Photoluminescence from highly excited AlN epitaxial layers

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 13, 2008, Pages

  Yamada, Yoichi ^a   Choi, Kihyun ^a   Shin, Seungho ^a   Murotani, Hideaki ^a   Taguchi, Tsunemasa ^a   Okada, Narihito ^b   Amano, Hiroshi ^b  

^a YAMAGUCHI UNIVERSITY   (Japan)

^b MEIJO UNIVERSITY   (Japan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ALUMINUM COMPOUNDS; BINDING ENERGY; EXCITONS; OPTICAL PROPERTIES; PHOTOEXCITATION; PHOTOLUMINESCENCE;

ALUMINUM NITRIDE; BIEXCITONS; ENERGY SEPARATION; OPTICAL REFLECTANCE SPECTROSCOPY; RADIATIVE RECOMBINATION;

EPITAXIAL LAYERS;

EID: 41649088818     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2906894     Document Type: Article

References (22)

1. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Nature (London) 441, 325 (2006).
2. T. Onuma, S. F. Chichibu, T. Sota, K. Asai, S. Sumiya, T. Shibata, and M. Tanaka, Appl. Phys. Lett. 81, 652 (2002).
3. E. Kuokstis, J. Zhang, Q. Fareed, J. W. Yang, G. Simin, M. A. Khan, R. Gaska, M. Shur, J. C. Rojo, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 81, 2755 (2002).
4. J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 81, 3365 (2002).
5. K. B. Nam, J. Li, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 82, 1694 (2003).
6. J. A. Freitas, Jr., G. C. B. Braga, E. Silveira, J. G. Tischler, and M. Fatemi, Appl. Phys. Lett. 83, 2584 (2003).
7. J. Li, K. B. Nam, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, H. X. Jiang, P. Carrier, and S.-H. Wei, Appl. Phys. Lett. 83, 5163 (2003).
8. E. Silveira, J. A. Freitas, Jr., M. Kneissl, D. W. Treat, N. M. Johnson, G. A. Slack, and L. J. Schowalter, Appl. Phys. Lett. 84, 3501 (2004).
9. L. Chen, B. J. Skromme, R. F. Dalmau, R. Schlesser, Z. Sitar, C. Chen, W. Sun, J. Yang, M. A. Khan, M. L. Nakarmi, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 85, 4334 (2004).
10. E. Silveira, J. A. Freitas, Jr., O. J. Glembocki, G. A. Slack, and L. J. Schowalter, Phys. Rev. B 71, 041201 (R) (2005).
11. Y. Taniyasu, M. Kasu, and T. Makimoto, Appl. Phys. Lett. 90, 261911 (2007).
12. B. N. Pantha, N. Nepal, T. M. Al Tahtamouni, M. L. Nakarmi, J. Li, J. Y. Lin, and H. X. Jiang, Appl. Phys. Lett. 91, 121117 (2007).
13. C. Klingshirn and H. Haug, Phys. Rep. 70, 315 (1981).
14. N. Okada, N. Kato, S. Sato, T. Sumii, N. Fujimoto, M. Imura, K. Balakrishnan, M. Iwaya, S. Kamiyama, H. Amano, I. Akasaki, T. Takagi, T. Noro, and A. Bandoh, J. Cryst. Growth 300, 141 (2007).
15. R. T. Phillips, D. J. Lovering, G. J. Denton, and G. W. Smith, Phys. Rev. B 45, 4308 (1992).
16. Y. Yamada, Wide Bandgap Semiconductors: Fundamental Properties and Modern Photonic and Electronic Devices, edited by, K. Takahashi, A. Yoshikawa, and, A. Sandhu, (Springer, Berlin, 2007), p. 56.
17. O. Akimoto and E. Hanamura, J. Phys. Soc. Jpn. 33, 1537 (1972).
18. W. F. Brinkman, T. M. Rice, and B. Bell, Phys. Rev. B 8, 1570 (1973).
19. W.-H. Huang, Phys. Status Solidi B 60, 309 (1973).
20. Y. Yamada, Y. Ueki, K. Nakamura, T. Taguchi, Y. Kawaguchi, A. Ishibashi, and T. Yokogawa, Appl. Phys. Lett. 84, 2082 (2004).
21. Y. Yamada, Y. Ueki, K. Nakamura, T. Taguchi, A. Ishibashi, Y. Kawaguchi, and T. Yokogawa, Phys. Rev. B 70, 195210 (2004).
22. Y. Yamada, Proc. SPIE 5725, 110 (2005).