Dynamical step edge stiffness on the Si(111) surface

Physical Review Letters

Volumn 76, Issue 1, 1996, Pages 94-97

  Latyshev, A V ^a,b   Minoda, H ^a   Tanishiro, Y ^a   Yagi, K ^a  

^a TOKYO INSTITUTE OF TECHNOLOGY   (Japan)

^b INSTITUTE OF SEMICONDUCTOR PHYSICS   (Russian Federation)

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EID: 4243471416     PISSN: 00319007     EISSN: 10797114     Source Type: Journal    
DOI: 10.1103/PhysRevLett.76.94     Document Type: Article

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