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Volumn , Issue , 1995, Pages 1850-

Low interface trap density for remote plasma deposited SiO2 on n-type GaN

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EID: 36449002142     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.