The characteristic of strain relaxation on SiGe virtual substrate with thermal annealing

Applied Physics Letters

Volumn 91, Issue 14, 2007, Pages

  Huang, Wu Ping ^d   Cheng, Henry H ^a   Sun, Greg ^b   Lou, Re Fa ^c   Yeh, J H ^c   Shen, Tzer Min ^c  

^a NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY   (Taiwan)

^b Center for Women in Politics and Public Policy   (United States)

^c UNITED MICROELECTRONICS CORPORATION   (Taiwan)

^d NONE

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

INITIAL STRAIN; STRAIN FLUCTUATION; ULTRAVIOLET RAMAN MAPPING;

ANISOTROPY; ANNEALING; DISLOCATIONS (CRYSTALS); STRAIN RELAXATION; SUBSTRATES;

SILICON COMPOUNDS;

EID: 34948845213     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2794016     Document Type: Article

References (19)

1. M. L. Lee, E. A. Fitzgerald, M. T. Bulsara, M. T. Currie, and A. Lochtefeld, J. Appl. Phys. 97, 011101 (2005).
2. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, M. L. Green, D. Brasen, A. R. Kortan, J. Michel, Y.-J. Mii, and B. E. Weir, Appl. Phys. Lett. 59, 811 (1991).
3. F. K. LeGoues, B. S. Meyerson, J. F. Morar, and P. D. Kirchner, J. Appl. Phys. 71, 4230 (1992).
4. K. K. Linder, F. C. Zhang, J.-S. Rieh, P. Bhattacharya, and D. Houghton, Appl. Phys. Lett. 70, 3224 (1997).
5. J. H. Li, C. S. Peng, Y. Wu, D. Y. Dai, J. M. Zhou, and Z. H. Mai, Appl. Phys. Lett. 71, 3132 (1997).
6. S. W. Lee, H. C. Chen, L. J. Chen, Y. H. Peng, C. H. Kuan, and H. H. Cheng, J. Appl. Phys. 92, 6880 (2002).
7. E. A. Fitzgerald, Y.-H. Xie, D. Monroe, P. J. Silverman, J. M. Kuo, and A. R. Kortan, J. Vac. Sci. Technol. B 10, 1807 (1992).
8. K. Rammohan, D. H. Rich, R. S. Goldman, J. Chen, H. H. Wieder, and K. L. Kavanagh, Appl. Phys. Lett. 66, 869 (1995).
9. M. H. Gray, J. W. P. Hsu, L. Giovane, and M. T. Bulsara, Phys. Rev. Lett. 86, 3598 (2001).
10. H. Chen, Y. K. Li, C. S. Peng, H. F. Liu, Y. L. Liu, Q. Huang, J. M. Zhou, and Q.-K. Xue, Phys. Rev. B 65, 233303 (2002).
11. S. J. Yun, S. C. Lee, B. W. Kim, and S. W. Kang, J. Vac. Sci. Technol. B 12, 1167 (1994).
12. J. Humlíček, M. Garriga, M. I. Alonso, and M. Cardona, J. Appl. Phys. 65, 2827 (1989).
13. I. D. Wolf, Semicond. Sci. Technol. 11, 139 (1996).
14. J. C. Tsang, P. M. Mooney, F. Dacol, and J. O. Chu, J. Appl. Phys. 75, 8098 (1994).
15. W. S. Tan, H. H. Cheng, V. I. Mashanov, Y. F. Wong, and C.-T. Chia, Appl. Phys. Lett. 88, 162111 (2006).
16. S. H. Kim, Y. J. Song, H. C. Bae, S. H. Lee, J. Y. Kang, and B. W. Kim, Electrochem. Solid-State Lett. 8, G304 (2005).
17. J. W. Matthews and A. E. Blakeslee, J. Cryst. Growth 27, 118 (1974).
18. M. T. Currie, S. B. Samavedam, T. A. Langdo, C. W. Leitz, and E. A. Fitzgerald, Appl. Phys. Lett. 72, 1718 (1998).
19. H. Chen, F. Chen, X. M. Wang, X. K. Yu, J. R. Liu, K. B. Ma, W. K. Chu, H. H. Cheng, I. S. Yu, Y. T. Ho, and K. Y. Horng, Appl. Phys. Lett. 87, 103504 (2005).