Behavior of rapid thermal annealed ZnO:P films grown by pulsed laser deposition

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 10, 2007, Pages

  Kim, H S ^a   Pearton, S J ^a   Norton, D P ^a   Ren, F ^a  

^a University of Florida   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

DEFECTS; FILM GROWTH; HALL MOBILITY; MAGNETIC FIELD EFFECTS; PHOSPHORUS; PULSED LASER DEPOSITION; RAPID THERMAL ANNEALING; ZINC OXIDE;

ACTIVE ACCEPTOR STATES; CARRIER-TYPE CONVERSION; HALL MEASUREMENTS;

METALLIC FILMS;

EID: 36749040338     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2815676     Document Type: Article

References (48)

1. C. Klingshirn, R. Hauschild, H. Priller, M. Decker, J. Zeller, and H. Kalt, Superlattices Microstruct. 0749-6036 10.1016/j.spmi.2005.07.003 38, 209 (2005).
2. N. Izyumskaya, V. Avrutin, U. Ozgur, Y. I. Alivov, and H. Morkoc, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200675101 244, 1439 (2007).
3. D. C. Look, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/s11664-006-0258-y 35, 1299 (2006).
4. D. M. Bagnall, Y. F. Chen, Z. Zhu, T. Yao, S. Koyama, M. Y. Shen, and T. Goto, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.118824 70, 2230 (1997).
5. Z. K. Tang, G. K. L. Wong, and P. Yu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.121620 72, 3270 (1998).
6. S. Shigemori, A. Nakamura, J. Ishihara, T. Aoki, and J. Temmyo, Jpn. J. Appl. Phys., Part 2 0021-4922 10.1143/JJAP.43.L1088 43, L1088 (2004).
7. A. K. Sharma, J. Narayan, J. F. Muth, C. W. Teng, C. Jin, A. Kvit, R. M. Kolbas, and O. W. Holland, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.125340 75, 3327 (1999).
8. H. Hosono, Thin Solid Films 515, 6000 (2007).
9. B. Yaglioglu, H. Y. Yeom, R. Beresford, and D. C. Paine, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2335372 89, 062103 (2006).
10. Y. W. Heo, L. C. Tien, Y. Kwon, D. P. Norton, S. J. Pearton, B. S. Kang, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1794351 85, 2274 (2004).
11. Y. Kwon, Y. Li, Y. W. Heo, M. Jones, P. H. Holloway, D. P. Norton, Z. V. Park, and S. Li, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1695437 84, 2685 (2004).
12. I. Takeuchi, W. Yang, K. S. Chang, M. A. Aronova, T. Venkatesan, R. D. Vispute, and L. A. Bendersky, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1623923 94, 7336 (2003).
13. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Superlattices Microstruct. 0749-6036 10.1016/S0749-6036(03)00093-4 34, 3 (2003).
14. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, Prog. Mater. Sci. 0079-6425 10.1016/j.pmatsci.2004.04.001 50, 293 (2005).
15. S. J. Pearton, D. P. Norton, K. Ip, Y. W. Heo, and T. Steiner, J. Vac. Sci. Technol. B 1071-1023 10.1116/1.1714985 22, 932 (2004).
16. A. Tiburcio-Silver, J. C. Joubert, and M. Labeau, Thin Solid Films 0040-6090 10.1016/0040-6090(91)90232-M 197, 195 (1991).
17. Y. Morinaga, K. Sakuragi, N. Fujimura, and T. Ito, J. Cryst. Growth 0022-0248 10.1016/S0022-0248(97)00045-6 174, 691 (1997).
18. D. C. Look, J. W. Hemsky, and J. R. Sizelove, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.82.2552 82, 2552 (1999).
19. C. G. Van de Walle, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.85. 1012 85, 1012 (2000).
20. S. B. Zhang, S. H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.075205 63, 075205 (2001).
21. K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, C. E. Stutz, B. Luo, F. Ren, D. C. Look, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1539927 82, 385 (2003).
22. K. Ip, M. E. Overberg, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, S. O. Kucheyev, C. Jagadish, J. S. Williams, R. G. Wilson, and J. M. Zavada, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1524033 81, 3996 (2002).
23. D. C. Look, B. Claflin, Y. I. Alivov, and S. J. Park, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/pssa.200404803 201, 2203 (2004).
24. Z. P. Wei, Y. M. Lu, D. Z. Shen, Z. Z. Zhang, B. Yao, B. H. Li, J. Y. Zhang, D. X. Zhao, X. W. Fan, and Z. K. Tang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2435699 90, 042113 (2007).
25. A. Tsukazaki, A. Ohtomo, T. Onuma, M. Ohtani, T. Makino, M. Sumiya, K. Ohtani, S. Chichibu, S. Fuke, Y. Segawa, H. Ohno, H. Koinuma, and M. Kawasaki, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1284 4, 42 (2005).
26. W. Liu, S. S. Gu, J. D. Ye, S. M. Zhu, S. M. Liu, X. Zhou, R. Zhang, Y. Shi, Y. D. Zheng, Y. Hang, and C. L. Zhang, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2169908 88, 092101 (2006).
27. Y. Ryu, T. Lee, J. A. Lubguban, H. W. White, B. Kim, Y. Park, and C. Youn, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2210452 88, 241108 (2006).
28. J. -H. Lim, C. -K. Kang, K. -K. Kim, I. -K. Park, D. -K. Hwang, and S. -J. Park, Adv. Mater. 18, 2720 (2006). 0935-9648
29. C. H. Park, S. B. Zhang, and S. H. Wei, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.66.073202 66, 073202 (2002).
30. D. C. Look, R. L. Jones, J. R. Sizelove, N. Y. Garces, N. C. Giles, and L. E. Halliburton, Phys. Status Solidi A 0031-8965 10.1002/pssa.200306274 195, 171 (2004).
31. U. Ozgur, Ya. I. Alivov, C. Liu, A. Teke, M. A. Reshchikov, S. Dooan, V. Avrutin, S. J. Cho, and H. Morkoc, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1992666 98, 041301 (2005).
32. Y. Yan, M. M. Al-Jassim, and S. H. Wei, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2378404 89, 181912 (2006).
33. M. Pan, J. Nause, V. Rengarajan, R. Rondon, E. H. Park, and I. T. Ferguson, J. Electron. Mater. 0361-5235 10.1007/s11664-006-0056-6 36, 457 (2007).
34. D. C. Look and B. Clafin, Phys. Status Solidi B 0370-1972 10.1002/pssb.200304271 241, 624 (2004).
35. S. B. Zhang, S. -H. Wei, and A. Zunger, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.63.075205 63, 075205 (2001).
36. K. K. Kim, H. S. Kim, D. K. Hwang, J. H. Lim, and S. J. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1591064 83, 63 (2003).
37. V. Vaithianathan, B. T. Lee, and S. S. Kima, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2011775 98, 043519 (2005).
38. Y. W. Heo, S. J. Park, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1594835 83, 1128 (2003).
39. Y. Miao, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, F. G. Chen, X. C. Zhou, B. H. Zhao, L. P. Zhu, and J. G. Lu, Appl. Surf. Sci. 252, 7953 (2006). 0169-4332
40. Y. J. Li, Y. W. Heo, Y. Kwon, K. Ip, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2010600 87, 072101 (2005).
41. K. Ip, Y. W. Heo, D. P. Norton, S. J. Pearton, J. R. LaRoche, and F. Ren, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1783015 85, 1169 (2004).
42. S. Limpijumnong, S. B. Zhang, S. -H. Wei, and C. H. Park, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.92.155504 92, 155504 (2004).
43. W. J. Lee, J. G. Kang, and K. J. Chang, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.73.024117 73, 024117 (2006).
44. A. Y. Polyakov, N. B. Smirnov, A. V. Govorkov, E. A. Kozhukhova, A. I. Belogorokhov, A. V. Markov, H. S. Kim, D. P. Norton, and S. J. Pearton, J. Electrochem. Soc. 0013-4651 10.1149/1.2756976 154, H825 (2007).
45. Y. W. Heo, K. Ip, S. J. Park, S. J. Pearton, and D. P. Norton, Appl. Phys. A: Mater. Sci. Process. 0947-8396 10.1007/s00339-003-2243-0 78, 53 (2004).
46. F. Oba, S. R. Nishitani, S. Isotani, H. Adachi, and I. Tanaka, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1380994 90, 824 (2001).
47. Z. G. Yu, H. Gong, and P. Wu, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1938249 86, 212105 (2005).
48. D. -K. Hwang, M. -S. Oh, J. -H. Lim, C. -G. Kang, and S. -J. Park, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2430937 90, 021106 (2007).