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Volumn 64, Issue 26, 1994, Pages 3584-3586

High quality ultrathin dielectric films grown on silicon in a nitric oxide ambient

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EID: 36449007231     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.111205     Document Type: Article
Times cited : (71)

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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.