Multiferroic properties and dielectric relaxation of BiFeO 3/Bi3.25la0.75Ti3O12 double-layered thin films

Applied Physics Letters

Volumn 90, Issue 25, 2007, Pages

  Huang, Fengzhen ^a   Lu, Xiaomei ^a   Lin, Weiwei ^a   Cai, Wei ^a   Wu, Xiumei ^a   Kan, Yi ^a   Sang, Hai ^a   Zhu, Jinsong ^a  

^a NANJING UNIVERSITY   (China)

Author keywords

[No Author keywords available]

Indexed keywords

BERYLLIUM ALLOYS; DIELECTRIC RELAXATION; FERROALLOYS; PERMITTIVITY; POLARIZATION; SUBSTRATES;

DIELECTRIC RELAXOR BEHAVIOR; FERROELECTRIC POLARIZATION; MULTIFERROIC PROPERTIES; ORGANIC DECOMPOSITION METHOD;

THIN FILMS;

EID: 34547463089     PISSN: 00036951     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: 10.1063/1.2749873     Document Type: Article

References (27)

1. N. A. Spaldin and M. Fiebig, Science 309, 391 (2005).
2. T. Lottermoser, T. Lonkai, U. Amann, D. Hohlwein, J. Ihringer, and M. Fiebig, Nature (London) 430, 54.1 (2004).
3. W. Eerenstein, N. D. Mathur, and J. F. Scott, Nature (London) 442, 759 (2006).
4. M. Fiebig, J. Phys. D 38, R123 (2005).
5. P. Fischer, M. Polomska, I. Sosnowska, and M. Szymański, J. Phys. C 13, 1931 (1980).
6. G. A. Smolenskii and V. M. Yudin, Sov. Phys. JETP 16, 622 (1963).
7. J. G. Ismilzade, Phys. Status Solidi B 46, K39 (1971).
8. C. Ederer and N. A. Spaldin, Phys. Rev. B 71, 060401(R) (2005).
9. V. V. Shvartsman, W. Kleemann, R. Haumont, and J. Kreisel, Appl. Phys. Lett. 90, 172115 (2007).
10. D. Lebeugle, D. Colson, A. Forget, M. Viret, P. Bonville, J. F. Marucco, and S. Fusil, Phys. Rev. B (in press).
11. W. Eerenstein, F. D. Morrison, J. Dho, M. G. Blamire, J. F. Scott, and N. D. Mathur, Science 307, 1203a (2005).
12. F. M. Bai, J. L. Wang, M. Wuttig, J. F. Li, N. G. Wang, A. P. Pyatakov, A. K. Zvezdin, L. E. Cross, and D. Viehland, Appl. Phys. Lett. 86, 032511 (2005).
13. R. R. Das, D. M. Kim, S. H. Baek, C. B. Eorn, F. Zavaliche, S. Y. Yang, R. Ramesh, Y. B. Chen, X. Q. Pan, X. Ke, M. S. Rzchowski, and S. K. Streiffer, Appl. Phys. Lett. 88, 242904 (2006).
14. J. K. Kim, S. S. Kim, W. J. Kim, A. S. Bhalla, and R. Guo, Appl. Phys. Lett. 88, 132901 (2006).
15. D. Lee, M. G. Kim, S. Ryu, H. M. Jang, and S. G. Lee, Appl. Phys. Lett. 86, 222903 (2005).
16. F. Z. Huang, X. M. Lu, W. W. Lin, X. M. Wu, Y. Kai, and J. S. Zhu, Appl. Phys. Lett. 89, 242914 (2006).
17. J. R. Cheng and L. E. Cross, J. Appl. Phys. 94, 5188 (2003).
18. M. M. Kumar, A. Srinivas, and S. V. Suryanarayana, J. Appl. Phys. 87, 855 (2000).
19. S. Yakovlev, J. Zekonyte, C-H. Solterbeck, and M. Es-Souni, Thin Solid Films 493, 24 (2005).
20. Y. W. Li, J. L. Sun, J. Chen, X. J. Meng, and J. H. Chu, Appl. Phys. Lett. 87, 182902 (2005).
21. G. L. Yuan, S. W. Or, H. L. W. Chan, and Z. G. Liu, J. Appl. Phys. 101, 024106 (2007).
22. G. A. Smolenskii and V. A. Isupov, Dokl. Akad. Nauk SSSR 96, 53 (1954).
23. X. F. Long and Z. G. Ye, Appl. Phys. Lett. 90, 112905 (2007).
24. A. A. Bokov and Z.-G. Ye, J. Mater. Sci. 41, 31 (2006).
25. Y. Wang, Q. H. Jiang, H. C. He, and C. W. Nan, Appl. Phys. Lett. 88, 142503 (2006).
26. L. Benguigui, Solid State Commun. 11, 825 (1972).
27. V. R. Palkar, D. C. Kundaliya, S. K. Malik, and S. Bhattacharya, Phys. Rev. B 69, 212102 (2004).