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Volumn 52, Issue 4, 2008, Pages 1103-1108

Atomic layer deposition of HfO2 thin films on ultrathin SiO 2 formed by remote plasma oxidation

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ALD; Buffer layer; High k dielectrics; Interfacial layer

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EID: 43149092699     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.52.1103     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.