon, S. Wang, J. C. Campbell, B. E. A. Saleh, and M. C. Teich, IEEE Trans. Electron Devices 0018-9383 10.1109/TED.2002.805573 49, 2114 (2002).