Photovoltaic effects and its oxygen content dependence in BaTi O3-δ Si heterojunctions

Applied Physics Letters

Volumn 92, Issue 7, 2008, Pages

  Xing, Jie ^a   Jin, Kui Juan ^a   Lu, Huibin ^a   He, Meng ^a   Liu, Guozhen ^a   Qiu, Jie ^a   Yang, Guozhen ^a  

^a INSTITUTE OF PHYSICS   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BAND STRUCTURE; MOLECULAR BEAM EPITAXY; PHOTOVOLTAIC EFFECTS; SEMICONDUCTING SILICON;

OXYGEN CONTENT; OXYGEN PRESSURES;

HETEROJUNCTIONS;

EID: 39749099856     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2884320     Document Type: Article

References (18)

1. R. E. Cohen, Nature (London) NATUAS 0028-0836 10.1038/358136a0 358, 136 (1992).
2. S. Jin, T. H. Tiefel, M. McCormack, R. A. Fastnacht, R. Ramesh, and L. H. Chen, Science SCIEAS 0036-8075 10.1126/science.264.5157.413 264, 413 (1994).
3. K-j. Jin, H.-b. Lu, Q.-l. Zhou, K. Zhao, B.-l. Cheng, Z.-h. Chen, Y.-l. Zhou, and G.-Z. Yang, Phys. Rev. B PRBMDO 0163-1829 10.1103/PhysRevB.71.184428 71, 184428 (2005); H. B. Lu, S. Y. Dai, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, B. L. Cheng, K. J. Jin, L. F. Liu, G. Z. Yang, and X. L. Ma, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1850192 86, 032502 (2005); K. Zhao, K. J. Jin, Y. H. Huang, S. Q. Zhao, H. B. Lu, M. He, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2367658 89, 173507 (2006).
4. Z. C. Wang, V. Kugler, U. Helmersson, N. Konofaos, E. K. Evangelou, S. Nakao, and P. Jin, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1398321 79, 1513 (2001).
5. D. Roy and S. B. Krupanidhi, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.108305 61, 2057 (1992).
6. K. M. Ring and K. L. Kavanagh, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1615304 94, 5982 (2003).
7. Z. G. Hu, G. S. Wang, Z. M. Huang, X. J. Meng, and J. H. Chu, Semicond. Sci. Technol. SSTEET 0268-1242 10.1088/0268-1242/18/6/310 18, 449 (2003).
8. F. Amy, A. S. Wan, A. Kahn, F. J. Walker, and R. A. Mckee, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.1766417 96, 1635 (2004).
9. S. Kim, S. Hishita, Y. M. Kang, and S. Balk, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.360696 78, 5604 (1995).
10. Y. H. Huang, K. Zhao, H. B. Lu, K. J. Jin, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2172290 88, 061919 (2006).
11. P. L. Lang, Y. G. Zhao, B. Yang, X. L. Zhang, J. Li, P. Wang, and D. N. Zheng, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2006980 87, 053502 (2005).
12. V. S. Dharmadhikari and W. W. Grannermann, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.330456 53, 8988 (1982).
13. D. Hunter, K. Lord, T. M. Williams, K. Zhang, A. K. Pradhan, D. R. Sahu, and J.-L. Huang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2338764 89, 092102 (2006).
14. S. R. Gilbert, L. A. Wills, and B. W. Wesseis, J. Appl. Phys. JAPIAU 0021-8979 10.1063/1.362909 80, 969 (1996).
15. T. Zhao, Z. H. Chen, F. Chen, H. B. Lu, G. Z. Yang, and H. S. Cheng, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1334353 77, 4338 (2000).
16. H. B. Lu, S. Y. Dai, F. Chen, L. Yan, Z. H. Chen, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Ferroelectrics FEROA8 0015-0193 10.1080/00150190211497 271, 125 (2002); H. B. Lu, K. J. Jin, Y. H. Huang, M. He, K. Zhao, Y. L. Zhou, B. L. Cheng, Z. H. Chen, S. Y. Dai, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.1946901 86, 241915 (2005).
17. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Device (Wiley, New York, 1999).
18. P. Han, K. J. Jin, H. B. Lu, Q. L. Zhou, Y. L. Zhou, and G. Z. Yang, Appl. Phys. Lett. APPLAB 0003-6951 10.1063/1.2804608 91, 182102 (2007).