Influence of grain size and room-temperature sputtering condition on optical and electrical properties of undoped and Ga-doped ZnO thin films

Journal of the Korean Physical Society

Volumn 51, Issue 6, 2007, Pages 1987-1992

  Kim, Do Hyun ^a   Jeon, Hoonha ^a   Leem, Jae Young ^a   Jeon, Minhyon ^a   Verma, Ved Prakash ^b   Choi, Wonbong ^b   Lee, Seong Hui ^c   Moon, Jooho ^c  

^a Inje University   (South Korea)

^b The Department of Electrical and Computer Engineering   (United States)

^c Yonsei University   (South Korea)

Author keywords

Ga doped ZnO; RF magnetron sputtering; Thin film transistor; Transparent device; Zinc oxide

Indexed keywords

EID: 38349166098     PISSN: 03744884     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.3938/jkps.51.1987     Document Type: Article

References (20)

1. J. F. Wager, Science 300, 1245 (2003).
2. S. H. Jeong, B. N. Park, D.-G. Yoo, J.-H. Boo and D. Jung, J. Korean Phys. Soc. 50, 622 (2007).
3. A. I. Li, C. H. Kim, J. H. Cho and B. G. Kim, J. Korean Phys. Soc. 49, S652 (2006).
4. H. J. Ko, Y. F. Chen, S. K. Hong, H. Wenisch, T. Ya and D. C. Look, Appl. Phys. Lett. 77, 3761 (2000).
5. T. I. Suzuki, A. Ohtomo, A. Tsukazaki, F. Sato, J. Nishi, H. Ohno and M. Kawasaki, Adv. Mater. (Weinheim, Germany) 16, 1887 (2004).
6. D. K. Lee, S. Kim, M. C. Kim, S. H. Eom, H. T. Oh and S.-H. Choi, J. Korean Phys. Soc. 51, 1378 (2007).
7. R. L. Hoffman, B. J. Norris and J. F. Wager, Appl. Phys. Lett. 82, 733 (2003).
8. G. A. Hirata, J. M. Siqueiros, J. A. Diaz, O. Contreras, J. McKittrick, T. Cheeks and O. A. Lopez, Thin Solid Films 288, 29 (1996).
9. K. Y. Cheong, N. Muti and S. R. Ramanan, Thin Solid Films 410, 142 (2002).
10. K. Shimakawa and T. Itoh, Jpn. J. Appl. Phys. 46, L577 (2007).
11. M. M. Yoshida, F. P. Delgado, W. E. Lopez and E. Andrade, Thin Solid Films 376, 99 (2000).
12. R. J. Hong and X. Jiang, Appl. Phys. A 84, 161 (2006).
13. V. Bhosle and J. Narayan, J. Appl. Phys. 100, 093519 (2006).
14. R. Navamathavan, J. H. Lim, D. K. Hwang, B. H. Kim, J. Y. Oh, J. H. Yang, H. S. Kim, S. J. Park and J. H. Jang, J. Korean Phys. Soc. 48, 271 (2006).
15. E. Fortunato, A. Pimentel, L. Pereira, A. Gonçalves. G. Lavareda, H. A'guas, I. Ferreira, C. N. Caravalho and R. Martins, J. Non-Cryst. Solids 338, 806 (2004).
16. H. C. Cheng, C. F. Chen and C. Y. Tsay, Appl. Phys. Lett. 90, 012113 (2007).
17. C. Y. Kagan and P. W. E. Andry, Thin Film Transistors (Dekker, New York, 2003).
18. B. Z. Dong, G. J. Fang, J. F. Wang, W. J. Guan and X. Z. Zhao, J. Appl. Phys. 101, 033713 (2007).
19. E. M. C. Fortunato, P. M. C. Barquinha, A. C. M. B. G. Pimentel, A. M. F. Gonçalves, A. J. S. Marques, R. F. P. Martins and L. M. N. Pereira, Appl. Phys. Lett. 85, 13 (2004).
20. J. K. Sheu, K. W. Shu, M. L. Lee, C. J. Tun and G. C. Chi, J. Electrochem. Soc. 154, H521 (2007).