Correlation between Mn oxidation state and magnetic behavior in Mn/ZnO multilayers prepared by sputtering

Journal of Applied Physics

Volumn 102, Issue 3, 2007, Pages

  Cespedes E ^a   Garcia Lopez, J ^b   Garcia Hernandez M ^a   De Andres A ^a   Prieto, C ^a  

^a INSTITUTO DE CIENCIA DE MATERIALES DE MADRID   (Spain)

^b CENTRO NACIONAL DE ACELERADORES   (Spain)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ELECTRON ENERGY LEVELS; FILM THICKNESS; MAGNETIC FIELDS; OXIDATION; SPUTTER DEPOSITION;

MICROSTRUCTURE INFORMATION; X-RAY REFLECTIVITY;

MULTILAYERS;

EID: 34548079737     PISSN: 00218979     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2764207     Document Type: Article

References (17)

1. T. Dietl, H. Ohno, F. Matsukura, J. Cibert, and D. Ferrand, Science 0036-8075 10.1126/science.287.5455.1019 287, 1019 (2000).
2. S. S. Kim, J. H. Moon, B. Lee, O. S. Song, and J. H. Je, J. Appl. Phys. 0021-8979 10.1063/1.1632547 95, 454 (2004).
3. P. Sharma, A. Gupta, K. V. Rao, F. J. Owens, R. Sharma, R. Ahuja, J. M. O. Guillen, B. Johansson, and G. A. Gehring, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat984 2, 673 (2003).
4. Z. Gu, M. Lu, J. Wang, D. Wu, S. Zhang, X. Meng, Y. Zhu, S. Shu, Y. Chen, and X. Pan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2178466 88, 082111 (2006).
5. S. A. Chambers, Surf. Sci. Rep. 0167-5729 10.1016/j.surfrep.2006.05.001 61, 345 (2006).
6. M. A. García, M. L. Ruiz-González, A. Quesada, J. L. Costa-Krämer, J. F. Fernández, S. J. Khatib, A. Wennberg, A. C. Caballero, M. S. Martín-González, M. Villegas, F. Briones, J. M. González-Calbet, and A. Hernando, Phys. Rev. Lett. 0031-9007 10.1103/PhysRevLett.94.217206 94, 217206 (2005).
7. D. C. Kundaliya, S. B. Ogale, S. E. Lofland, S. Dhar, C. J. Metting, S. R. Shinde, Z. Ma, B. Varughese, K. V. Ramanujachary, L. Salamanca-Riba, and T. Venkatesan, Nat. Mater. 1476-1122 10.1038/nmat1221 3, 709 (2004).
8. S. S. Yan, C. Ren, X. Wang, Y. Xin, Z. X. Zhou, L. M. Mei, M. J. Ren, Y. X. Chen, Y. H. Liu, and H. Garmestani, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1690881 84, 2376 (2004).
9. A. B. Pakhomov, B. K. Roberts, and K. M. Krishnan, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1629369 83, 4357 (2003).
10. J. C. A. Huang, H. S. Hsu, Y. M. Hu, C. H. Lee, Y. H. Huang, and M. Z. Lin, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.1812844 85, 3815 (2004).
11. E. Ćspedes, C. Prieto, Y. Huttel, N. D. Telling, and G. van der Laan (to be published).
12. D. A. McKeown and J. E. Post, Am. Mineral. 86, 701 (2001). 0003-004X
13. M. Croft, D. Sills, M. Greenblatt, C. Lee, S. -W. Cheong, K. V. Ramanujachary, and D. Tran, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.55.8726 55, 8726 (1997).
14. J. Sánchez-Benítez, C. Prieto, A. de Andŕs, J. A. Alonso, M. J. Martínez-Lope, and M. T. Casais, Phys. Rev. B 0163-1829 10.1103/PhysRevB.70.024419 70, 024419 (2004).
15. R. Castaer and C. Prieto, J. Phys. III 1155-4320 10.1051/jp3:1997126 7, 337 (1997).
16. C. J. Cong, L. Liao, J. C. Li, L. X. Fan, and K. L. Zhang, Nanotechnology 0957-4484 10.1088/0957-4484/16/6/060 16, 981 (2005).
17. J. Pellicer-Porres, A. Segura, J. F. Sánchez-Royo, J. A. Sans, J. P. Ití, A. M. Flank, P. Lagarde, and A. Polian, Appl. Phys. Lett. 0003-6951 10.1063/1.2400109 89, 231904 (2006).