메뉴 건너뛰기




Volumn 6, Issue 2, 1996, Pages 279-300

Effet de la température sur la réflectivité du silicium oxydé: Détermination expérimentale de la sensibilité relative; application à la mesure sans contact de la température à la surface d'un thyristor GTO en commutation

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords


EID: 3843081828     PISSN: 11554320     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1051/jp3:1996123     Document Type: Article
Times cited : (14)

References (24)
  • 2
    • 0024108364 scopus 로고
    • Analysis of UV-Laser Induced Oxidation of Implanted Silicon by Optical Reflectivity Measurements
    • Foulon F., Slaoui A., Fogarassy E., Fuchs C. et Siffert P., Analysis of UV-Laser Induced Oxidation of Implanted Silicon by Optical Reflectivity Measurements, Appl. Phys. A 47 (1988) 255-258.
    • (1988) Appl. Phys. A , vol.47 , pp. 255-258
    • Foulon, F.1    Slaoui, A.2    Fogarassy, E.3    Fuchs, C.4    Siffert, P.5
  • 3
    • 0001335005 scopus 로고
    • Balkanski M., Ed. North-Holland, Amsterdam
    • Cohen M.L. et Chadi D.J., Handbook on semiconductors, Vol. 2, Balkanski M., Ed. (North-Holland, Amsterdam, 1991) pp. 155-179.
    • (1991) Handbook on Semiconductors , vol.2 , pp. 155-179
    • Cohen, M.L.1    Chadi, D.J.2
  • 4
    • 0542446454 scopus 로고
    • Willardson R.K. et Beer A.C., Eds. Academic Press, New-York
    • Batz B., Semiconductors and semi-metals, Vol. 9, Willardson R.K. et Beer A.C., Eds. (Academic Press, New-York, 1972) pp. 316-402.
    • (1972) Semiconductors and Semi-metals , vol.9 , pp. 316-402
    • Batz, B.1
  • 5
    • 0001664218 scopus 로고
    • Temperature dependence of the direct gap of Si and Ge
    • Allen P.B. et Cardona M., Temperature dependence of the direct gap of Si and Ge, Phys. Rev. B 27 (1983) 4760-4769.
    • (1983) Phys. Rev. B , vol.27 , pp. 4760-4769
    • Allen, P.B.1    Cardona, M.2
  • 7
    • 0001635856 scopus 로고
    • Photothermal reflectance investigation of processed silicon
    • Chrisofides C., Vitkin I.A. et Mandelis A., Photothermal reflectance investigation of processed silicon, J. Appl. Phys. 67 (1990) 2815-2821.
    • (1990) J. Appl. Phys. , vol.67 , pp. 2815-2821
    • Chrisofides, C.1    Vitkin, I.A.2    Mandelis, A.3
  • 8
    • 0018441843 scopus 로고
    • Temperature dependence of optical properties of silicon
    • Weakliem H.A. et Redfield D., Temperature dependence of optical properties of silicon, J. Appl. Phys. 50 (1979) 1491-1495.
    • (1979) J. Appl. Phys. , vol.50 , pp. 1491-1495
    • Weakliem, H.A.1    Redfield, D.2
  • 9
    • 0021865966 scopus 로고
    • Spectrophotomètre pour la mesure sous vide et à haute température de facteurs de réflexion, Application au silicium monocristallin
    • François J.C., Chassaing G., Argeme L. et Pierrisnard R., Spectrophotomètre pour la mesure sous vide et à haute température de facteurs de réflexion, Application au silicium monocristallin, J. Optics 16 (1985) 47-51.
    • (1985) J. Optics , vol.16 , pp. 47-51
    • François, J.C.1    Chassaing, G.2    Argeme, L.3    Pierrisnard, R.4
  • 10
    • 33748737754 scopus 로고
    • Séparation et étude expérimentale des composantes de l'émission optique d'une couche continue d'argent bombardée par des électrons de 4 à 24 keV
    • Miserey F., Séparation et étude expérimentale des composantes de l'émission optique d'une couche continue d'argent bombardée par des électrons de 4 à 24 keV, Rev. Phys. Appl. 25 (1990) 545-554.
    • (1990) Rev. Phys. Appl. , vol.25 , pp. 545-554
    • Miserey, F.1
  • 13
    • 33847596250 scopus 로고
    • Dielectric functions and optical properties of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb from 1.5 to 6 eV
    • Aspnes D.E. et Studna A.A., Dielectric functions and optical properties of Si, Ge, GaP, GaAs, GaSb, InP, InAs and InSb from 1.5 to 6 eV, Phys. Rev. B 27 (1983) 985-1009.
    • (1983) Phys. Rev. B , vol.27 , pp. 985-1009
    • Aspnes, D.E.1    Studna, A.A.2
  • 14
    • 0001494824 scopus 로고
    • Temperature dependence of the optical spectra of Si, Ge, and Ge-Si alloys
    • Humlicek J., Lukes F., Schmidt E, Kekoua M.G. et Khoutsishvili E., Temperature dependence of the optical spectra of Si, Ge, and Ge-Si alloys, Phys. Rev. B 33 (1986) 1092-1100.
    • (1986) Phys. Rev. B , vol.33 , pp. 1092-1100
    • Humlicek, J.1    Lukes, F.2    Schmidt, E.3    Kekoua, M.G.4    Khoutsishvili, E.5
  • 16
    • 0001257155 scopus 로고
    • Electroreflectance and ellipsometry of silicon from 3 to 6 eV
    • Daunois A. et Aspnes D.E., Electroreflectance and ellipsometry of silicon from 3 to 6 eV, Phys. Rev. B 18 (1978) 1824-1839.
    • (1978) Phys. Rev. B , vol.18 , pp. 1824-1839
    • Daunois, A.1    Aspnes, D.E.2
  • 17
    • 0021405996 scopus 로고
    • Pressure coefficients of band gaps in semiconductors
    • Chang K.J., Froyen S. et Cohen M.L., Pressure coefficients of band gaps in semiconductors, Solid State Comm. 50 (1984) 105-107.
    • (1984) Solid State Comm. , vol.50 , pp. 105-107
    • Chang, K.J.1    Froyen, S.2    Cohen, M.L.3
  • 18
    • 0020833095 scopus 로고
    • Refractive index dispersion and related properties in fluorine doped silica
    • Fleming J.W. et Wood D.L., Refractive index dispersion and related properties in fluorine doped silica, Appl. Opt. 22 (1983) 3102-3104.
    • (1983) Appl. Opt. , vol.22 , pp. 3102-3104
    • Fleming, J.W.1    Wood, D.L.2
  • 19
    • 33748717898 scopus 로고
    • Thermal characterization of MOS-Controlled Devices in Transient Conditions: Verification of Thermosensitive Parameters by Experimental and Simulation Tools
    • Farjah E., Schaeffer Ch., Rouve L.L. et Perret R., Thermal characterization of MOS-Controlled Devices in Transient Conditions: Verification of Thermosensitive Parameters by Experimental and Simulation Tools, EPE Journal 4 (1994) 33-37.
    • (1994) EPE Journal , vol.4 , pp. 33-37
    • Farjah, E.1    Schaeffer, Ch.2    Rouve, L.L.3    Perret, R.4
  • 20
    • 0026108142 scopus 로고
    • Liquid crystal imaging for temperature measurements of electronic devices
    • Azar K. et Benson J.R., Liquid crystal imaging for temperature measurements of electronic devices, Proc. of Semi-Therm 8 (1992) 23-33.
    • (1992) Proc. of Semi-Therm , vol.8 , pp. 23-33
    • Azar, K.1    Benson, J.R.2
  • 21
    • 85033064774 scopus 로고    scopus 로고
    • Caractérisation électrothermique de composants de puissance: Évaluation et comparaison des approches expérimentales possibles
    • à paraître
    • Armand M., Duveau J., Guérin J., Bliek A. et Tholomier M., Caractérisation électrothermique de composants de puissance : évaluation et comparaison des approches expérimentales possibles, EPE J. (à paraître).
    • EPE J.
    • Armand, M.1    Duveau, J.2    Guérin, J.3    Bliek, A.4    Tholomier, M.5
  • 22
    • 0026623717 scopus 로고
    • Wavelength-specific pyrometry as a temperature measurement tool
    • Delfino M. et Hodul D.T., Wavelength-specific pyrometry as a temperature measurement tool, IEEE Trans. Electron. Devices 39 (1992) 89-95.
    • (1992) IEEE Trans. Electron. Devices , vol.39 , pp. 89-95
    • Delfino, M.1    Hodul, D.T.2
  • 23
    • 85033041507 scopus 로고
    • 1,200 V snubberless symmetrical GTO for ac switches
    • Brighton, U.K., September
    • Kerboua A., Sébille D. et Miserey F., 1,200 V snubberless symmetrical GTO for ac switches, Proc. of 5th EPE Conference, (Brighton, U.K., September 1993).
    • (1993) Proc. of 5th EPE Conference
    • Kerboua, A.1    Sébille, D.2    Miserey, F.3


* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.