Roughness at Si/SiO2 interfaces and silicon oxidation

Journal of Vacuum Science and Technology A: Vacuum, Surfaces and Films

Volumn 17, Issue 4, 1999, Pages 1269-1274

  Chen, Xidong ^a   Gibson, J M ^b  

^a ARGONNE NATIONAL LABORATORY   (United States)

^b University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

EID: 3843055887     PISSN: 07342101     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1116/1.581807     Document Type: Article

References (23)

1. For example, D. R. Wolters and A. T. A. Zegers-van Duynhoven, J. Appl. Phys. 65, 5126 (1989); M. A. F. Gomes, E. F. da Silva, Jr., and J. Albino Aguiar, Semicond. Sci. Technol. 10, 1037 (1995); S. A. Ajuria, P. U. Kenkare, A. Nghiem, and T. C. Mele, J. Appl. Phys. 76, 4618 (1994).
2. For example, D. R. Wolters and A. T. A. Zegers-van Duynhoven, J. Appl. Phys. 65, 5126 (1989); M. A. F. Gomes, E. F. da Silva, Jr., and J. Albino Aguiar, Semicond. Sci. Technol. 10, 1037 (1995); S. A. Ajuria, P. U. Kenkare, A. Nghiem, and T. C. Mele, J. Appl. Phys. 76, 4618 (1994).
3. For example, D. R. Wolters and A. T. A. Zegers-van Duynhoven, J. Appl. Phys. 65, 5126 (1989); M. A. F. Gomes, E. F. da Silva, Jr., and J. Albino Aguiar, Semicond. Sci. Technol. 10, 1037 (1995); S. A. Ajuria, P. U. Kenkare, A. Nghiem, and T. C. Mele, J. Appl. Phys. 76, 4618 (1994).
4. B. E. Deal and A. S. Grove, J. Appl. Phys. 36, 3770 (1965).
5. J. R. Schrieffer, Phys. Rev. 97, 641 (1955).
6. T. Ohmi, M. Miyashita, and T. Imaoka, Proceedings of the Microcontamination Meeting, San Jose, CA, 1991 (Canon Communications, San Francisco, 1991).
7. M. T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett. 62, 3144 (1993); S. J. Fang, W. Chen, T. Yamanaka, and C. R. Helms, J. Electrochem. Soc. 144, 2896 (1997); S. Banerjee, Y. J. Park, D. R. Lee, Y. H. Jeong, K.-B. Lee, S. B. Yoon, B. H. Jo, H. M. Choi, and W.-J. Cho, Appl. Phys. Lett. 72, 433 (1998).
8. M. T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett. 62, 3144 (1993); S. J. Fang, W. Chen, T. Yamanaka, and C. R. Helms, J. Electrochem. Soc. 144, 2896 (1997); S. Banerjee, Y. J. Park, D. R. Lee, Y. H. Jeong, K.-B. Lee, S. B. Yoon, B. H. Jo, H. M. Choi, and W.-J. Cho, Appl. Phys. Lett. 72, 433 (1998).
9. M. T. Tang, K. W. Evans-Lutterodt, G. S. Higashi, and T. Boone, Appl. Phys. Lett. 62, 3144 (1993); S. J. Fang, W. Chen, T. Yamanaka, and C. R. Helms, J. Electrochem. Soc. 144, 2896 (1997); S. Banerjee, Y. J. Park, D. R. Lee, Y. H. Jeong, K.-B. Lee, S. B. Yoon, B. H. Jo, H. M. Choi, and W.-J. Cho, Appl. Phys. Lett. 72, 433 (1998).
10. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gusfafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995); H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Surf. Sci. 351, 111 (1996).
11. E. P. Gusev, H. C. Lu, T. Gusfafsson, and E. Garfunkel, Phys. Rev. B 52, 1759 (1995); H. C. Lu, E. P. Gusev, E. Garfunkel, and T. Gustafsson, Surf. Sci. 351, 111 (1996).
12. F. M. Ross and J. M. Gibson, Phys. Rev. Lett. 68, 1782 (1992).
13. X. Chen and J. M. Gibson, Phys. Rev. B 54, 2846 (1996); Microscopy of Oxidation 1996 Proceedings, Cambridge, UK, September 1996.
14. X. Chen and J. M. Gibson, Phys. Rev. B 54, 2846 (1996); Microscopy of Oxidation 1996 Proceedings, Cambridge, UK, September 1996.
15. P. Hirsch, A. Howie, R. B. Nicholson, D. W. Pashley, and M. J. Whelan, Electron Microscopy of Thin Crystals (Robert E. Krieger Publishing Co., Inc, Florida, 1977), p. 158.
16. D. Cherns, Philos. Mag. 30, 549 (1974).
17. X. Chen and J. M. Gibson, Phys. Rev. Lett. 81, 4919 (1998).
18. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 574 (1984); X. Chen and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 70, 1462 (1997).
19. P. O. Hahn and M. Henzler, J. Vac. Sci. Technol. A 2, 574 (1984); X. Chen and J. M. Gibson, Appl. Phys. Lett. 70, 1462 (1997).
20. N. C. Bartelt, J. L. Goldberg, T. L. Einstein, E. D. Williams, J. C. Heyraud, and J. J. Métois, Phys. Rev. B 48, 15453 (1993); N. C. Bartelt and R. M. Tromp, ibid. 54, 11731 (1996).
21. N. C. Bartelt, J. L. Goldberg, T. L. Einstein, E. D. Williams, J. C. Heyraud, and J. J. Métois, Phys. Rev. B 48, 15453 (1993); N. C. Bartelt and R. M. Tromp, ibid. 54, 11731 (1996).
22. 2 interfaces.
23. 2 interfaces.