Ohmic contacts to n+ -GaN capped AlGaNAlNGaN high electron mobility transistors

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 1, 2007, Pages

  Wang, Liang ^a   Mohammed, Fitih M ^a   Ofuonye, Benedict ^a   Adesida, Ilesanmi ^a  

^a University of Illinois at Urbana Champaign   (United States)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

CONTACT PERFORMANCE; PLASMA TREATMENT CONDITIONS; PREMETALLIZATION PLASMA TREATMENT EFFECTS; TUNNELING CURRENT FLOW;

ALUMINUM GALLIUM NITRIDE; ELECTRON MOBILITY; ELECTRON TUNNELING; HETEROJUNCTIONS; OHMIC CONTACTS; PLASMA APPLICATIONS; TRANSMISSION ELECTRON MICROSCOPY;

GALLIUM NITRIDE;

EID: 36048949306     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2754371     Document Type: Article

References (21)

1. S. J. Pearton, F. Ren, A. P. Zhang, and K. P. Lee, Mater. Sci. Eng., R. 30, 55 (2000).
2. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.369664 85, 3222 (1999); I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
3. O. Ambacher, J. Smart, J. R. Shealy, N. G. Weimann, K. Chu, M. Murphy, W. J. Schaff, L. F. Eastman, R. Dimitrov, L. Wittmer, M. Stutzmann, W. Rieger, and J. Hilsenbeck, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.369664 85, 3222 (1999); I. P. Smorchkova, C. R. Elsass, J. P. Ibbetson, R. Vetury, B. Heying, P. Fini, E. Haus, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, J. Appl. Phys. 86, 4520 (1999).
4. L. Hsu and W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1339858 89, 1783 (2001); L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
5. L. Hsu and W. Walukiewicz, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1339858 89, 1783 (2001); L. Shen, S. Heikman, B. Moran, R. Coffie, N. Q. Zhang, D. Buttari, I. P. Smorchkova, S. Keller, S. P. DenBaars, and U. K. Mishra, IEEE Electron Device Lett. 22, 457 (2001).
6. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126940 77, 250 (2000); Z. H. Wu, M. Stevens, F. A. Ponce, W. Lee, J. H. Ryou, D. Yoo, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 90, 032101 (2007).
7. J. P. Ibbetson, P. T. Fini, K. D. Ness, S. P. DenBaars, J. S. Speck, and U. K. Mishra, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.126940 77, 250 (2000); Z. H. Wu, M. Stevens, F. A. Ponce, W. Lee, J. H. Ryou, D. Yoo, and R. D. Dupuis, Appl. Phys. Lett. 90, 032101 (2007).
8. R. Vetury, N. Q. Q. Zhang, S. Keller, and U. K. Mishra, IEEE Trans. Electron Devices 48, 560 (2001).
9. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.843146 21, 268 (2000); C. J. Kao, M. C. Chen, C. J. Tun, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2058173 98, 064506 (2005); D. H. Kim, V. Kumar, G. Chen, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. Osinsky, and I. Adesida, Electron. Lett. 43, 129 (2007).
10. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.843146 21, 268 (2000); C. J. Kao, M. C. Chen, C. J. Tun, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2058173 98, 064506 (2005); D. H. Kim, V. Kumar, G. Chen, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. Osinsky, and I. Adesida, Electron. Lett. 43, 129 (2007).
11. B. M. Green, K. K. Chu, E. M. Chumbes, J. A. Smart, J. R. Shealy, and L. F. Eastman, IEEE Electron Device Lett. 0741-3106 10.1109/55.843146 21, 268 (2000); C. J. Kao, M. C. Chen, C. J. Tun, G. C. Chi, J. K. Sheu, W. C. Lai, M. L. Lee, F. Ren, and S. J. Pearton, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.2058173 98, 064506 (2005); D. H. Kim, V. Kumar, G. Chen, A. M. Dabiran, A. M. Wowchak, A. Osinsky, and I. Adesida, Electron. Lett. 43, 129 (2007).
12. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371145 86, 1 (1999); W. K. Wang, P. C. Lin, C. H. Lin, C. K. Lin, Y. J. Chan, G. T. Chen, and J. I. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 26, 5 (2005).
13. S. J. Pearton, J. C. Zolper, R. J. Shul, and F. Ren, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.371145 86, 1 (1999); W. K. Wang, P. C. Lin, C. H. Lin, C. K. Lin, Y. J. Chan, G. T. Chen, and J. I. Chyi, IEEE Electron Device Lett. 26, 5 (2005).
14. S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 2nd ed. (Wiley, New York, 1981), 304.
15. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 98, 106105 (2005).
16. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2081136 87, 141915 (2005); L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 101, 013702 (2007).
17. L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2081136 87, 141915 (2005); L. Wang, F. M. Mohammed, and I. Adesida, J. Appl. Phys. 101, 013702 (2007).
18. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 0361-5235 27, 261 (1998); D. Selvanathan, F. M. Mohammed, J. O. Bae, I. Adesida, and K. H. A. Bogart, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2538 (2005).
19. A. T. Ping, Q. Chen, J. W. Yang, M. A. Khan, and I. Adesida, J. Electron. Mater. 0361-5235 27, 261 (1998); D. Selvanathan, F. M. Mohammed, J. O. Bae, I. Adesida, and K. H. A. Bogart, J. Vac. Sci. Technol. B 23, 2538 (2005).
20. D. Qiao, L. S. Yu, L. Jia, P. M. Asbeck, S. S. Lau, and T. E. Haynes, Appl. Phys. Lett. 80, 992 (2002).
21. S. Walther and R. Liebert, J. Vac. Sci. Technol. B 24, 482 (2006).