Leakage current improvement of Ni/TiNiO/TaN metal-insulator-metal capacitors using optimized N+ plasma treatment and oxygen annealing

Electrochemical and Solid-State Letters

Volumn 10, Issue 10, 2007, Pages

  Huang, C C ^a   Cheng, C H ^a   Chin, Albert ^a   Chou, C P ^a  

^a NATIONAL CHIAO TUNG UNIVERSITY   (Taiwan)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

ANNEALING; CAPACITANCE; LEAKAGE CURRENTS; MIM DEVICES; NICKEL COMPOUNDS;

CAPACITANCE DENSITY; PLASMA TREATMENT; POTENTIAL INTEGRATED CIRCUIT APPLICATION;

CAPACITORS;

EID: 34547854759     PISSN: 10990062     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1149/1.2756626     Document Type: Article

References (25)

1. C.-M. Hung, Y.-C. Ho, I.-C. Wu, and K. O, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 505 (1998).
2. J. A. Babcock, S. G. Balster, A. Pinto, C. Dirnecker, P. Steinmann, R. Jumpertz, and B. El-Kareh, IEEE Electron Device Lett., 22, 230 (2001).
3. C. H. Ng, K. W. Chew, and S. F. Chu, IEEE Electron Device Lett., 24, 506 (2003).
4. L. Y. Tu, H. L. Lin, L. L. Chao, D. Wu, C. S. Tsai, C. Wang, C. F. Huang, C. H. Lin, and J. Sun, in Symposium VLSI Tech. Dig., p. 79 (2003).
5. Z. Chen, L. Guo, M. Yu, and Y. Zhang, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett., 12, 246 (2002).
6. C. Zhu, H. Hu, X. Yu, A. Chin, M. F. Li, and D. L. Kwong, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 379.
7. S. J. Kim, B. J. Cho, M.-F. Li, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, in Symposium VLSI Tech. Dig., p. 77 (2003).
8. S. J. Kim, B. J. Cho, S. J. Ding, M.-F. Li, M. B. Yu, C. Zhu, A. Chin, and D.-L. Kwong, in Symposium VLSI Tech. Dig., p. 218 (2004).
9. H. Hu, S. J. Ding, H. F. Lim, C. Zhu, M. F. Li, S. J. Kim, X. F. Yu, J. H. Chen, Y. F. Yong, B. J. Cho, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2003, 879 (2003).
10. T. Ishikawa, D. Kodama, Y. Matsui, M. Hiratani, T. Furusawa, and D. Hisamoto, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 2002, 940.
11. M. Y. Yang, C. H. Huang, A. Chin, C. Zhu, B. J. Cho, M. F. Li, and D. L. Kwong, IEEE Microw. Wirel. Compon. Lett., 13, 431 (2003).
12. C. H. Huang, M. Y. Yang, A. Chin, C. X. Zhu, M. F. Li, and D. L. Kowng, IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., 1, 507 (2003).
13. S. B. Chen, J. H. Lai, K. T. Chan, A. Chin, J. C. Hsieh, and J. Liu, IEEE Electron Device Lett., 23, 203 (2002).
14. S. J. Kim, B. J. Cho, M. B. Yu, M.-F. Li, Y.-Z. Xiong, C. Zhu, A. Chin, and D. L. Kwong, in Symposium VLSI Tech. Dig., 56 (2005).
15. K. C. Chiang, C. H. Lai, Albert Chin, T. J. Wang, H. F. Chiu, J.-R. Chen, S. P. McAlister, and C. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 26, 728 (2005).
16. S.-Y. Lee, H. Kim, P. C. McIntyre, K. C. Saraswat, and J.-S. Byun, Appl. Phys. Lett., 82, 2874 (2003).
17. K. C. Chiang, A. Chin, C. H. Lai, W. J. Chen, C. F. Cheng, B. F. Hung, and C. C. Liao, in Symposium VLSI Tech. Dig., p. 62 (2005).
18. K. C. Chiang, C. C. Huang, A. Chin, W. J. Chen, S. P. McAlister, H. F. Chiu, J.-R. Chen, and C. C. Chi, IEEE Electron Device Lett., 26, 504 (2005).
19. K. C. Chiang, C. C. Huang, H. C. Pan, C. N. Hsiao, J. W. Lin, I. J. Hsieh, C. H. Cheng, C. P. Chou, A. Chin, H. L. Hwang, J. Electrochem. Soc., 154, G54 (2007).
20. P.-Y. Lesaicherre, S. Yamamichi, H. Yamaguchi, K. Takemura, H. Watanabe, K. Tokashiki, K. Satoh, T. Sakuma, M. Yoshida, S. Ohnishi, Tech. Dig. - Int. Electron Devices Meet., 1994, 831.
21. W. L. Yang, T. S. Chao, S. C. Chen, C. H. Yang, and W. H. Peng, Jpn. J. Appl. Phys., Part 1, 45, 6902 (2006).
22. K.-S. Tan, S. Kiriake, M. de Wit, J. W. Fattaruso, C.-Y. Tsay, W. E. Matthews, and R. K. Hester, IEEE J. Solid-State Circuits, 25, 1318 (1990).
23. S. J. Wan, J. W. Chai, Y. F. Dong, Y. P. Feng, N. Sutanto, J. S. Pan, and A. C. H. Huan, Appl. Phys. Lett., 88, 192103 (2006).
24. N. J. Seong, S. G. Yoon, S. J. Yeon, H. K. Woo, D. S. Kil, J. S. Roh, and H. C. Sohn, Appl. Phys. Lett., 87, 132903 (2005).
25. C. S. Kang, H. J. Cho, K. Onishi, R. Nieh, R. Choi, S. Gopalan, S. Krishina, J. H. Han, and J. C. Lee, Appl. Phys. Lett., 81, 2593 (2002).