Electrical properties and fatigue behaviors of ZrO2 resistive switching thin films

Journal of the Electrochemical Society

Volumn 155, Issue 8, 2008, Pages

  Lin, Chih Yang ^a   Wang, Sheng Yi ^a   Lee, Dai Ying ^a   Tseng, Tseung Yuen ^a,b  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

^b NATIONAL TAIPEI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CHARGE CARRIERS; ELECTRIC PROPERTIES; FARM BUILDINGS; FILAMENTS (LAMP); MECHANISMS; MOS DEVICES; OXYGEN; SULFATE MINERALS; SWITCHING; SWITCHING SYSTEMS; THICK FILMS;

(E ,2E) THEORY; CARRIER CONDUCTION; ELECTRICAL (ELECTRONIC) PROPERTIES; ELECTROCHEMICAL SOCIETY (ECS); INTERFACE LAYERS; INTERFACE LAYERS (IL); ION MIGRATION; MEMORY STATES; RESISTIVE SWITCHING; ROOM-TEMPERATURE (RT); SPACE CHARGE LIMITED CURRENT (SCLC);

PLATINUM;

EID: 46649095872     PISSN: 00134651     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2946430     Document Type: Article

References (29)

1. A. Sawa, T. Fujii, M. Kawasaki, and Y. Tokura, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1812580, 85, 4073 (2004).
2. D. S. Shang, L. D. Chen, Q. Wang, W. Q. Zhang, Z. H. Wu, and X. M. Li, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2364055, 89, 172102 (2006).
3. A. Beck, J. G. Bednorz, Ch. Gerber, C. Rossel, and D. Widmer, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126902, 77, 139 (2000).
4. C. C. Lin, B. C. Tu, C. C. Lin, C. H. Lin, and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/LED.2006.880660, 27, 725 (2006).
5. M. Janousch, G. I. Meijer, U. Staub, B. Delley, S. F. Karg, and B. P. Andreasson, Adv. Math. 0001-8708 10.1002/adma.200602915, 19, 2232 (2007).
6. D. C. Kim, S. Seo, S. E. Ahn, D. -S. Suh, M. J. Lee, B. H. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2204649, 88, 202102 (2006).
7. D. C. Kim, M. J. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. C. Park, I. K. Yoo, I. G. Baek, H. J. Kim, E. K. Yim, J. E. Lee, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2210087, 88, 232106 (2006).
8. K. Kinoshita, T. Tamura, M. Aoki, Y. Sugiyama, and H. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2339032, 89, 103509 (2006).
9. R. Jung, M. J. Lee, S. Seo, D. C. Kim, G. S. Park, K. Kim, S. Ahn, Y. Park, I. K. Yoo, J. S. Kim, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2755712, 91, 022112 (2007).
10. C. B. Lee, B. S. Kang, M. J. Lee, S. E. Ahn, G. Stefanovich, W. X. Xianyu, K. H. Kim, J. H. Hur, H. X. Yin, Y. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2769759, 91, 082104 (2007).
11. M. Fujimoto, H. Koyama, M. Konagai, Y. Hosoi, K. Ishihara, S. Ohnishi, and N. Awaya, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2397006, 89, 223509 (2006).
12. K. M. Kim, B. J. Choi, D. S. Jeong, C. S. Hwang, and S. Han, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2361268, 89, 162912 (2006).
13. K. M. Kim, B. J. Chi, and C. S. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2748312, 90, 242906 (2007).
14. R. Dong, D. S. Lee, W. F. Xiang, S. J. Oh, D. J. Seong, S. H. Heo, H. J. Choi, M. J. Kwon, S. N. Seo, M. B. Pyun, M. Hasan, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2436720, 90, 042107 (2007).
15. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, C. Hu, and T. Y. Tseng, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2750450, 154, G189 (2007).
16. D. Lee, H. Choi, H. Sim, D. Choi, H. Hwang, M. J. Lee, S. A. Seo, and I. K. Yoo, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/LED.2005.859625, 26, 900 (2005).
17. S. Kim, I. Byun, I. Hwang, J. Kim, J. Choi, B. H. Park, S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, D. S. Suh, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2, 44, L345 (2005).
18. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. Y. Lee, F. L. Yang, C. Hu, and T. Y. Tseng, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/LED.2007.894652, 28, 366 (2007).
19. X. Wu, P. Zhou, J. Li, L. Y. Chen, H. B. Li, Y. Y. Lin, and T. A. Tang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2734900, 90, 183507 (2007).
20. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. Wu, T. Y. Tseng, and C. Hu, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2802990, 102, 094101 (2007).
21. C. Y. Lin, C. Y. Wu, C. Y. C. C. Lin, and T. Y. Tseng, Thin Solid Films, 516, 444 (2007).
22. A. K. Jonsson, G. A. Niklasson, and M. Veszelei, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/S0040-6090(01)01715-1, 402, 242 (2002).
23. W. Guan, S. Long, R. Jia, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2760156, 91, 062111 (2007).
24. Q. Liu, W. Guan, S. Long, R. Jia, M. Liu, and J. Chen, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2832660, 92, 012117 (2008).
25. I. G. Baek, D. C. Kim, M. J. Lee, H. J. Kim, E. K. Yim, M. S. Lee, J. E. Lee, S. E. Ahn, S. Seo, J. H. Lee, in IEDM Technical Digest, p. 750 (2005).
26. F. C. Chiu, Z. H. Lin, C. W. Chang, C. C. Wang, K. F. Chuang, C. Y. Huang, J. Y. Lee, and H. L. Hwang, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1846131, 97, 034506 (2005).
27. D. S. Jeong, B. J. Choi, and C. S. Hwang, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2399332, 100, 113724 (2006).
28. Y. Sato, K. Kinoshita, M. Aoki, and Y. Sugiyama, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2431792, 90, 033503 (2007).
29. D. Lee, D. J. Seong, I. Jo, F. Xiang, R. Dong, S. Oh, and H. Hwang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2715002, 90, 122104 (2007).