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Volumn , Issue , 2006, Pages 141-142

Source/drain extension region engineering in nanoscale double gate MOSFETs for low-voltage analog applications

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EID: 43749124852     PISSN: 1078621X     EISSN: None     Source Type: Conference Proceeding    
DOI: 10.1109/SOI.2006.284475     Document Type: Conference Paper
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.