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Volumn 56, Issue 6, 2007, Pages 3483-3487

Characterization of Ni/Au GaN Schottky contact base on I-V-T and C-V-T measurements

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GaN; Schottky diode; Thermion field emission; Thin surface barrier model

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EID: 34347269629     PISSN: 10003290     EISSN: None     Source Type: Journal    
DOI: None     Document Type: Article
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* 이 정보는 Elsevier사의 SCOPUS DB에서 KISTI가 분석하여 추출한 것입니다.